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电子发烧友网>电源/新能源>电源设计应用>准确测量氮化镓(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间

准确测量氮化镓(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间

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Cree 的 CMPA0060002D 是一种氮化 (GaN) 高电子基于移动晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路(MMIC) 。 与硅相比,GaN 具有更优越的性能或砷化,包括更高的击穿
2022-05-18 10:06:16

CGHV40180F氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入,可在 DC-2.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能。GaN与硅或砷
2022-06-24 09:19:36

CGHV40180P氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入,可在 DC-2.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能。GaN与硅或砷
2022-06-24 09:22:17

CGHV59070P氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV59070 是内部匹配的;氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV59070;从 50 伏电压轨运行;提供一般用途;适用于各种射频和微波
2022-06-27 14:11:15

CGHV96130F氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他威廉希尔官方网站 相比,这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:24:32

CMPA0060025F氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一种基于氮化 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化相比具有优越的性能;包括更高的击穿
2022-06-27 16:37:17

上升时间限制电路图

上升时间限制电路图
2009-07-15 16:43:39519

如何利用测量设备来准确地评估高性能的氮化晶体管

氮化镓(GaN)场效应晶体管具备高速的开关速度优势,需要使用良好的测量威廉希尔官方网站 及能够描述高速波形细节的良好技巧来进行评估。本文专注于如何基于用户的要求及测量威廉希尔官方网站 ,利用测量设备来准确地评估高性能的氮化晶体管。此外,本文评估高带宽差分探头与不接地参考波形一起使用时的情况。
2018-06-08 16:43:003123

上升时间与压摆率是一回事吗

我们先来看一下压摆率,压摆率的概念与上升时间类似,但有一些重要区别。如图1所示,阶跃响应的上升时间被定义为波形从终值的10%变为90%所需的时间。(有时上升时间被定义为20/80%。)请注意,上升时间通过波形大小的百分比来定义,与所涉及的电压无关。例如图1中的波形具有大约3μs的上升时间
2020-09-29 11:54:101857

浅谈振荡上升时间及影响

振荡上升时间(start up time)是指IC电源启动时,从振荡过渡的状态向恒定区移动所需的时间,村田的规定是达到恒定状态的振荡水平的90%的时间。 振荡上升时间受振荡电路中使用的元件的影响,与晶体谐振器相比较的话,CERALOCK的振荡上升时间会快1位数到2位数。 编辑:hfy
2021-03-31 10:21:052667

GaN Systems即将要推出1美元以下的GaN晶体管

GaN氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682

您是否在准确测定氮化镓器件的皮秒量级上升时间

您是否在准确测定氮化镓器件的皮秒量级上升时间
2022-11-04 09:51:250

什么是氮化镓(GaN)?什么是高电子迁移率晶体管

氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体,用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓(AlGaN)薄层并在界面施加应力,从而产生二维电子气(2DEG)。2DEG用于在电场作用下,高效
2023-02-10 11:05:173854

运放输出电压上升时间的计算指南

本文介绍了运放电路带宽增益积 和压摆率 对运放输出电压上升时间的影响,评估运放输出电压的上升时间,一般采用输出电压的 10% ~ 90% 这一段时间作为上升时间
2023-04-27 09:26:25510

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