作者: 德州仪器设计工程师谢涌;设计与系统经理Paul Brohlin导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管
2018-08-30 15:28:30
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
晶体管测量模块的基本特性有哪些?晶体管测量模块的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此,氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心威廉希尔官方网站
。在光子学方面,氮化镓还被用于蓝光激光威廉希尔官方网站
(最明显
2023-06-15 15:50:54
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域,随着威廉希尔官方网站
的进步以及人们的需求,氮化镓产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新威廉希尔官方网站
有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
功率晶体管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高压和高开关频率条件下提供高功率效率,从而远远超过硅MOSFET产品。 GaN可以为您做什么 根据应用的不同,高效率的高频开关可以将功率模块的尺寸缩小
2018-11-20 10:56:25
和功率密度,这超出了硅MOSFET威廉希尔官方网站
的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此,开始了氮化镓晶体管(GaN)的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的热量,需要更大的散热器。不幸的是,这增加了系统成本、重量和解决方案总尺寸,这在空间受限的应用中是不期望的或不可接受的。氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)具有优于硅MOSFET的多种优势
2017-08-21 14:36:14
器件的速度提高,这种外部电感会导致接地反弹增加[4]。 增强型氮化镓晶体管采用晶圆级芯片级封装 (WLCSP),端子采用焊盘栅格阵列 (LGA) 或球栅阵列 (BGA) 格式。其中一些器件不提供单独
2023-02-24 15:15:04
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
转换器,将性能与两种可比场景进行了比较:第一种是所有三种晶体管类型都在500KHz谐振频率下工作,第二种是500KHz基于GaN的LLC与基于100KHz硅的LLC。主要晶体管是氮化镓、硅或碳化硅。初级
2023-02-27 09:37:29
氮化镓功率半导体威廉希尔官方网站
解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
晶体管如今已与碳化硅基氮化镓具有同样的电源效率和热特性。MACOM 的第四代硅基氮化镓 (Gen4 GaN) 代表了这种趋势,针对 2.45GHz 至 2.7GHz 的连续波运行可提供超过 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已开始,但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问,它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管,但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处?
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
怎么测量 信号的上升时间?
2015-03-15 08:36:34
,top_threshold_pct)来通过瞬态模拟来测量信号的上升时间。我想扫描输入频率并测量每个输出的上升时间。使用扫描时,此功能似乎失败。有解决方法吗?我意识到,虽然渗透频率,我的数据输出是一个二维数组,如果我通过使用y
2018-09-26 15:12:33
` 本帖最后由 射频威廉希尔官方网站
于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
` 本帖最后由 射频微波威廉希尔官方网站
于 2021-4-8 09:15 编辑
Wolfspeed的CGHV60040D是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能
2021-04-07 14:24:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅(SiC)衬底上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。这种GaN内匹配(IM)场效应晶体管与其他威廉希尔官方网站
相比,提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他威廉希尔官方网站
相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
产品采用符合RoHS的SMD封装提供。功能 内部匹配的GAN功率晶体管射频带宽(GHz)最小值-最大值 2.7-3.4功率(W) 65岁PAE(%) 55封装 QFN塑料包装CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化镓(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了关于用于GaN功率晶体管的智能栅极驱动器IC的精彩报告,并提出了一种适用于氮化镓功率晶体管的智能栅极驱动集成电路,该集成电路带有电流传感特性、可调节输出电阻、可调
2018-11-05 09:51:35
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管,旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下,10%占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
耗尽型半导体威廉希尔官方网站
为碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)、硅基氮化镓(GaN on Si)、砷化镓(GaAs)射频功率晶体管或模块提供准确的栅极电压和脉冲漏极电压。射频功率 - 硅双极单元和模块
2017-08-14 14:41:32
用于无线基础设施的半导体威廉希尔官方网站
正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动,这将对无线
2017-08-30 10:51:37
`作为一家具有60多年历史的公司,MACOM在射频微波领域经验丰富,该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管,后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件(例如砷化镓GaAs)。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
(GaN)那么,问题来了,怎么解决高昂的价格?首先,先了解下什么是硅基氮化镓,与硅器件相比,由于氮化镓的晶体具备更强的化学键,因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把晶体管
2017-07-18 16:38:20
范围;4.Vgs信号上升时间240ns左右。(以上数据通过截屏读数)▲图4:测试结果截屏结论1.客户目标板设计合理,Vgs控制信号近乎完美;2.测试显示Vgs信号无任何震荡,共模干扰被完全抑制;3.OIP系列光隔离探头测试氮化镓半桥上管Vgs,没有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN
2018-07-27 09:06:34
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2019-07-17 13:58:50
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合高效率的应用。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号:TGF2040产品名称:砷化镓晶体管
2018-07-18 12:00:19
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
当测定氮化镓(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间时,即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI
2018-09-07 14:52:23
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅威廉希尔官方网站
相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV,而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度,耗尽区窄短,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如,一个典型的650V横向氮化镓晶体管,可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
电子产品中。这种氧化物是个好选择,因为它能与AlGaN/GaN形成良好的肖特基接触,并在GaN晶体管中起到栅极的作用。有一些报道证实在氮化镓晶体管中可存在铟锡氧化物(ITO)栅极,并且已经表明,在氮化镓器件
2020-11-27 16:30:52
GaAs-GaAlAs,放大倍数可以大于1000,响应时间长于纳秒,常用作光电探测器和光放大。场效应光电晶体管(FET)响应迅速(约50皮秒),但缺点是光敏面积和增益小,常用作超高速光电探测器。还有许多其他平面
2023-02-03 09:36:05
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化镓充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化镓相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化镓比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化镓系列”,告诉大家什么是氮化镓(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
产的Guidance Enhanced Missile-TBM(GEM-T)拦截器中使用氮化镓(GaN)计算机芯片,以取代目前在导弹发射器中使用的行波管(TWT)。雷神希望通过使用GaN芯片升级
2019-07-08 04:20:32
应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的威廉希尔官方网站
大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268,只做原装,价格优势,实单欢迎洽谈。产品信息型号1:NV6127丝印:NV6127属性:氮化镓功率芯片封装:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
(GaN)原厂来说尤为常见,其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题,下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户,用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源,因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
氮化镓威廉希尔官方网站
是功率级的真正推动者,如今可提供过去十年无法想象的性能。只有当栅极驱动器与晶体管具有相同程度的性能和创新时,才能获得GaN的最大性能和优势。经过多年的研发,MinDCet通过推出
2023-02-24 15:09:34
我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
,则晶体管总的开关时间共有4个:延迟时间td,上升时间tr,存储时间ts和下降时间tf;ton=td+tr,toff=ts+tf在不考虑晶体管的管壳电容、布线电容等所引起的附加电容的影响时,晶体管
2019-09-22 08:00:00
的性能已接近理论极限[1-2],而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性,可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能,有助消除死区时间且增加PWM频率,从而
2023-06-25 13:58:54
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)的栅极与驱动硅(Si)MOSFET的栅极有相似之处,但有一些有益的差异。 驱动氮化镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09
。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。通过导通电阻选择器件内部氮化镓场效应晶体管(FET)的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻…
2022-11-10 06:36:09
,则晶体管总的开关时间共有4个:延迟时间td,上升时间tr,存储时间ts和下降时间tf;ton=td+tr,toff=ts+tf在不考虑晶体管的管壳电容、布线电容等所引起的附加电容的影响时,晶体管
2019-08-19 04:00:00
的。如果准确知道设备的10-90%上升时间,并且测量是在没有噪声的情况下进行的,测量上升时间要好的方法是使用速度更快的探头和示波器。简单地说,这种方法可以提高示波器的使用频率范围到原来的2~3倍。购线网www.gooxian.com 专业定制各类测试线(同轴线、香蕉头测试线,低噪线等)。
2018-04-19 10:42:59
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年,第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
针对可靠的高功率和高频率电子设备,制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限,制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
,在这种情况下采用基于氮化镓(GaN)晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似,GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制,单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率,并联配置晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
上升时间 在数字领域中,上升时间测量至关重要。在预计测量数字信号时,如脉冲和阶跃,上升时间可能是更合适的性能考虑因素。示波器必须有充足的上升时间,才能准确捕获迅速跳变的细节。 示波器的上升时间 检定
2016-04-11 14:38:38
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
时间和频率的关系是什么输入电容对上升时间和噪声的影响是什么进行电平测量时需要考虑的速度问题
2021-04-15 06:24:37
”的器件。它有多好呢?击穿电压是功率晶体管的关键指标之一,达到这个临界点,半导体阻止电流流动的能力就会崩溃。东胁研究的开创性晶体管的击穿电压大于250伏。相比之下,氮化镓花了近20年的时间才达到这一
2023-02-27 15:46:36
Cree 的 CMPA0060002F 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优越的与硅或砷化镓相比的特性,包括更高的击穿率电压
2022-05-17 18:34:26
Cree 的 CMPA0060002D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子基于移动晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路(MMIC) 。 与硅相比,GaN 具有更优越的性能或砷化镓,包括更高的击穿
2022-05-18 10:06:16
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入,可在 DC-2.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能。GaN与硅或砷
2022-06-24 09:19:36
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入,可在 DC-2.0 GHz 范围内提供最佳的瞬时宽带性能。GaN与硅或砷
2022-06-24 09:22:17
Wolfspeed 的 CGHV59070 是内部匹配的;氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV59070;从 50 伏电压轨运行;提供一般用途;适用于各种射频和微波
2022-06-27 14:11:15
Wolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他威廉希尔官方网站
相比,这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:24:32
Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能;包括更高的击穿
2022-06-27 16:37:17
上升时间限制电路图
2009-07-15 16:43:39519 氮化镓(GaN)场效应晶体管具备高速的开关速度优势,需要使用良好的测量威廉希尔官方网站
及能够描述高速波形细节的良好技巧来进行评估。本文专注于如何基于用户的要求及测量威廉希尔官方网站
,利用测量设备来准确地评估高性能的氮化镓晶体管。此外,本文评估高带宽差分探头与不接地参考波形一起使用时的情况。
2018-06-08 16:43:003123 我们先来看一下压摆率,压摆率的概念与上升时间类似,但有一些重要区别。如图1所示,阶跃响应的上升时间被定义为波形从终值的10%变为90%所需的时间。(有时上升时间被定义为20/80%。)请注意,上升时间通过波形大小的百分比来定义,与所涉及的电压无关。例如图1中的波形具有大约3μs的上升时间。
2020-09-29 11:54:101857 振荡上升时间(start up time)是指IC电源启动时,从振荡过渡的状态向恒定区移动所需的时间,村田的规定是达到恒定状态的振荡水平的90%的时间。 振荡上升时间受振荡电路中使用的元件的影响,与晶体谐振器相比较的话,CERALOCK的振荡上升时间会快1位数到2位数。 编辑:hfy
2021-03-31 10:21:052667 GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 您是否在准确测定氮化镓器件的皮秒量级上升时间?
2022-11-04 09:51:250 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体,用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓(AlGaN)薄层并在界面施加应力,从而产生二维电子气(2DEG)。2DEG用于在电场作用下,高效
2023-02-10 11:05:173854 本文介绍了运放电路带宽增益积 和压摆率 对运放输出电压上升时间的影响,评估运放输出电压的上升时间,一般采用输出电压的 10% ~ 90% 这一段时间作为上升时间。
2023-04-27 09:26:25510
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