CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现

提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力
 
奈梅亨，2024年12月12日：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度和可靠的解决方案。所有器件封装均已在JEDEC注册，并配备Nexperia交互式数据手册，便于无缝集成。
 
标杆器件PSMN1R0-100ASF是一款0.99 mΩ 100 V功率MOSFET，能够承载460 A电流并达到1.55 KW耗散功率，采用CCPAK1212封装，仅占用12mm×12mm的电路板空间。PSMN1R0-100CSF的顶部散热版本也具备类似的性能。
 
优越的性能表现与器件的内部结构紧密相关。CCPAK1212中的“CC”代表铜夹片(Copper Clip)，这意味着功率MOSFET的晶圆夹在两片铜片之间，一侧是漏极散热片，另一侧是源极夹片。优化后的设计无需引线键合，进而可降低导通电阻和寄生电感，提高最大额定电流并改进热性能。
 
CCPAK1212 NextPower 80/100 V MOSFET适合侧重于高效率和高可靠性的耗电工业应用，包括无刷直流(BLDC)电机控制、开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)和可再生能源存储。这类单个大功率封装的MOSFET可减少并联需求、简化设计，并提供更紧凑、更具成本效益的解决方案。
 
Nexperia此次推出的CCPAK1212系列中，还包括一些为特定应用而设计开发的新型MOSFET (ASFET)，主要用于为日益增强的AI服务器实现热插拔操作。这些器件的安全工作区(SOA)经过强化，可在线性模式转换期间提供出色的热稳定性。
 
本系列器件提供顶部和底部散热选项，让相关应用的工程师可以灵活选择散热途径，尤其适用于因为某些热敏感器件限制而无法直接通过PCB进行散热的设计。
 
Nexperia产品部总经理Chris Boyce表示：“尽管我们拥有市场领先的性能，但我们知道，一些客户对于采用相对较新的封装进行设计时仍犹豫不决。为此，我们已经向JEDEC标准组织注册了CCPAK1212，参考编号为MO-359。早些年推出第一款LFPAK MOSFET封装时，我们就采用了类似的方法，因此现在市场上有许多兼容的器件。当创新能够为客户创造真正的价值时，市场很快就会给予响应。”
 
所有新款CCPAK1212 MOSFET器件均享受一系列先进的设计工具支持，包括热补偿仿真模型。Nexperia还将传统的PDF数据手册升级成了用户友好型交互式数据手册，其中新增了一项“图形转csv”功能，使工程师能够下载、分析和解释每个器件关键特性背后的数据。这不仅简化了设计流程，而且增强了对设计选择的信心。
 
Nexperia计划将CCPAK1212封装应用到所有电压范围的功率MOSFET及其符合车规级AEC-Q101标准的产品组合，以实现超高电流和出色热性能，满足下一代系统不断变化的需求。
 
 
欲了解有关Nexperia CCPAK1212 MOSFET的更多信息，请访问：
https://www.nexperia.com/products/mosfets/family/ccpak1212-mosfets