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贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET

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2024-02-01 10:51:00617

英飞凌推出CoolSiC MOSFET G2威廉希尔官方网站 ,提升电力效率与可靠性

另外,CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值(Rdson),这大大提高了能效、功率密度,以及在电力系统中的可靠性,降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:41780

英飞凌推出G2 CoolSiC MOSFET进一步推动碳化硅威廉希尔官方网站 的发展

碳化硅(SiC)威廉希尔官方网站 一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键,英飞凌最近推出的CoolSiC MOSFET2代(G2)威廉希尔官方网站 ,也是要在这个领域提高了MOSFET的性能指标,扩大还在光伏、储能、电动汽车充电等领域的市场份额。
2024-03-12 09:33:26575

英飞凌推出新一代碳化硅威廉希尔官方网站 CoolSi MOSFET G2

在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站 ——CoolSiCMOSFET Generation 2。这一创新威廉希尔官方网站 的推出,标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑,为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29440

英飞凌推出新一代碳化硅威廉希尔官方网站 CoolSiCMOSFET G2,推动低碳化的高性能系统

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站 ,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比,英飞凌全新
2024-03-12 08:13:02316

英飞凌全新CoolSiCMOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiCMOSFET,满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥
2024-03-15 16:31:45447

英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V产品

英飞凌科技股份公司,作为全球领先的半导体公司,近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装,为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29499

英飞凌发布新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站

英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站 ,无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比,全新的CoolSiCMOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36590

英飞凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的产品特点

CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联威廉希尔官方网站 ,CoolSiC威廉希尔官方网站 的输出电流能力强,可靠性提高。
2024-03-22 14:08:35323

开售英飞凌CYW20822 AIROC低功耗蓝牙模块 为多项应用提供高效无线连接

2024 年 3 月 25 日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌CYW20822
2024-03-26 15:11:14248

电子开售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件

电子即日起开售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件。XPLR-HPG-2探索套件为厘米级精度的定位应用(如自主机器人、资产跟踪和互联健康)提供了一个紧凑的开发和原型设计平台。
2024-04-17 10:25:24272

芯闻速递 | 英飞凌全新CoolSiCMOSFET 750 V G1产品系列;Ekkono简化AURIX™系列嵌入式AI过程

英飞凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiCMOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC™ MOSFET,针对图腾柱
2024-04-19 14:45:26186

英飞凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站

英飞凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站 ,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比,英飞凌全新的 CoolSiCMOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:20711

英飞凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。
2024-05-24 10:13:45430

产品简介 | RZ/G2系列MPU

产品简介 | RZ/G2系列MPU
2024-04-29 08:08:13112

CoolSiCMOSFET G2助力英飞凌革新碳化硅市场

英飞凌凭借CoolSiCMOSFETG2威廉希尔官方网站 ,再度突破极限,实现更高效率、更低功耗,这也使英飞凌在日益发展且竞争激烈的碳化硅市场,屹立于创新浪潮之巅。在过去三年,碳化硅市场经历了蓬勃发展,特别是在
2024-07-12 08:14:41155

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