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车规级功率模块封装的现状，SiC MOSFET对器件封装的威廉希尔官方网站 需求
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创新，包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联
2023-01-07 10:24:37
1062
1062碳化硅功率器件封装威廉希尔官方网站 解析
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装威廉希尔官方网站
带来了新的挑战：传统封装
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水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。 如果
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SiC MOSFET的器件演变与威廉希尔官方网站 优势
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件威廉希尔官方网站
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优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
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作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
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1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
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SBD串联威廉希尔官方网站
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和封装的创新。WInSiC4AP联盟由来自4个欧盟国家（意大利、法国、德国和捷克共和国）的20个合作伙伴组成，包括大型企业
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领域都拥有强大的优势，双方保持着威廉希尔官方网站
交流并建立了合作关系。今后，通过将ROHM的SiC功率元器件和控制威廉希尔官方网站
与Apex Microtechnology的模块威廉希尔官方网站
完美结合，双方将能够提供满足市场需求的出色的功率系统解决方案，从而持续为工业设备的效率提升做出贡献。
2023-03-29 15:06:13
【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】SiC MOSFET元器件性能研究
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
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中国功率器件市场发展现状:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT 等半导体器件，功率器件几乎用于所有的电子制造业，所应用的产品包括
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倒装芯片和晶片级封装威廉希尔官方网站 及其应用
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全SiC功率模块介绍
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及EasyPACK™ 2B半桥封装的功率模块，这款模块具有更高的灵活性及可扩展性。根据逆变器的具体条件，这款750V的模块最大可以支撑50kW
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谁能推荐一些国内车规级的电子元器件厂商？主要是电源IC、ADC、逻辑IC、复位IC、高低边IC等等，其它的分立元器件也可以推荐，要国产的，谢谢！本人在国内一线整车厂上班。
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请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
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SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备
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956SIC功率器件的发展现状！
近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件威廉希尔官方网站
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搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模块介绍
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SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系数，从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上。SiN是一种极具吸引力的衬底，因为它具有合理的热导率（60W/m-K）和低热膨胀系数（2.7ppm/℃），与SiC的热膨胀系数 （3.9ppm/℃）十分接近。
2023-02-16 14:05:573194
3194何谓全SiC功率模块
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430
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银烧结威廉希尔官方网站 在功率模块封装的应用
作为高可靠性芯片连接威廉希尔官方网站
，银烧结威廉希尔官方网站
得到了功率模块厂商的广泛重视，一些功率半导体头部公司相继推出类似威廉希尔官方网站
，已在功率模块的封装中取得了应用。
2023-03-31 12:44:271885
1885半导体功率器件封装结构热设计综述
摘要半导体威廉希尔官方网站
的进步使得芯片的尺寸得以不断缩小，倒逼着封装威廉希尔官方网站
的发展和进步，也由此产生了各种各样的封装形式。当前功率器件的设计和发展具有低电感、高散热和高绝缘能力的属性特征，器件封装上呈现出模块
2023-04-20 09:59:41711
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SiC功率模块封装威廉希尔官方网站 ：探索高性能电子设备的核心竞争力
随着电子威廉希尔官方网站
的不断发展，硅碳化物（SiC）功率模块逐渐在各领域获得了广泛应用。SiC功率模块具有优越的电性能、热性能和机械性能，为高性能电子设备提供了强大的支持。本文将重点介绍SiC功率模块的封装威廉希尔官方网站
及其在实际应用中的优势。
2023-04-23 14:33:22850
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SiC MOSFET器件威廉希尔官方网站 现状分析
对于SiC功率MOSFET威廉希尔官方网站
，报告指出，650-1700V SiC MOSFET威廉希尔官方网站
快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高威廉希尔官方网站
成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428
428碳化硅功率器件：革命性的封装威廉希尔官方网站 揭秘
碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料，已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力，封装威廉希尔官方网站
同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键威廉希尔官方网站
。
2023-08-15 09:52:11701
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赛晶科技发布一种车规级HEEV封装SiC模块
赛晶科技表示，为电动汽车应用量身定做的HEEV封装SiC模块，导通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高达250kW电驱系统，并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316
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长电科技高可靠性车载SiC功率器件封装设计
长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的威廉希尔官方网站
经验，具备全面的功率产品封装外形，覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398
398SiC功率器件的封装威廉希尔官方网站
传统的功率半导体封装威廉希尔官方网站
是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性，而且不具备足够的坚固性。
2023-10-09 15:20:58299
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SiC MOSFET的封装、系统性能和应用
，能够像IGBT一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅MOSFET的开关频率。之前的文章中，我们介绍了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何优化SiC栅极驱动电路 。今天将带来本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封装、系统性能和应用 。 封装 WBG半导体使高压转换器能够在更接近
2023-11-09 10:10:02334
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碳化硅功率器件封装的关键威廉希尔官方网站
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）功率器件因其宽禁带、耐高压、高温、低导通电阻和快速开关等优点备受瞩目。然而，如何充分发挥碳化硅器件的性能却给封装威廉希尔官方网站
带来了新的挑战。传统封装威廉希尔官方网站
在应对
2024-01-26 16:21:39218
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一文解析SiC功率器件互连威廉希尔官方网站
和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43107
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工商网监
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