MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心威廉希尔官方网站
已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新威廉希尔官方网站
产品认定。
l 深圳芯能
成立时间：2013年
业务模式：设计
简介：深圳芯能半导体
2023-10-16 11:00:14
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-05-06 05:00:17
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-03-27 06:20:04
投入了许多精力。 氮化镓半导体 近年来，金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)已经成为切换电源的主要功率组件，从场效晶体管(FET)、双极结型晶体管(BJT)、MOSFET、到绝缘栅双极型晶体管
2018-10-23 16:12:16
半导体基础知识与晶体管工艺原理
2012-08-20 08:37:00
上次我们学习了无源元件，今天我们接着来复习一下半导体以及使用了半导体的有源元件-二极管、晶体管、FET。
2021-03-03 08:36:01
请问图片是意法的什么元件，上面的丝印具体信息是什么，有能替代的吗，查了资料没找到这个型号，谢谢
2022-05-16 23:20:58
，ZRL典型值为±1dps，这些功能适合各种应用，特别是在精确运动检测和提高相机性能方面。该传感器还支持意法半导体开发的使用浮点数学运算将计步误差率降低60％的增强版计步器算法，并集成一个能够识别公共汽车
2018-11-05 14:07:51
Sigfox连网设备，以快速跟上持续增长的市场需求。” 佐臻WS211X系列模块的开发板采用Arduino界面，便于快速开发，并且可以与意法半导体MEMS动作传感器、环境传感器或光学传感器（ToF）等
2018-05-09 15:45:36
中国，2018年2月26日 – 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）今天宣布与远创达科技公司签署一份
2018-02-28 11:44:56
新任总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery任新执行委员会主席中国，2018年6月4日——根据意法半导体新任总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery的提议，监事会批准成立新组建的由
2018-06-04 16:24:42
13日 – 针对重要的医疗和工业应用领域，意法半导体采用其经过验证的支持单片集成模拟电路（双极晶体管）、数字电路（CMOS）和电源（DMOS）电路的BCD8s-SOI制造工艺，推出一款新的尺寸紧凑、性能
2018-08-13 14:18:07
服务提供商 Sigfox宣布一项威廉希尔官方网站
合作协议，以支持并提高市场对各种应用互联设备的需求，包括供应链管理、楼宇和设备维护、水和燃气计量、安保、交通、农业、矿业和家庭自动化。意法半导体的开发工具将整合
2018-03-12 17:17:45
▌峰会简介第五届意法半导体工业峰会即将启程，现我们敬邀您莅临现场，直击智能热点，共享前沿资讯，通过意法半导体核心威廉希尔官方网站
，推动加快可持续发展计划，实现突破性创新~报名链接：https
2023-09-11 15:43:36
，加强安保，提高灵活性横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出新的STM32L5 系列® Cortex
2018-10-17 10:37:12
的硬件和(免费)注册中国，2018年2月9日 —— 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）今天宣布，包括学生
2018-02-09 14:08:48
中国， 2018 年 5 月 21 日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体（ STMicroelectronics ，简称 ST ；纽约证券交易所代码： STM ） 推出
2018-05-22 11:20:41
有源米勒钳位选配，提升高速开关抗干扰能力中国，2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳
2018-08-06 14:37:25
意法半导体单片天线匹配 IC系列新增两款优化的新产品，面向BlueNRG-LPS系统芯片(SoC)，以及STM32WB1x 和STM32WB5x*无线MCU。单片天线匹配 IC有助于简化射频电路设计
2023-02-13 17:58:36
(STEVAL-LDO001V1)搭载1个STLQ020和3个其它型号低压差（LDO）稳压器，售价9.68美元。相关新闻意法半导体(ST)发布世界领先的防水压力传感器，首张订单来自三星高性能穿戴式产品奇手(Qeexo
2018-04-10 15:13:05
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM） 推出汽车级六轴惯性传感器ASM330LHH ，为先进的车载导航
2018-07-17 16:46:16
中国，2018年10月10日——意法半导体推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代码烧写及调试探针，进一步改进代码烧写及调试灵活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存储
2018-10-11 13:53:03
`中国，2018年6月22日——意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET，可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器，其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压
2018-06-25 11:01:49
系统等各种设备和系统。STM32系列微控制器的制造商意法半导体是世界领先的32位Arm®Cortex®-M-core 微控制器厂商。为加快和促进开发社区的应用开发，意法半导体建立了一个强大的软硬件开发
2018-07-13 15:52:39
STM32* 微控制器上开发先进的高能效电机驱动器的难度。此举为空调、家电、无人机、楼宇自动化、机床、医疗设备、电动车等产品设备工程师研发先进电机驱动带来更多机会，而且无需专门的研发经验。基于意法半导体上一代
2018-03-22 14:30:41
意法半导体已将其 STM32Cube.AI 机器学习开发环境放入云中，并配有可云访问的意法半导体MCU板进行测试。这两个版本都从TensorFlow，PyTorch或ONNX文件为STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
中国，2018年8月1日——意法半导体的FDA803D 和FDA903D汽车级数字输入音频放大器功能丰富，有助于简化系统集成，最大限度提高车载信息服务及紧急呼叫设备和混动/电动汽车声学提示系统
2018-08-02 15:33:58
微机电系统(MEMS)感测器制造威廉希尔官方网站
迈入新里程碑。意法半导体(ST)宣布成功结合面型微加工(Surface-micromachining)和体型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
`中国，5月28日—— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体（ STMicroelectronics ，简称 ST ；纽约证券交易所代码： STM ）发布 了2018 年可持续发展
2018-05-29 10:32:58
所未有的速度运行，大幅提高吞吐量；微步分辨率从½步到1/256步每微步，确保打印表面平滑度领先同级。3D打印性能实现如此巨大的飞跃关键在于意法半导体的STSPIN820步进电机驱动器IC。STSPIN820嵌入
2018-06-11 15:16:38
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;)发布一款创新的显示屏背光LED控制器芯片。新产品可简化手机与其它便携电子产品的电路设计，为
2011-11-24 14:57:16
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
？
再者在场效应管这种单极性导电半导体中，为什么只是有一种离子导电，而非两种离子，不像晶体管那种两种离子导电，请问这是为什么？同样对于场效应管也有上面的问题？
2024-02-21 21:39:24
不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。双极晶体管和MOSFET中，分功率型和小信号型，IGBT原本是为处理大功率而开发
2018-11-28 14:29:28
和小信号型，IGBT原本是为处理大功率而开发的晶体管，因此基本上仅有功率型。 顺便提一下，MOSFET为Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
2020-06-09 07:34:33
现代社会带来了巨大的影响。2. 从锗到硅最初，晶体管是由锗（半导体）做成的。但是，锗具有在80°C左右时发生损坏的缺点，因此现在几乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右热度的物质。3. 晶体管的作用
2019-05-05 00:52:40
集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明
2010-08-12 13:57:39
电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM)于今日联合宣布，将在意法半导体的ST Telemaco3P STA1385车载信息
2018-11-05 14:09:44
芯片，加快硅上氮化镓在主流市场上的应用。意法半导体和MACOM为提高意法半导体CMOS晶圆厂的硅上氮化镓产量而合作多年，按照目前时间安排，意法半导体预计2018年开始量产样片。 MACOM公司总裁
2018-02-12 15:11:38
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的缩写，也叫场效应管，是一种由运算器的基础构成
2023-03-08 14:13:33
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGBT一般使用在大电流的场景。...
2021-10-29 08:28:40
电压能力相结合。IGBT将用于控制输入的隔离栅极FET和作为单个器件中开关的双极型功率晶体管组合在一起。安森美半导体推出TO247-4L IGBT系列，具有强大且经济实惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
STM32系列打造意法半导体核心战略产品
2012-07-31 21:36:53
Degauque表示：“意法半导体高射频性能的NFC方案最大限度地提高了工程师在新产品设计时的自由空间和灵活度。通过充分利用这一灵活性， NFC在Alcatel 3V智能手机上的集成过程被有效简化
2018-06-11 15:22:25
的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）与世界领先的独立定位威廉希尔官方网站
专家TomTom (TOM2)公司，宣布在意法半导体STM32* 开放式开发
2018-09-07 11:12:27
系统芯片的集成度达到空前水平，意法半导体拥有20多年的这能电表威廉希尔官方网站
沉淀， PLC和智能电表芯片出货量逾600万个。 相关新闻意法半导体(ST)电力线通信芯片组解决方案为新智能电力基础设施的推出铺平道路
2018-03-08 10:17:35
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
ST意法半导体意法半导体拥有48,000名半导体威廉希尔官方网站
的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM)，意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发
2022-12-12 10:02:34
晶闸管）、IGCT（集成门极换流晶闸管）、IEGT（电子注入增强栅晶体管）、IPEM（集成电力电子模块）、PEBB（电力电子积木）等。图表2 功率半导体器件分类方式及代表类型（来源：电力电子威廉希尔官方网站
2019-02-26 17:04:37
，更不会增加闪烁或改变颜色。新Neonode系列触控传感器采用意法半导体的可编程混合信号定制系统芯片(SoC)和STM32 Arm® Cortex®微控制器控制扫描激光二极管和IR光束，以确定手指、手或
2018-02-06 15:44:03
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-4 08:45 编辑
今天给大家带来的是意法半导体STM32系列以及STM8系列MCU的一些介绍和相关的资料手册，希望大家在这里能找到自己想要
2020-09-03 22:34:17
用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。由于其高响应和高精度，晶体管可用于各种数字和模拟功能，包括放大器、开关、稳压器、信号
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
、伊朗和南非）。 全系产品完全符合相关法规要求，尺寸精细，而且质量绝佳。光宝全系列的 Sigfox 认证模块都集成了兼具模块性能和效能的 S2-LP sub-1GHz 射频收发器，以及意法半导体
2018-07-13 11:59:12
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
和公交地铁票务。出门问问一直将改善用户体验、提高操作便利性放在首要位置。其TicWatch Pro系列旗舰智能手表集成了意法半导体ST21NFCDNFC控制器，通过ST 独有的NFC威廉希尔官方网站
，可确保在维持高射
2018-07-13 13:06:48
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
满足电机控制的需求，意法半导体以SLLIMM-nano系列产品形式提供多种功率开关威廉希尔官方网站
。 3.1. 内置续流二极管的IGBT SLLIMM-nano系列产品所用的600 V IGBT采用意法半导体
2018-11-20 10:52:44
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
中国，2018年8月8日——意法半导体推出符合LoRa-Alliance最新标准的LoRaWAN 1.0.3软件更新包，使STM32系列微控制器的I-CUBE-LRWAN扩展软件包保持最新、更加安全
2018-08-08 17:09:16
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些应用呢？如何去实现绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电磁兼容设计呢？
2022-01-14 07:02:41
本应用笔记为将意法半导体环境传感器 （气压、湿度、紫外线传感器）成功集成到Linux/Android 操作系统提供指南。
2023-09-05 06:08:58
半导体阵容的包括用于主逆变器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二极管、用于充电器的650 V超级结MOSFET、用于48V系统的80 V至200 V极低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
，掌握它们的特性和参数。本章从讨论半导体的导电特性和PN 结的单向导电性开始，分别介绍二极管、双极型晶体管、绝缘栅场效应晶体管和半导体光电器件等常用的半导体元器件。喜欢的顶一顶，介绍的非常详细哦。。。。[此贴子已经被作者于2008-5-24 11:05:21编辑过]
2008-05-24 10:29:38
到底什么是 IGBT？ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极 型晶体管，是由晶体三极管和 MOS 管组成的复合型半导体器 件。IGBT 作为
2021-02-24 10:33:18
的IO-Link，能更好地帮助设备互联互通。 传感与数据处理：作为MEMS和传感器威廉希尔官方网站
创新、生产及应用方面的领导者，意法半导体能够提供多种产品和定制化解决方案，以满足客户的不同需求。本次展会意法半导体将
2018-06-28 10:59:23
都不是实质问题。回来后，我偶然中发现了这个秘密。原来是有一个叫陈××的教授，在《电子节能灯与电子镇流器的原理和制造》一书中介绍了深爱半导体生产的BLD系列晶体管具有抗饱和防烧毁的功能，许多客户的工程威廉希尔官方网站
人员都在学习这本书，所以引起了市场的共鸣。
2009-12-17 10:27:07
晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
大家好，首次发帖。本人为意法半导体工程师，因为下面一个molding工程师要辞职，继续补充新鲜血液。要求：一.熟悉molding制程，需特别熟悉molding compound的性能为佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
小弟物理学本科应聘到深圳赛意法，想从事半导体封装这个行业，这家公司怎么样？
2013-06-14 19:24:04
意法半导体拥有最先进的平面工艺，并且会随着G4不断改进：• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率
2023-09-08 06:33:00
电子产品中，近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代，但目前在一些高保真音响器材中，仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 而晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多
2016-01-26 16:52:08
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
专利和商标局注册。相关新闻意法半导体的新STM32探索套件简化移动网至云端连接，并提供免费试用的第三方服务意法半导体(ST)新系列STM32L4+微控制器让下一代智能产品“吃得少，干得多”意法半导体
2018-07-09 10:17:50
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
绝缘栅双级晶体管IGBT
2012-08-20 09:46:02
的半导体开关器件。IGBT 晶体管采用了这两种类型的晶体管的最好的部分，高输入阻抗和高开关速度的 MOSFET 与低饱和电压的双极性晶体管，并结合在一起，产生另一种晶体管开关设备，能够处理大集
2022-04-29 10:55:25
进一步减少所需的组件。 凭借英飞凌50V LDMOS功率晶体管威廉希尔官方网站
，PTVA127002EV展现出了极高的能效：利用300微秒10%占空比脉冲进行测量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
意法半导体官方的库怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
ADCSTM32H725ZGT6，V 18664341585,ST/意法半导体，Arm®Cortex®-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB闪存，564
2023-10-16 15:52:51
栅双极晶体管」。 IGBT晶体管是半导体器件的一种，主要被用于电动汽车、铁路机车及动车组的交流电电动机的输出控制等领域。 IGBT晶体管是由BJT（双极型晶体或双极性晶体管，俗称三极管）和MOSFET（绝缘
2021-02-03 17:37:15
11198 栅型场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-05-20 15:19:12583 
绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ，是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体，使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:291491 
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:39:11595 如何去识别IGBT绝缘栅双极型晶体管呢？ IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种功率半导体器件，结合了双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的特点。IGBT通常用于高电压和高电流应用，例如工业
2024-01-12 11:18:10350
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