，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。 13、江崎二极管（Tunnel Diode） 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即
2016-11-11 14:24:30
功率、箝位电压易控制、击穿电压偏差小、高可靠性、易安装、小体积等优势，广泛应用于汽车电子、消费类电子、工业设备、家用电器、通讯设备等领域。TVS二极管种类繁多，型号齐全，功率400W到30000W甚至更高，且可提供高电流保护——1kA、3kA、6kA、10kA、15kA。`
2020-11-04 16:05:06
二极管简易直流稳压电路及故障处理二极管温度补偿电路及故障处理二极管控制电路及故障处理二极管限幅电路及故障处理二极管开关电路及故障处理二极管检波电路及故障处理继电器驱动电路中二极管保护电路及故障处理
2021-03-10 07:14:45
，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。13、江崎二极管 （Tunnel Diode）它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即
2018-08-22 11:36:57
以上的叫做中功率/大功率二极管。4. 按集成度分类我公司的强点是二极管排列，是指二极管集聚的复合二极管。最近我公司充实齐纳二极管，肖特基二极管的复合品等丰富系列。5. 按形状分类封装，实际安装形状
2019-04-12 00:31:05
时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率
2022-01-25 10:33:57
常被应用于微波领域的振荡电路中。13、江崎二极管（TunnelDiode它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由
2023-02-21 16:05:32
目标特性选择金属。FRD的使用：当功率MOSFET关断时，浪涌电流流过“浪涌吸收回路”，被电容吸收，电容的电荷通过“放电回路”放电。 该能量不会转移到次级侧，而是成为功耗。当电容器放电时，二极管的恢复
2021-09-20 07:00:00
范围。 我们正在开发使用下一代功率半导体 SiC 的高击穿电压和实用的 SiC 肖特基二极管。肖特基势垒的高度取决于连接到半导体的金属类型。 电气特性因金属种类而异。正向压降 VF 和反向漏电流 IR 之间
2022-04-12 15:53:31
雪崩二极管的原理雪崩二极管的作用
2021-03-10 07:05:13
雪崩二极管如何帮助防止过电压？雪崩二极管的噪声是如何产生的？
2021-06-18 09:24:06
）。 当二极管受到高反向电压时，它会经历雪崩击穿。 耗尽层上的电场因反向偏置电压而增加。 入射光进入p+区域，并在电阻性很强的p区被进一步吸收。这里形成了电子-空穴对。 这些夫妇的分离是由
2023-02-06 14:15:47
`编辑ZASEMI肖特基二极管MBR60200PT是肖特基二极管中非常常见的型号，TO-247封装，正向整流60A，反向耐压200V，正向压降0.87V，正向峰值浪涌电流500A，反向漏电流为
2021-04-29 16:26:23
和次级保护。三、再选用ESD静电二极管时，更多看的是ESD二极管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL，高速的USB和I/O非常重视ESD二极管的C；而选用TVS二极管时，看的是功率和封装形式。静电二极管规格书下载：
2022-05-18 11:23:17
1、它具有极快的响应时间，PS级的响应速度;2、大瞬态功率，击穿(导通)相当于开路，低漏电流和电容;3、击穿(导通)后相当于短路，击穿电压偏小4、可靠性高，并且具备双向对称特性5、TVS二极管体积小，安装方便，不占地方TVS二极管规格书下载：
2022-04-26 17:12:19
，施加规定波形的峰值脉冲电流IPP时，TVS二极管两端测得的峰值电压。VBR：击穿电压，是TVS管的最小雪崩电压。指在V-I特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT或接近发生雪崩的电流条件下测得TVS两端
2021-11-12 17:35:11
一、二者的相同点TVS是在稳压管工艺基础上发展起来的新产品，是一种新型的高效电路保护器件之一，具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力；稳压二极管（又名齐纳二极管），是利用PN结反向击穿状态，能在电流
2021-01-08 10:10:18
件之一，具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力；稳压二极管（又名齐纳二极管），是利用PN结反向击穿状态，能在电流变化大变化范围内，而保持电压稳定所研发出来稳压作用的二极管。从定义上来看，它们的共同点
2022-01-25 10:14:38
TVS二极管的正负极一般用万用表测量测量二极管的档位，单向侧有连接，双向两侧有电压;直流测量的雪崩击穿特性是双向对称的，只有反向单向的。一般来说，它测量在1mA。所有的TVS二极管经过放大后，都会有一个阴极线，用来区分二极管的正负极，它是独立于单极和双向的。TVS二极管规格书下载：
2021-12-17 11:51:05
TVS二极管，是在齐纳二极管工艺基础上发明的一种新型高效电路保护元器件，PS秒级的响应速度和高浪涌吸收能力是其核心优势。当瞬态电压抑制二极管的两端经受瞬间高能量冲击时，它以PS秒级的速度把两端间
2022-05-19 15:30:42
发生损坏或降级的。使用TVS二极管对设备实施ESD保护是一种方便、有效和可靠性高的途径，根据具体用途合理选择参数和集成度是成功应用的关键，另外优化的PCB设计也是必不可少的。浪拓电子`
2014-04-18 16:36:14
TVS的电路符号和普通的稳压管相同。其电压-电流特性曲线如图1所示。其正向特性与普通二极管相同,反向特性为典型的PN结雪崩器件。图2是TVS的电流-时间和电压-时间曲线。在浪涌电压的作用下,TVS
2018-11-15 15:33:58
功率。在给定的最大箝位电压下，脉冲峰值功率PPP越大，其浪涌电流的承受能力越大。 （6）结电容CJ：TVS二极管结电容CJ是由其硅片的雪崩结截面和偏置电压来决定的，是在特定频率（1MHz）下测得
2020-12-01 16:43:27
过电压保护器件的一种。瞬态二极管是在稳压二极管的基础上发明的，是一种新型高效的电路保护器件，专门用于抑制暂态过电压，具有优越的过电压防浪涌保护作用。电路正常工作时，瞬态二极管呈高阻态，不会影响电路的正产
2022-05-25 14:16:57
电容值比较小的TVS二极管。7）直流保护电路大多选单向TVS管，交流保护电路大多选双向TVS管、多路保护电路选TVS阵列器件，大功率保护电路选专用保护模块。8）在使用TVS管过程中，考虑到TVS的离散性，尽量减少串/并数量。
2020-10-21 16:32:24
1、要确定被保护电路中的最大直流或连续工作电压，电路的额定标准电压和“高端”容限；2、TVS二极管的额定瞬态功率要大于电路中可能出现的最大瞬态浪涌功率；3、TVS二极管的截止电压要大于被保护电路
2020-09-27 16:59:16
、喀啦声（IEC61000-4-4）EFT，和浪涌电压抗扰度（IEC61000-4-5）进行防护，从而保护电子电路的安全和可靠性，在保护领域中，有两种保护元件，一个是具有雪崩特性的TVS半导体二极管
2019-04-20 14:09:25
，和浪涌电压抗扰度（IEC61000-4-5）进行防护，从而保护电子电路的安全和可靠性，在保护领域中，有两种保护元件，一个是具有雪崩特性的TVS半导体二极管，一个是多层压敏电阻，为了合理使用，需对TVS
2013-08-02 16:18:30
TVS二极管，又称为瞬态抑制二极管，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值
2020-06-16 13:50:55
（瞬态电压抑制二极管），在稳压管工艺基础上发展起来的新产品，是一种新型的高效电路保护器件之一，具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力。稳压二极管（又名齐纳二极管），是利用pn结反向击穿状态，能在电流
2018-09-04 16:25:33
的高功率激光二极管，是用在激励大功率固态激光，以进行材料加工，或用于医学治疗上、数字印刷、艺术表演等。(4)980～1550纳米：此波段的激光二极管主要用砷化铝镓铟和砷磷化铟镓材料系列所制成，通常应用在
2013-07-15 17:37:11
`TVS二极管，又称为瞬态抑制二极管，是电子行业普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌保护吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS二极管能以极高
2019-03-28 11:35:22
功率PPP：脉冲峰值功率PPP是指脉冲峰值电流IPP与最大箝位电压VC的乘积，即PPP＝IPP×VC。它是TVS二极管能承受的最大峰值功率。在给定的最大箝位电压下，脉冲峰值功率PPP越大，其浪涌电流
2023-03-29 11:11:24
发光二极管与激光二极管在发光原理上有何差别？发光二极管与激光二极管在工作原理上有何差别？发光二极管与激光二极管在架构上有何差别？发光二极管与激光二极管在效能上有何差别？
2021-07-28 07:02:48
雪崩光电二极管放大器 APD 与 PIN光电二极管一样，使用四通道跨阻放大器来提供低噪声、高阻抗和低功耗。一些放大器提供温度灵活性以及出色的可靠性。所有这些品质使光电二极管有资格用于激光雷达
2023-02-06 14:19:01
小，可靠性不高等缺点。但是目前已有很大改善。 14. 什么是砷化镓二极管? 砷化镓材料早于碳化硅，目前砷化镓在LED上似乎有些应用，但是功率器件上却还比较少。 15. 二极管适合并联么
2016-11-14 20:04:40
单向TVS二极管的一端有一个细细的彩色环，并与正极连接;双向TVS二级管中间标有两个环，或无标志，无极性。双向TVS管可在正负方向吸收瞬时高脉冲功率，并将电压箝位到预定的电平。双向TVs管适用于
2021-01-19 17:21:52
、砷铝镓（GaAIAs）发光二极管等；按发光颜色来分有发红光、黄光、绿光以及眼睛看不见的红外发光二极管等；若按功率来区别可分为小功率（HG 400系列）、中功率（HG50系列）和大功率（HG52系列
2019-06-13 02:40:15
为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极LED芯片的发展管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向
2018-04-03 11:33:11
为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极LED芯片的发展管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向
2018-09-07 11:29:24
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑
发光二极管简称为LED。由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用
2012-07-12 15:40:31
耗散，因此降低了热和电传导损耗。它的高结温能力提高了高环境温度下或无法获得充分冷却的应用中的可靠性。肖特基二极管的应用:MBR系列肖特基势垒整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
在电子产品中，瞬态电压抑制器（TVS）二极管是保护敏感电路免受高压瞬变损坏的组件。因为TVS二极管采用大截面积结构成，用于吸收高瞬态电流。高压瞬变的主要来源是静电放电、电快速瞬变和浪涌事件。本说明
2023-02-08 15:33:05
砷化镓功率二极管是宽带隙半导体器件，其性能仅为碳化硅（SiC）的70%左右。本文对10kW LLC转换器中GaAs、SiC和超快硅二极管的性能进行基准测试，该转换器也常用于高效电动汽车充电
2023-02-21 16:27:41
瞬态二极管简称TVS，是一种二极 管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它 能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的 浪涌
2018-03-08 09:48:09
、场效应器件和特殊的肖特基二极管。以下是碳化硅特性：1）碳化硅单载波器件具有薄漂移区和低导通电阻，比硅器件小约100-300倍。由于导通电阻小，碳化硅功率器件的正向损耗小。2）碳化硅功率器件由于其高击穿
2023-02-07 15:59:32
如何识别普通二极管？晶体二极管的参数有哪些？普通二极管怎么使用？
2021-06-08 06:38:05
的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别。（7）频率特性由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使 PN 结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN 结面积越大，结电容也越大
2020-09-04 16:38:12
二极管分为同质结、单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低,输出功率高的优点,是目前市场应用的主流产品。 同激光器相比,激光二极管具有效率高
2011-09-23 15:20:10
变化时，通过连续性调整功率管压降来获得稳定的输出电压的一种电源，这种调整管工作时候处于线性放大状态，这种电路对于整流二极管反向恢复时间要求不是很高，因此这种电源整流二极管只要满足最大整流电流。最大反向
2023-02-17 14:08:01
的稳压二极管来更换。可以用具有相同稳定电压值的高耗散功率稳压二极管来代换耗散功率低的稳压二极管，但不能用耗散功率低的稳压二极管来代换耗散功率高的稳压二极管。例如，0.5W、6.2V的稳压二极管可以用1W
2021-07-07 14:58:27
请问一下怎样使用集成二极管和外部二极管呢？
2022-12-05 12:04:41
电流频率达到要求即可。二极管的基本特性是单向导电性。整流二极管的工作频率低，有电压和电流的要求指标。而普通二极管有许多种类，有的可用作为整流，有的可用作为检波、限幅、开关等，但不一定都能用作为整流。不过
2021-05-26 16:49:24
到达下游电路。在持续时间较长、上升时间慢的高压瞬变（如浪涌）过程中，在开关过压保护功能被激活、开关断开、使故障完全与下游电路分离之前，内部保护二极管会箝位开关的输出电压。常州鼎先电子有限公司电路保护器
2021-11-23 13:30:06
能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界
2018-09-25 11:30:29
和相同电阻值的砷化铝镓PIN二极管和砷化镓PIN二极管，砷化铝镓PIN二极管具有更小的结面积和更低的结电容，从而可提高电路性能。关于MACOMMACOM是一家新生代半导体器件公司，集高速增长、多元化和高
2018-03-22 10:59:54
一、瞬变抑制二极管瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极 管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它
2021-11-16 07:00:08
系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映瞬变二极管器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。
④电容量C
电容量C是瞬变二极管雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率
2023-04-25 16:58:23
电平信号，那麽单向TVS就足够了。TVS操作方式如下：正向浪涌时，TVS处于反向雪崩击穿状态；反向浪涌时，TVS类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量。这个时候需要参考TVS的正向导通峰值电流
2018-04-04 14:47:42
二极管时，看的是功率和封装形式；在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！TVS二极管规格书下载：
2020-12-24 14:55:58
二极管时，看的是功率和封装形式；在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！ESD二极管规格书下载：
2021-12-30 17:52:36
瞬态抑制二极管TVS是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS二极管能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗
2020-08-14 16:55:28
`TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当 TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以纳秒级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值
2014-04-16 08:55:11
瞬态二极管简称TVS，是一种二极 管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它 能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的 浪涌
2014-06-03 17:29:40
电压。第三，在规定的脉冲持续时间内，瞬态抑制二极管的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大钳位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。第四，对于数据接口电路的保护
2017-12-19 11:54:04
电压。第三，在规定的脉冲持续时间内，瞬态抑制二极管的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大钳位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。第四，对于数据接口电路的保护
2018-12-14 23:02:27
高压硅二极管具有低正向传导压降，但由于其反向恢复行为，会在功率转换器中造成显著的动态损耗。与硅相比，SiC二极管的反向恢复行为可以忽略不计，但确实表现出更高的体电容和更大的正向传导降。由于砷化镓威廉希尔官方网站
2023-02-22 17:13:39
)，动作精度高，无跟随电流(续流)，体积小，每次经受瞬变电压后其性能不会下降，可靠性高。b)缺点：由于所有功率都耗散在二极管的PN结上，因此它所承受的功率值较小，允许流过的电流较小。一般的TVS器件
2020-10-20 14:42:45
精度高，无跟随电流(续流)，体积小，每次经受瞬变电压后其性能不会下降，可靠性高。 b) 缺点：由于所有功率都耗散在二极管的PN结上，因此它所承受的功率值较小，允许流过的电流较小。一般的TVS器件的寄生电容
2019-08-14 11:44:38
，是一种新型的高效电路保护器件之一，具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力。从稳压二极管与TVS二极管的含义来判断，它们的共同点主要体现在：一、在一定范围内，均可以限制两端的电压；二、长时间运作耐流值几乎一样，均跟体积功耗相关联。稳压二极管规格书下载：
2022-04-15 18:01:26
常用的稳压二极管的外形与普通小功率整流二极管的外形基本相似。当壳体上的型号标记清楚时，可根据型号加以鉴别。当其型号标志脱落时，可使用万用表电阻挡很准确地将稳压二极管与普通整流二极管区别开来。具体方法
2021-08-16 17:04:51
击穿前通过反向特征和PN结雪崩效应,他们都有稳定电压反向接入电路的功能,但是它们不是相同的。稳压二极管用于固定输入电压在某一值，TVS二极管主要用于防止瞬态高压对箝位后电路;3.响应时间一般来说
2021-12-21 11:16:32
。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10ns数量级；适用于低电压（小于50V）的功率电子电路中（当电路电压高于100V以上时，则要选用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
值、温度系数及耗散功率等等。所以肖特基二极管与稳压二极管两个完全不一样，肖特基二极管做开关用，特点是正向导通电压低，可工作与高频开关的场合。稳压二极管起稳压作用，应用场合大多为并联在电源、IC器件两端，防止过电压，起保护作用。肖特基二极管规格书：
2020-09-25 15:38:08
时，流过二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。3.额定电流IF：指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。4.最大浪涌电流IFSM：允许流过
2022-01-24 11:27:53
肖特基二极管一种应用电路，这是肖特基二极管在步进电动机驱动电路中的应用。利用肖特基二极管的管压降小、恢复时间短的特点，这样大部分电流就流过外部的肖特基二极管，从而集成电路内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基二极管规格书下载：
2021-04-12 17:25:17
肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，*高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件
2021-11-16 17:02:37
一、对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路。二、应用电路的峰值工作电压应小于MDD肖特基二极管的最高反向击穿电压Vrrm。三、应用电路内的MDD肖特基二极管的实际工作温升应小于
2021-06-15 15:33:58
、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。1） 整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。2
2016-03-22 14:55:18
解答二极管和稳压二极管的使用区别：电子系统的应用当中，电压及电流的瞬态干扰会经常造成电子设备的损坏，瞬态干扰的显著特点是作用时间极短，但电压幅度高、瞬态能量大，所以破坏性很大。为了防止这种破坏
2016-01-22 16:21:09
今天用升压模块把5V升压到150V，供给ad500-8雪崩二极管做偏置电压，但是接上后 被拉低到了70v左右，什么原因呢？
2018-04-08 23:04:31
我设计的激光测距仪的接收部分采用雪崩光电二极管，能不能用AD549L？偏置模块怎么设计？
2018-12-03 16:10:26
什么是雪崩光电二极管？雪崩光电二极管反向电流的测量介绍
2021-04-09 06:38:04
我发现现在大家在选型这个二极管的时候，一般都是采用那种快恢复的二极管，有些场合明明不需要高速的快恢复二极管，但是大家也一样的采用了，看来是不是快恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了？
2019-05-16 00:12:23
的瞬态脉冲是不可重复施加的。 TVS选型指南1、要确定被保护电路中的最大直流或连续工作电压，电路的额定标准电压和“高端”容限；2、TVS二极管的额定瞬态功率要大于电路中可能出现的最大瞬态浪涌功率；3
2020-12-04 17:02:54
TVS二极管与齐纳二极管（稳压二极管）： TVS二极管和稳压二极管在电路都是反向接入，也就是利用它的反向特性，利用PN结雪崩效应，在反向击穿前均有一个临界电压，在反向接入电路都具有稳压作用，但是也
2021-03-17 15:54:01
测量的电压是齐纳电压。假设反向偏置电流不超过器件的热限制，二极管可以承载大量电流，同时在负载两端保持稳定的电压。六、雪崩击穿和齐纳击穿的差异雪崩击穿是由耗尽区电子之间的碰撞引起的，而齐纳击穿是由高电场
2023-02-02 16:52:23
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