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如何降低SiC/SiO₂界面缺陷

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搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模块介绍

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333

SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

  在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032102

R课堂 | 使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证 —前言—

关键要点 ・ SiC MOSFET因其在降低功率转换损耗方面的出色表现而备受关注。 ・ 以DC-DC转换器和EV应用为例,介绍使用新一代(第4代)SiC MOSFET所带来的优势–降低
2023-02-15 23:45:05343

破解SiC MOS难题,新威廉希尔官方网站 减少50%碳残留

近日,韩国企业EQ TechPlus宣布,他们开发了一种下一代氧化膜沉积设备,用于大规模生产SiC功率半导体,与采用传统高温热氧化设备相比,该设备可以将SiC界面碳含量降低约50%。
2023-06-13 16:46:14452

6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.5.5界面的不稳定性∈《碳化硅威廉希尔官方网站
2022-01-21 09:35:56706

5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征威廉希尔官方网站 《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.2.3扩展缺陷SiC器件性能
2022-01-06 09:27:16693

5.2.3 扩展缺陷SiC器件性能的影响∈《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.2.3扩展缺陷SiC器件性能的影响5.2SiC的扩展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征威廉希尔官方网站 《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621

浅析SiC MOS新威廉希尔官方网站 :沟道电阻可降85%

我们知道,SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题,最近,日本东北大学提出了一项新的外延生长威廉希尔官方网站 ,据说可以将栅氧界面缺陷降低99.5%,沟道电阻可以降低85.71%,整体SiC MOSFET损耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49612

照明的绿色革命--降低制造过程中的缺陷

电子发烧友网站提供《照明的绿色革命--降低制造过程中的缺陷率.pdf》资料免费下载
2023-11-02 09:55:250

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333

揭示界面导电网络对锂离子电池SiO基负极快充性能影响的基本机理

高导电性的界面可以改善一氧化硅(SiO)的快充性能,但是目前为止,界面导电网络质量如何影响输运行为、力学稳定性,以及微观结构与性能之间的量化关系的潜在机制尚未得到系统的研究和理解。
2023-12-12 09:21:15321

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC概述(生长、特性、应用)、Bulk及外延层缺陷、光致发光/拉曼光谱法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光学显微镜,TEM,SEM/散射光等表征方法。
2023-12-28 10:38:03487

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