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一文解析GBT激光退火威廉希尔官方网站

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离子注入工艺之退火处理

高温炉广泛用于进行注入后的热退火。高温炉的退火处理是一个批量过程,在850摄氏度至1000摄氏度情况下,通常约30min能处理100片晶圆。
2023-05-22 09:56:592495

激光诱导退火(LIA)威廉希尔官方网站 可快速碳化导电衬底上的MOF

(MOF)热转化需要高温、惰性气氛、持续时间长,导致金属颗粒严重聚集,多孔结构不均匀。 来自南洋理工大学等单位的研究人员, 介绍了一种高精度、低成本的激光诱导退火(LIA)威廉希尔官方网站 ,它能消除颗粒聚集,快速生成均匀的结构,且活性
2023-06-16 14:07:55782

量子芯片激光手术刀

近日,本源量子成功研制国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪(简称“激光退火仪”),该仪器可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素,像“手术刀”一样精准剔除量子芯片中的“瑕疵
2023-01-12 16:46:43430

激光退火工艺在IGBT制造中的应用

激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT圆片背面进行激光快速退火,实现激活深度,有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT威廉希尔官方网站 发展和薄片加工工艺研发
2023-05-16 10:45:11897

基于激光的3D全息威廉希尔官方网站 原理解析

摘要 :自从激光威廉希尔官方网站 问世以来,全息威廉希尔官方网站 在基于激光良好的相干性的基础上得到了蓬勃的发展。全息威廉希尔官方网站 的日渐成熟,使得投影威廉希尔官方网站 逐渐走向真正的3D世界。
2023-09-19 15:34:16932

激光焊锡威廉希尔官方网站 在IGBT引脚模块焊接的应用

GBT模块、中压GBT模块以及低压GBT模块。其中激光焊锡加工后的低压GBT模块主要应用在消费电子领域,中压GBT模块应用在家电、新能源汽车领域;高压GBT模块应用在智能电网、风力发电等领域。   现有的IGBT模块封装焊接结构主要采用两种方式:一种是
2023-10-23 16:26:191034

GBT 17626静电放电抗扰度试验

GBT17626静电放电抗扰度试验
2023-08-07 16:50:441

热浪来袭:快速热退火如何重塑微电子界

快速热退火工艺(Rapid Thermal Annealing, RTA)是一种在半导体制造中常用的处理工艺,特别是在硅基集成电路的生产过程中。它主要被用于晶圆上薄膜的退火,以改善薄膜的电学性能,减少杂质和缺陷,或改变材料的结构。与传统的长时间炉退火相比,RTA有其独特的优势。
2023-11-11 10:53:22386

向阳生长的激光熔覆威廉希尔官方网站 解析

激光威廉希尔官方网站 飞速发展的时代,大族光子凭借多年来在激光熔覆威廉希尔官方网站 的高功率光源中的深耕,以及在增材制造熔覆行业的沉淀和积累,积极布局推出了熔覆专用的激光器及行业解决方案,为激光制造应用及科技进步贡献力量
2023-12-08 12:59:49195

MEMS工艺中快速退火的应用范围和优势介绍

在MEMS工艺中,常用的退火方法,如高温炉管退火和快速热退火(RTP)。RTP (Rapid Thermal Processing)是一种在很短的时间内将整个硅片加热到400~1300°C范围的方法。
2024-03-19 15:21:05122

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