65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
200℃。
1972年，基于氮化镓材质的 LED 发光二极管才被发明出来（使用掺有镁的氮化镓），。这是里程碑式的历史事件。虽然最初的氮化镓 LED ，它的亮度还不足以商用，但这是人类第一次制备出能够发出蓝
2023-06-15 15:50:54
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着威廉希尔官方网站
的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新威廉希尔官方网站
有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80％的能源，而2005年这一比例仅为30％1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
结构可以使用双栅结构控制电流。用于电机驱动的矩阵转换器可以通过利用双向设备潜在地减少开关的数量。此外，氮化镓器件可以在比硅器件更高的温度下工作，这使其成为许多热门应用(如集成电机驱动)的有吸引力的选择
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的威廉希尔官方网站
接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带威廉希尔官方网站
如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化镓充电器从最开始量产至今，已过去了四年多，售价也从原本数百元天价到逐渐走向亲民，近日发现，联想悄然地发动氮化镓快充价格战，65W 双口氮化镓快充直接将价格拉低至 59.9 元，一瓦已经不足一元
2022-06-14 11:11:16
由於寬能隙功率元件的優異切換性能，近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題，如：究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效率的提升幫助有多少？原先所使用的以矽為基礎的元件在更複雜的拓撲與控制機制，是否需要
2019-09-19 09:05:03
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体威廉希尔官方网站
解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
`从研发到商业化应用，氮化镓的发展是当下的颠覆性威廉希尔官方网站
创新，其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响，并实现了利用传统半导体威廉希尔官方网站
无法实现
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
的数十亿次的查询，便可以获得数十亿千瓦时的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新威廉希尔官方网站
有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世纪四大发明之一，半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器，具有体积小、成本低、寿命长等优势，是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器（LD）是重要的光电子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化镓电源设计从入门到精通，这个系列直播共分为八讲，本篇第六讲将为您介绍EMC优化和整改技巧，助您完成电源工程师从入门到精通的蜕变。前期回顾（点击下方内容查看上期直播）：- 第一讲：元器件选型
2021-12-29 06:31:58
射频半导体威廉希尔官方网站
的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)威廉希尔官方网站
在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处？
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他威廉希尔官方网站
相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，只应用在高端充电器上。一些小功率的，高性价比的充电器无法享受到氮化镓性能提升所带来的红利。目前，国内已经有多家厂商推出了用于33-100W大功率充电器的合封芯片，通过将氮化镓开关管，控制器以及驱动器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、威廉希尔官方网站
成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率威廉希尔官方网站
，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化镓威廉希尔官方网站
。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上，MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫表示，硅衬底有一些优势，材料便宜，散热系数好。且MACOM在高性能射频领域
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳达优势供应NV6115氮化镓MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器丝印1342AMDCD。产品信息1、NV6115氮化镓MOS丝印：NV6115芯片介绍：NV6115氮化镓MOS，是针对
2021-01-08 17:02:10
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
由于换了三星手机，之前的充电器都不支持快充了，一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器，「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的充电器，这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展威廉希尔官方网站
编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
Canaccord Genuity预计，到2025年，电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50％或更多。本文将探讨氮化镓（GaN）电子器件，也涉及到一点碳化硅（SiC），在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅威廉希尔官方网站
相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发威廉希尔官方网站
备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端威廉希尔官方网站
将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
，其中第一梯队有纳微、EPC等代表企业。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而，现在还有什么是阻碍氮化镓器件发展的不利因素呢？[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
图片所示，列出了几个厂家，基本上都是欧美的。国产有哪些品牌也在做？3.硅、碳化硅、氮化镓这三种材料其实是各有优缺点，传统的硅组件不一定都是缺点。他们三之间有哪些优缺点呢？（百度的东西不够系统全面，都是很散的回复，而且有些论文罗里吧嗦讲了很多，没说重点，不够简洁）
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案，或者将遇到威廉希尔官方网站
挫折归咎为芯片本身设计问题，尽管不排除芯片可能存在不适用的领域，但是大部分时候是应用层面的问题，和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。第一步：元器件选型对于工程师来说，GaN元器件相较于传统的MOSFET而言有很多不同和优势，但在设计上也带来一定挑战。课程从硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
OPPO公司分享了这一应用的优势，一颗氮化镓可以代替两颗硅MOS，体积更小、更节省空间，且阻抗比单颗硅MOS更低，可降低在此路径上的热量消耗，降低充电温升，提升充电的恒流持续时间。不仅如此，氮化镓有
2023-02-21 16:13:41
氮化镓完整方案有深圳市展嵘电子有限公司提供，包括45W、69W单口、多口全协议输出适配器，更有87W适配器+移动电源超级快充二合一方案。总有一款适合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
氮化镓(GaN)和射频(RF)能量应用为工业市场带来重大变革。以前分享过氮化镓如何改变烹饪、等离子体照明和医疗过程，接下来在日常生活中的射频能量系列中分享下氮化镓如何用于工业加热和干燥。从工业角度
2018-01-18 10:56:28
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动GaN增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）的栅极与驱动硅（Si）MOSFET的栅极有相似之处，但有一些有益的差异。 驱动氮化镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09
前言
橙果电子是一家专业的电源适配器，快充电源和氮化镓充电器的制造商，公司具有标准无尘生产车间，为客户进行一站式服务。充电头网拿到了橙果电子推出的一款2C1A氮化镓充电器，总输出功率为65W，单口
2023-06-16 14:05:50
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端威廉希尔官方网站
将功率级
2022-11-10 06:36:09
氮化镓(GaN)是一种全新的使能威廉希尔官方网站
，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓威廉希尔官方网站
2023-06-25 14:17:47
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
射频半导体威廉希尔官方网站
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成为接替传统LDMOS威廉希尔官方网站
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2019-09-02 07:16:34
，降低LED的光度。学术界希望把硅和氮化镓整合在一起，但是有困难，主要困难是镓与硅之间的大晶格失配。由于很高的缺陷密度，54%的热膨胀系数，外延膜在降温过程中产生裂纹。金属架直接与硅衬底结束时会有化学
2014-01-24 16:08:55
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
无可争议的冠军。它已经在雷达和5G无线威廉希尔官方网站
中得到了应用，很快将在电动汽车的逆变器中普及。你甚至可以买到基于氮化镓的USB壁式充电器，它们体积小且功率非常高。不过，还有比它更好的东西吗？有能让射频放大器变得
2023-02-27 15:46:36
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
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搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的威廉希尔官方网站
，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
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2018-08-30 15:05:50
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
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