晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化,到正面氮化硅钝化,再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的 PERC/PERL设计。虽然这一结构暂时缓解了背面钝化的问题,但并未根除,开孔处的高复合速率依然存在,而且使工艺进一步复杂。
2016-01-11 09:53:4911053 单片机控制大电流器件,这是嵌入式设计当中很常见的威廉希尔官方网站
,单片机属于低功耗微处理器,I/O口的输出电流一般都10mA以内。若想将微弱的电流进行放大控制,一般采用三极管、MOS管、光耦等之类的器件。比如达林顿晶体管,是三极管复合管,放大倍数可达上万倍,是非常好用的器件。
2023-09-14 09:09:442214 分析完阈值电压的机制后,下面我们重点分析一下MOS器件的电压、电流与阈值电压之间的关系。
2023-11-29 14:42:33999 , ALN系列低噪声放大器由分立或MMIC PHEMT器件构成,可在该频率下工作范围从18到100 GHz。 这些放大器专为低噪声应用而设计。 放大器提供在两个类别,即标准和定制。 定制的放大器提供各种RF
2018-12-03 11:25:25
, ALN系列低噪声放大器由分立或MMIC PHEMT器件构成,可在该频率下工作范围从18到100 GHz。 这些放大器专为低噪声应用而设计。 放大器提供在两个类别,即标准和定制。 定制的放大器提供各种RF
2018-12-03 11:38:51
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2018-12-03 14:11:55
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2018-12-03 14:14:02
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2018-12-03 14:16:14
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2018-12-03 14:18:22
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2018-12-03 14:23:38
分析电流检测运放电路,输入电流I和输出电压Vout的关系
2023-08-21 22:01:00
` 谁来阐述一下电流型驱动器件有哪些?`
2019-11-04 16:30:58
这几天才学的AD,在绘制一个AMOLED驱动电路,想给原理图添加一个电流源,但是器件库里面找不到,请问电流源本来就有还是说要自己添加,如果已有的话请问在哪个库里面,求老司机带一程,多谢了!
2016-03-13 17:56:18
急!!问一下大家这个恒流源的电路图怎么分析?怎么就实现了恒定电流输出?以下是原文:通过电流采样反馈为电流驱动单元提供有源控制。该恒流源VIN上的负电压控制该运算放大器,并提高此器件输出端电压。放大器
2021-08-10 11:18:59
BL1101ALN - BL1101 - SHANGHAI BELLING CO., LTD.
2022-11-04 17:22:44
CS2842ALN8 - Off-Line Current Mode PWM Control Circuit with Undervoltage Lockout - ON Semiconductor
2022-11-04 17:22:44
CS2843ALN8 - Off-Line Current Mode PWM Control Circuit with Undervoltage Lockout - ON Semiconductor
2022-11-04 17:22:44
CX3322A二手CX3322A器件电流分析仪CX3322A CX3322A二手CX3322A器件电流分析仪CX3322A CX3322A二手CX3322A器件电流分析仪CX3322A 东莞市佳华
2021-01-09 19:50:11
CYT6166ALN - 150mA CMOS LDO Regulator (Preliminary) - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
lGPP主要流程喷砂清洗后的扩散片→一次光刻→沟道腐蚀→清洗→涂玻璃粉→钝化→(电性初检)→二次光刻→镀镍(镀金)→电性检测(测片)→划片裂片l主要设备:光刻机、匀胶机、钝化炉、甩干机、烘箱、划片机
2011-05-13 22:01:41
of an apparats(器件)词组的缩写,是玻璃钝化类器件的统称,它泛指引入或包含有结质膜保护工艺手段的所有有源器件。但是,由于玻璃钝化工艺措施对结界面裸露于体外的多种平面类二极管应用效果更为显著,并且
2011-05-13 19:09:35
HI3-574ALN-5 - Complete, 12-Bit A/D Converters with Microprocessor Interface - Intersil Corporation
2022-11-04 17:22:44
ICL101ALN - N-CHANNEL JFET - Intersil Corporation
2022-11-04 17:22:44
ICL108ALN - N-CHANNEL JFET - Intersil Corporation
2022-11-04 17:22:44
Keysight CX3324A回收器件电流波形分析仪曾S:***;Q号:3140751627;Keysight CX3324A 器件电流波形分析仪Keysight CX3322A 器件电流波形
2021-07-03 10:57:43
SMH4042S-ALN - Hot Swap™ Controller - Summit Microelectronics, Inc.
2022-11-04 17:22:44
的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1 mA下击穿电压达到了65 V,40 V下反向漏电流为20μA。为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷
2009-10-06 09:48:48
W91320ALN - TONE/PULSE DIALER WITH HANDFREE LOCK AND HOLD FUNCTION - Winbond
2022-11-04 17:22:44
W91330ALN - TONE/PULSE DIALER WITH HANDFREE LOCK AND KEY TONE FUNCTION - Winbond
2022-11-04 17:22:44
W91531ALN - 13-MEMORY TONE/PULSE DIALER WITH SAVE, KEYTONE, LOCK,AND HANDFREE FUNCTION - Winbond
2022-11-04 17:22:44
W91561ALN - 3-MEMORY TONE/PULSE DIALER WITH SAVE, KEYTONE, LOCK AND HANDFREE FUNCTIONS - Winbond
2022-11-04 17:22:44
W91810ALN - 23-MEMORY TONE/PULSE DIALER WITH HANDFREE, LOCK AND HOLD FUNCTIONS - Winbond
2022-11-04 17:22:44
W91811ALN - 23-MEMORY TONE/PULSE DIALER WITH HANDFREE, LOCK AND HOLD FUNCTIONS - Winbond
2022-11-04 17:22:44
W91F810ALN - 23-FLASH MEMORY TONE/PULSE DIALER WITH HANDFREE, LOCK AND HOLD FUNCTIONS - Winbond
2022-11-04 17:22:44
W91F811ALN - 23-FLASH MEMORY TONE/PULSE DIALER WITH HANDFREE, LOCK AND HOLD FUNCTIONS - Winbond
2022-11-04 17:22:44
W91F820ALN - 13-FLASH MEMORY TONE/PULSE DIALER WITH HANDFREE, LOCK AND HOLD FUNCTIONS - Winbond
2022-11-04 17:22:44
40A 电流 20 次 脉冲电流冲击从可靠性角度来看如果冲击电流大于 25A 以上的应用场合 ,均需评估和分析考虑可靠性问题。连接器对于有弹性要求连接器(如网口)接插件材料一 般选用铍青铜(CuBe
2017-12-28 13:13:38
电子元器件的可靠性是电子装备可靠性的基础,通过电子元器件的失效分析确定其失效机理,找出失效原因,反馈给客户,研究纠正措施,提出改进设计和制造工艺的建议,防止失效的重复出现,提高元器件和整机的可靠性
2017-06-01 10:42:29
什么是电流控制器件?什么是电压控制器件?为什么BJT是电流控制器件而FET和MOS是电压控制器件?
2021-09-30 09:06:31
击穿电压仿真工具中实现,因此假定电荷为零。采用深P-区域可减少轴向寿命杀伤器(如氦气或质子)的泄漏电流,并使器件在硬开关条件下具有鲁棒性。图 1:1700V 器件的平面结 VLD 端接的横截面。图 2
2023-02-27 09:32:57
想要一个系统能把电流完整波形实时通过ZigBee无线传输到电脑中的软件进行故障分析,请问一下这样可行吗,需要哪些元器件?
2016-08-04 10:49:06
元器件失效分析的几个关键点
2021-06-08 06:12:14
什么是刀具钝化通过对刀具进行去毛刺,平整,抛光的处理、从而提高刀具质量和延长使用寿命。刀具在精磨之后,涂层之前的一道工序,其名称目前国内外尚不统一,有称“刃口钝化”、“刃口强化”、“刃口珩磨
2018-11-27 16:34:01
最近在搞一个项目,需要判断器件的工作状态,想到了使用检测电流的方法来判断器件的工作状态,但是选了半天也没有找到合适的检测方法,霍尔器件的电流范围太大,而且还占地方,请勿各位高手有没有什么好的方法推荐一下,检测的是220v交流电源。
2016-07-15 08:47:10
①采样率可调;②保存的短路电流波形数据含有故障1s的负荷电流波形数据;③保存文件必须带短路时的日期和时间;④具有计算电流增量、电流变化率和时间常数的功能;⑤具有频谱分析和小波分析功能;⑥连上采集卡,就能正常工作。
2015-05-13 16:35:11
电流互感器弄出来的是交流信号,请问ISAMP1处的电压情况是怎样的,能分析下吗
2019-06-19 09:29:34
编辑-ZD30XT100在DXT-5封装里采用的玻璃钝化硅整流二极管芯片,外壳采用环氧树脂,是一款大电流、电机专用整流桥。D30XT100的浪涌电流Ifsm为350A,漏电流(Ir)为10uA,其
2021-09-01 08:59:18
下有效。仅依据这些数据会给实现和设计带来重大风险,特别是热量设计。必需在实际环境中分析部件特点,在这些环境中,电源元器件很少保持在理想的环境温度之下。 设计的这个阶段没有原型,很难仿真预计的额定电流
2016-08-18 16:23:38
(m),如表3。并根据表3,得到寿命因子与二极管结电容的关系曲线和趋势线,见图2。 分析上述数据,不同的二极管有着不同的载流子寿命因子m值,但m值与二极管的击穿电压、器件结构以及钝化材料没有太大的关系
2011-07-17 19:25:41
网格电流分析电路减少数学运算量的一种简单方法是使用Kirchhoff的“电流定律”方程分析电路,以确定在两个电阻器中流动的电流I 1 和 I 2。这样就无需将电流I 3仅仅计算为I 1 和 I 2
2020-10-05 11:45:49
芯片表面铝层与钝化层间存在分层现象是否属于异常,是异常的话哪些原因会导致这样的现象
2022-07-12 09:03:53
电流互感器弄出来的是交流信号,请问ISAMP1处的电压情况是怎样的,能分析下吗
2019-05-24 09:10:24
请问小型电池供电器件中低静态电流的设计挑战是什么?
2021-06-17 07:49:23
运放参数的详细解释和分析:输入偏置电流和输入失调电流
2021-01-06 07:18:11
10ms(0.01S)的那条2S2P对应曲线,得到的。 冲击电流引起BTS5020-2EKA的温升 = 小于器件给出的最高结温要求。 以上的分析都是在最差情况下通过,所以可以认为
2018-12-06 10:07:19
【不懂就问】既然二极管都是典型的非线器件,流过它两端的压流呈指数曲线,弯曲着上升、下降那为什么在平时分析模拟电路时,即使大电压、大电流通过它(或者其他功率开关器件)时,我们并没有按照非线的器件来分析
2018-11-08 13:57:58
全桥谐振电流源的分析与设计:为提高频率、减少开关损耗覆EMI,谐振变换器得到了广泛的压用。本文分析了感性负载下垒桥逆变电流源的各个工作模式,重点分析了谐振等效电
2009-11-13 21:04:4358 钝化依然是提高不锈钢零部件基本防腐性能的关键一步。它可以让零部件具有满意的性能,也可以使它过早发生故障。如果操作不正确,钝化实际上会导致腐蚀
2009-12-10 11:19:3616 对一张奇特的故障电流录波图的分析
通过对一张“故障电流录波图”中短路电流数值和相位变化的分析,从多方面分析其变化的原因,总结出了分
2009-07-20 14:45:39866 摘要:通过对硅片的少数载流子有效寿命、硅太阳电池的反射损失和光谱响应这三个方面的研究,比 较了目前主要的硅太阳电池表面钝化威廉希尔官方网站
,对这些钝化威廉希尔官方网站
的优缺点进行了分析和评价。从上述三个方面 的比较可以看出,R T O / S i N x 堆叠钝化威廉希尔官方网站
在提高硅太阳
2011-03-04 11:59:3352 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优化工艺参数,得到了提高薄膜择优取向的
2011-06-24 16:31:030 本内容提供了半导体器件的分析与模拟
2011-12-15 15:59:5048 和 14 或 16 位宽动态范围。Keysight CX3300 系列电流波形分析仪 是一款新仪器,特别适合在先进器件表征过程中进行高速瞬变电流测量的研究人员、以及致力于降低低功率器件功率/电流消耗的工程师使用。
2016-03-31 18:08:30750 ALN64535数据手册_英版,有需要的朋友下来看看
2016-08-24 18:31:470 通过对硅片的少数载流子有效寿命、硅太阳电池的反射损失和光谱响应这三个方面的研究,比较了目前主要的硅太阳电池表面钝化威廉希尔官方网站
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的优缺点进行了分析和评价。从上述三个方面的比较可以看出,RTO/SiN x 堆叠钝化威廉希尔官方网站
在提高硅太阳电池性能上是最优的,具有良好的应用前景。
2017-11-07 11:48:048 器件分别提出了低通态压降和高短路关断能力的要求。分析了换流阀用压接型IGBT器件和直流断路器用压接型IGBT器件外部和内部电流、电压、温度和压力的差异,总结了两种器件应用过程中可能存在的主要失效原因,提出了封装设计中需要重点考
2018-01-05 13:33:260 钝化层刻蚀对厚铝铝须缺陷影响的研究
2018-03-06 09:02:505607 首先,采用抽真空充金属锂保护气体的干燥熔锂罐加热金属锂锭至其熔融成液态金属锂;其次,在钝化罐内制备钝化金属锂微球,具体方法为:在所述钝化罐内形成冷却钝化气流,所述冷却钝化气流是由金属锂保护气混合钝化剂形成的
2018-10-04 14:42:006530 典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节:外延生长-器件隔离-欧姆接触(制作源极、漏极)-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。
2018-10-26 17:33:0610616 速途网1月25日消息(报道:乔志斌)近日,有自媒体在朋友圈质疑猎豹移动CEO傅盛,表示“公司都做没了,还不忘做秀”,还有自媒体设问傅盛人设何时崩塌。傅盛今日发布朋友圈回应,指责键盘
2019-01-27 11:17:01162 网友问答与大家共享:共修善师父你提到钝化的问题,我的问题是那些钝化可以通过你讲的方法修复,机理是什么?另外DOD英文全称是什么?电池修复钝化:活性物质空间结构变化导致电化学特性的改变。活性物质
2019-04-28 19:01:411142 数控刀具不是越快越好,为什么要进行钝化处理呢?其实,刀具钝化并不是大家字面理解的意思,而是提高刀具使用寿命的方式。
2019-12-28 11:26:163019 近日,中南大学汪炼成教授(通讯作者)课题组采用MOCVD 在蓝宝石(002)上外延生长了1.5 m厚的AlN材料,AlN材料相关参数测试为电子浓度11014 cm-3,电子迁移率135
2020-06-15 15:37:271175 《涨知识啦19》---HEMT 的电流崩塌效应 在之前的《涨知识啦》章节中,小赛已经介绍了GaN材料中极化效应以及二维电子气(2DEG)的产生原理。因2DEG具有超高的沟道迁移率,所以2DGE可以
2020-09-21 16:35:441856 现代高速切削加工和自动化机床对刀具性能和稳定性提出了更高的要求,特别是涂层刀具在涂层前必须经过刀口的钝化处理,才能保证涂层的牢固性和使用寿命。
2020-09-08 11:44:194006 不锈钢钝化膜具有动态特征,不应看作腐蚀完全停止,而是在形成扩散的保护层,通常在有还原剂(如氯离子)的情况下倾向于破坏钝化膜,而在氧化剂(如空气)存在时能保护和修复钝化膜。
2020-11-04 11:53:1210425 Hi 小伙伴们,上一篇我们讲了关于散热的一些应用基材,这一篇我们将重点介绍在光通信行业被广泛应用的ALN陶瓷,从器件基板,薄膜电路,散热基板,到陶瓷封装等等,我们都能随处可见。
2020-12-25 16:16:122293 机器人关机后没有急停反馈故障,原因是机器人在操作选择关机时,如果网络还处于连接状态时会出现钝化,但此时WINCC诊断界面不会显示钝化!,这是因为新的标准的以下处理会将钝化点短接!
2021-01-18 14:13:371404 地质灾害易发性评价作汋预测地质灾害发生概率的重要手段被中外学者广泛应用。以陕西省神木市为研究区,在分析了研究区地质环境、人类活动与崩塌形成条件的基础上选取了髙程、坡度、坡向、降雨量、距水系距离
2021-04-30 15:25:390 在 F 系统钝化 F-I/O 或 F-I/O 的通道时,如果要钝化其它 F-I/O,则可使用 PASS_OUT/PASS_ON 变量对相关 F-I/O 进行组钝化。
2021-06-30 17:22:565262 崩塌、滑坡、泥石流国家监测规范下载
2021-09-01 11:42:450 引言 AlN、GaN及其合金因其宽带隙和独特的性能被广泛应用于光电子领域,例如基于AlGaN的紫外线发光二极管(UV-LEDs) ,激光二极管(LD),AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管
2022-01-14 11:16:262494 该研究团队在FAPbI3前驱液中引入了一系列镉盐,特别以醋酸镉为代表的添加剂,能够起到协同钝化材料的缺陷并优化器件能带结构等作用。
2022-12-21 14:51:30449 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)MX574ALN+相关产品参数、数据手册,更有MX574ALN+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,MX574ALN+真值表,MX574ALN+管脚等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-01-12 18:02:42
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)MX7545ALN+相关产品参数、数据手册,更有MX7545ALN+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,MX7545ALN+真值表,MX7545ALN+管脚等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-01-18 18:57:23
通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现,PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性;但是由于材料属性和生长工艺的局限性
2023-02-14 09:16:411278 绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示, AlGaN/GaN异质结采用MOCVD威廉希尔官方网站
在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到,由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、1nm AlN界面插入层、22nm AlGaN势垒层、及2nm GaN帽层,势垒层铝组分设定为30%。
2023-02-14 09:31:161496 AlN基器件的热阻抗降至AlN/蓝宝石基器件的1/3(从31K-mm/W压降至10K-mm/W),与SiC和铜散热器相当,相较于其他半导体器件体现出显著的热电协同设计优势,从而实现峰值漏极饱和电流
2023-05-25 09:51:23601 近期,美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)器件。
2023-05-25 10:13:09679 衬底材料和GaN之间纯在较大的晶格失配和热失配,外延层中往往存在大量的缺陷,使得HEMT器件中存在较强电流崩塌效应,影响器件的性能发挥。
2023-06-14 14:00:551654 近日,日本化工企业旭化成(Asahi Kasei)旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布,公司生产出了首款4英寸氮化铝(AlN)衬底,展示了公司生长氮化铝块状单晶工艺的可扩展性,以满足各类应用的生产需求。
2023-08-29 14:37:29849 碲镉汞(MCT)材料的表面钝化是红外探测器制备中的关键工艺之一。高性能MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面。因此,探究MCT表面钝化威廉希尔官方网站
具有重要意义。国际上,MCT钝化
2023-09-12 09:15:46358 送电电压电流核相、测相量及分析
2023-11-17 09:41:33264 通过有效控制AlN薄膜与Si衬底之间的界面反应,利用脉冲激光沉积(PLD)在Si衬底上生长高质量的AlN外延薄膜。英思特对PLD生长的AlN/Si异质界面的表面形貌、晶体质量和界面性能进行了系统研究。
2023-11-23 15:14:40232 AlN单晶衬底以其优异的性能和潜在的应用前景引起了人们的广泛研究兴趣. 物理气相输运(PVT)是最适合AIN衬底制备的方法。
2023-12-28 09:20:22316 当上位机关联的点“From_HMI”有0到1的变化时,就可以实现全局去钝化的操作
2024-02-27 09:53:4980
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