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搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模块介绍

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从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644

SiC-MOSFET与IGBT的区别

上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别:Vd-Id特性,Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722

SiC-MOSFET体二极管的特性说明

上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。
2023-02-08 13:43:20790

第三代双沟槽结构SiC-MOSFET介绍

SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用,在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381

SiC-MOSFET的应用实例

本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-08 13:43:21366

ROHM SiC-MOSFET的可靠性试验

本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外,包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异,如果有不明之处或希望确认现在的产品情况,请点击这里联系我们。
2023-02-08 13:43:21860

何谓全SiC功率模块

SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685

采用第3代SiC-MOSFET,不断扩充产品阵容

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04331

功率二极管中损耗最小的SiC-SBD

ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基势垒二极管)。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产,目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容,并推动在包括车载在内的各种应用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401

使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例 小结

此前共用19个篇幅介绍了“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”,本文将作为该系列的最后一篇进行汇总。该设计案例中有两个关键要点。一个是功率开关中使用了SiC-MOSFET
2023-02-17 09:25:08480

SiC-SBDSiC-SBD的发展历程

为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的,所以在此汇总一下SiC-SBD的发展,整理一下当前实际上供应的SiC-SBD
2023-02-22 09:19:45355

使用SiC-SBD的优势

SiC-SBD为形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构,电流通过电子与空穴(孔)流动。
2023-02-23 11:24:11586

SiC-MOSFET的特征

功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过,如低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较,进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736

沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET
2023-02-24 11:48:18426

SiC-MOSFET的应用实例

本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-24 11:49:19481

何谓全SiC功率模块

SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430

国星光电SiC-SBD通过车规级认证

半导体功率器件产品从工业领域向新能源汽车领域迈出坚实步伐。 提升性能,做实高品质产品 通过认证的国星光电SiC-SBD器件采用TO-247-2L封装形式,在长达1000小时的高温、高湿等恶劣环境下验证,仍能保持正常稳定的工作状态,可更好地适应复杂多变的车载应用环境,具备高
2023-03-14 17:22:57393

国星光电SiC-SBD通过车规级认证

近日,国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证,并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代半导体功率器件产品
2023-03-20 19:16:30550

ROHM | SiC MOSFETSiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

​ 全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFETSiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块
2023-09-14 19:15:14353

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