012年功率电子一片惨淡，IGBT的营收下跌20~25%，但同时SJ MOSFET却增长8.3%，Yole Developpement预估涨势将会一路持续至2018年，并超越10亿美元大关
2013-02-27 10:03:58
4024 
瑞萨电子开发第三代车载SJ-MOSFET，计划1～2年内开始量产。该器件降低了导通电阻和EMI（电磁噪声）...
2013-05-31 09:22:201467 ROHM独有的超级结MOSFET产品PrestoMOS，运用ROHM独创的Lifetime控制威廉希尔官方网站
优势，实现了极快*的反向恢复时间（trr），非常有助于降低空调和逆变器等应用稳定运行时的功耗，因而
2021-01-07 16:27:503045 
超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。
2023-06-08 09:33:241389 
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
几十千赫兹，再到如今几百千赫兹甚至兆赫兹。电源频率的要求越来越高。如何选择合适的MOSFET, 如何有效的驱动高速的MOSFET，提升电源效率是广大工程师面临的问题。本文将探讨MOSFET的选型以及
2018-12-10 10:04:29
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。本章将以SJ-MOSFET的trr速度更高的PrestoMOS™的两个
2018-11-28 14:27:08
首先，重新整理一下SJ MOSFET做出贡献的课题。第一个是效率改善，第二个是小型化－ 那么先从效率开始谈。为什么使用SJ-MOSFET可以改善效率？先稍微介绍一下SJ MOSFET。传统型
2019-04-29 01:41:22
Engineering overview guide regarding how to operate and program the SJ50 Series II AOI Machine.
2019-09-11 09:53:21
Machine setup procedures and technical information regarding all SJ50 Series IImachine components.
2019-09-05 09:47:20
Planned maintenance procedure and schedule for the SJ50 Series II.
2019-09-04 09:50:30
高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南
2019-03-08 22:39:53
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声等特征，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。非常
2018-12-04 10:17:20
trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™同时具备MOSFET和IGBT优势的Hybrid MOS发挥其特征的应用事例什么是PFC临界模式PFC : 利用二极管提高效率的例子电流连续模式PFC
2018-11-27 16:40:24
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同的导通电阻。 不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。 SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低
2023-02-07 16:40:49
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-04-09 04:58:00
MOSFET所谓MOSFET－高耐压超级结MOSFET的种类与特征所谓MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™同时具备MOSFET和IGBT优势的Hybrid MOS发挥其特征
2018-11-27 16:38:39
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-05-07 06:21:55
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低
2018-12-04 10:23:36
紫光的FPGA哪些系列支持高速接口？相关接口有哪些免费的IP可以使用呢？性能怎么样？
2024-03-20 16:58:29
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:47
高速公路服务区的重要基础设施，确保电动汽车在日常驾驶和长途旅行中有地方充电。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品，通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造威廉希尔官方网站
，进一步提高了产品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
。如下面的波形图所示，基本上超级结MOSFET的PN结面积比平面MOSFET大，因此与平面MOSFET相比，具有trr速度更快、但irr较多的特性。这种特性作为超级结MOSFET的课题在不断改善，因其高速
2018-11-28 14:28:53
系列（650V）*开发中下一篇将介绍剩下的两种：Presto MOSTM 高速trr SJ-MOSFET和Hybrid MOS。关键要点:・SJ-MOSFET的种类因特性而异。・SJ-MOSFET
2018-12-03 14:27:05
ADI发表全新的高速MOSFET驱动器系列
美商亚德诺公司(Analog Devices；ADI)发表全新的高速18伏特MOSFET(金属氧化半导体场效晶体管)驱动器家族，能提供2A与4A的峰值电流，同时
2009-11-23 08:41:40805 Linear推出高速同步MOSFET驱动器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N
2010-02-01 10:22:16865 
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 2SJ系列场效应管参数大全:
2012-01-09 16:12:38
68 SJ300系列操作手册（中文）
2013-09-16 17:32:5546 在11月8日的第十三届(上海)新能源汽车核心电源威廉希尔官方网站
研讨会上，长园维安产品应用经理郭建军先生带来了《超结SJ-MOSFET 在充电机领域的应用》的主题演讲。 郭经理演讲内容大致可分为MOSFET
2020-03-17 14:46:40546 FAN3XXX系列是飞兆公司（FAIRCHILD）2007年10月推出的新产品，是一种高速低端MOSFET驱动器系列。该系列各种驱动器与PWM控制器及功率MOSFET组合可设计出各种高频、大功率
2020-07-26 11:45:092061 
来源：罗姆半导体集团 ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少
2022-11-28 11:40:11231 MOSFET大致可以分为以下几类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET，主要用于低压领域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中压和低压领域；SJ-（超结）MOSFET，主要在高压领域应用。
2021-01-22 08:41:429130 ADP3654：高速双4 A MOSFET驱动器
2021-04-25 20:44:092 ROHM不仅提供电机驱动器IC，还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器，再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 导致trr变长。 ・在PSFB电路中使用trr小的MOSFET很重要。 ・即使是快速恢复型SJ MOSFET，其性能也会因制造商和产品系列而异，因此在选择时需要充分确认。 在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间trr较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄
2021-10-29 09:51:121082 相移全桥电路的功率转换效率提升 针对本系列文章的主题——转换效率，本文将会给出使用实际电源电路进行评估的结果。具体而言，本文对Q1～Q4的MOSFET使用导通电阻约0.2Ω的五种快速恢复型SJ
2021-12-02 16:28:582631 
P沟道增强型功率MOSFET LT2P06SJ资料说明
2022-01-23 09:40:113 逆变器电路的优化 在选择逆变器电路中的开关器件时，要选择trr小的产品，这一点很重要。 如果逆变器电路中的开关器件的trr大，则开关损耗会增加。 如果逆变器电路中的开关器件是MOSFET，请仔细确认
2022-08-13 22:50:201790 
近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
ROHM独有的超级结MOSFET产品PrestoMOS，运用ROHM独创的Lifetime控制威廉希尔官方网站
优势，实现了极快*的反向恢复时间（trr），非常有助于降低空调和逆变器等应用稳定运行时的功耗，因而已经作为IGBT的替代品受到高度好评。
2023-02-09 10:19:23454 
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:011301 
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。
2023-02-22 16:21:07472 
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。
2023-02-10 09:41:05703 上一篇文章中通过标准型且具有快恢复特性的SJ MOSFET的双脉冲测试，介绍了“在桥式电路中，恢复特性可通过使用高速MOSFET来降低损耗，但是在某些情况下，即使使用高速MOSFET也无法降低导通损耗”。
2023-02-10 09:41:08553 
因此，在PSFB电路中，需要使用trr小的MOSFET。简言之，trr越小越有效。市场上有一些低trr的快速恢复SJ MOSFET，但制造商和产品系列不同，trr及其相关参数也存在差异，因此，在选择
2023-02-13 09:30:06494 
－ 您已经介绍过BM2Pxxx系列对高效率、低功耗、低待机功耗、小型这4个课题的贡献，多次提到“因为内置超级结MOSFET，......”。接下来请您介绍一下超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:15878 
本文的关键要点 在选择逆变器电路中的开关器件时，要选择trr小的产品，这一点很重要。 如果逆变器电路中的开关器件的trr大，则开关损耗会增加。 如果逆变器电路中的开关器件是MOSFET，请仔细确认
2023-03-03 09:59:130 2SJ182(L), 2SJ182(S) 数据表
2023-03-29 19:52:590 2SJ220(L), 2SJ220(S) 数据表
2023-03-29 19:53:190 2SJ279(L), 2SJ279(S) 数据表
2023-03-29 19:53:330 2SJ181(L), 2SJ181(S) 数据表
2023-04-17 18:57:430 2SJ319(L), 2SJ319(S) 数据表
2023-04-17 18:58:030 2SJ505(L) 2SJ505(S) 数据表
2023-05-06 19:04:370 2SJ76 2SJ77 2SJ78 2SJ79 数据表
2023-05-11 19:04:000 2SJ130(L) 2SJ130(S) 数据表
2023-05-11 19:19:590 2SJ387(L) 2SJ387(S) 数据表
2023-05-11 19:20:160 2SJ506(L) 2SJ506(S) 数据表
2023-05-11 19:20:320 2SJ527(L) 2SJ527(S) 数据表
2023-05-11 19:20:510 2SJ528(L) 2SJ528(S) 数据表
2023-05-11 19:21:030 2SJ550(L) 2SJ550(S) 数据表
2023-05-11 19:21:410 2SJ160 2SJ161 2SJ162 数据表
2023-05-11 19:36:150 2SJ351 2SJ352 数据表
2023-05-11 19:38:490 2SJ356C 数据表 (P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING)
2023-05-15 18:31:140 2SJ358C 数据表 (P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING)
2023-05-15 18:31:270 2SJ210C 数据表 (P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING)
2023-05-15 18:50:570 安森德历经多年的威廉希尔官方网站
积累，攻克了多层外延超结（SJ）MOSFET威廉希尔官方网站
，成功研发出具备自主知识产权的超结（SJ）MOSFET系列产品
2023-06-02 10:23:10796 
高速公路服务区的重要基础设施，确保电动汽车在日常驾驶和长途旅行中有地方充电。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品，通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造威廉希尔官方网站
，进一步提高了产品性能，具有更优的雪崩耐量，提高了器件应
2023-06-13 16:46:45334 2SJ479(L) 2SJ479(S) 数据表
2023-06-26 20:50:260 2SJ505(L) 2SJ505(S) 数据表
2023-06-26 20:50:460 2SJ549(L) 2SJ549(S) 数据表
2023-06-26 20:51:020 2SJ76 2SJ77 2SJ78 2SJ79 数据表
2023-06-28 19:26:530 2SJ553(L) 2SJ553(S) 数据表
2023-06-28 19:40:090 2SJ130(L) 2SJ130(S) 数据表
2023-06-28 19:42:530 2SJ387(L) 2SJ387(S) 数据表
2023-06-28 19:43:070 2SJ506(L) 2SJ506(S) 数据表
2023-06-28 19:43:180 2SJ527(L) 2SJ527(S) 数据表
2023-06-28 19:43:300 2SJ528(L) 2SJ528(S) 数据表
2023-06-28 19:43:490 2SJ529(L) 2SJ529(S) 数据表
2023-06-28 19:44:040 2SJ550(L) 2SJ550(S) 数据表
2023-06-28 19:44:410 2SJ551(L) 2SJ551(S) 数据表
2023-06-28 19:44:530 2SJ160 2SJ161 2SJ162 数据表
2023-06-28 19:59:520 2SJ351 2SJ352 数据表
2023-06-28 20:02:260 2SJ356C 数据表 (P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING)
2023-07-11 19:42:170 2SJ358C 数据表 (P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING)
2023-07-11 19:42:370 2SJ210C 数据表 (P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING)
2023-07-11 20:01:440 了 “R60xxVNx系列” （含7款机型）。 此外，高速开关型600V耐压Super Junction MOSFET产品阵容中也新增了导通电阻更低的 “R60xxYNx系列” （含2款机型
2023-07-12 12:10:08437 2SJ182(L), 2SJ182(S) 数据表
2023-07-12 19:59:340 2SJ279(L), 2SJ279(S) 数据表
2023-07-12 20:00:000 2SJ280(L), 2SJ280(S) 数据表
2023-07-12 20:00:150 电子发烧友网站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:09:541 相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566 
开始对设备进行维护保养时，请一定要阅读安全须知。通常情况下，光栅测长机本体上会贴有警示作用的安全标签。以中图仪器的SJ51系列光栅测长机为例，贴有安全标签处是容易发生安全事故的地方，为安全起见，请事先确认标签后再进行作业。SJ51系列光栅测长机
2022-03-04 16:49:291 2SJ181(L), 2SJ181(S) 数据表
2023-11-16 18:30:240 深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
2023-12-04 15:26:12293 
【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16411 
的要差，因此在用于开关应用时存在功率损耗增加的课题。针对这种课题，ROHM推出采用自有的沟槽MOS结构、同时改善了存在权衡关系的VF和IR、并实现了业界超快trr的YQ系列产品。
2024-03-15 15:22:4081 
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