美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 电源模块发热问题会严重危害模块的可靠性，使产品的失效率将呈指数规律增加，电源模块发热严重怎么办？本文从模块的热设计角度出发，为你介绍各类低温升、高可靠性的电源设计及应用解决方案。
2018-08-03 09:19:567133 
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※产品阵容中还包括斩波型产品。关于新产品的详细信息，请联系ROHM销售部门或点击这里。ROHM还提供可轻松评估全SiC功率模块栅极驱动器评估板。
2018-12-04 10:20:43
3G核心网网元是什么？为什么要提高3G核心网高的可靠性设计？3G核心网高可靠性设计方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
SiC MOS器件的栅极氧化物可靠性的挑战是，在某些工业应用给定的工作条件下，保证最大故障率低于1 FIT，这与今天的IGBT故障率相当。除了性能之外，可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已经建立了SiC威廉希尔官方网站
作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41
进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以处理较大功率为前提的，更需要具备充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作为
2018-11-30 11:50:49
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018（第4赛季）”的文图瑞Formula E车队提供全SiC功率模块。ROHM在上个赛季（第
2018-12-04 10:24:29
的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等IGBT的比较。左图
2018-11-27 16:37:30
率为一个平稳值，意味着产品进入了一个稳定的使用期。耗损失效期的失效率为递增形式，即产品进入老年期，失效率呈递增状态，产品需要更新。提高可靠性的措施可以是：对元器件进行筛选;对元器件降额使用，使用容错法
2015-08-04 11:04:27
日益增长的可再生能源发电威廉希尔官方网站
需要大量的功率半导体器件, 其中风能是最具成本效益的可再生能源发电方式之一。变流器是其中的重要组件,且确保实现并网发电。高可靠性的功率半导体可以满足这种应用的要求，并构成
2018-12-04 09:57:08
高可靠性PCB的十四大重要特征腾讯网 | 2016-02-19 19:22来这里找志同道合的小伙伴！乍一看，PCB不论内在质量如何，表面上都差不多。正是透过表面，我们才看到差异，而这些差异对PCB在
2016-02-20 14:25:46
高可靠性的线路板具有什么特点？
2021-04-25 08:16:53
ADI高温高可靠性器件都有哪些？它们都被应用在哪里呢？版主找到一个介绍ADI高温产品的视频，在这里以图文形式分享给大家，大家也可点击链接直接观看视频，近一个小时的介绍，绝对让你彻底了解！
2018-10-17 15:05:56
DS1302介绍一款高性能、低功耗的日历时钟DS1302是一种串行接口的实时时钟，内部有可编程的日历时钟和31个字节的静态RAM，可以自动进行闰年补偿工作电压范围宽（2.5V~5.5V），还有对备用
2021-07-19 06:59:11
EFR32介绍EFR32 Mighty Gecko ZigBee 和 Thread 的 SoC 系列是无线 Gecko 产品系列的组成部分。 Mighty Gecko SoC 是实现 IoT 设备
2021-07-23 06:21:18
一、FDC2214介绍(1)这个图片截自FDC2214的数据手册，可以看出FDC2214与MCU之前的通讯是靠I2C协议来完成的，该芯片的外围电路设计在手册中已给出。(2)该模块I2C接口最大速度为
2021-08-12 08:10:59
8-20kHz之间，请使用英飞凌后缀为DN2、RT4、KT4的IGBT模块.高压1700VFF600R17ME4(600A/1700V) FF450R17ME4(450A/1700V)FF300R17
2022-05-10 10:06:52
采用IR51H420构成的高可靠性节能灯电子镇流器电路图
2019-10-31 09:10:48
内容提纲1、ISO14443介绍-了解2、14443-A帧格式-掌握3、唤醒、防冲突、选卡-掌握认识14443ISO14443协议：ISO14443协议是Contactless card
2021-07-27 07:10:23
World」。1. LCD1602介绍对于单片机爱好者和电子爱好者来说，或多或少都曾使用过液晶显示模块。它们都是由若干个点阵字符位组成的，根据显示内容可分为1602、12864等。LCD1602可...
2022-03-01 07:33:10
IGBT2/IGBT3的功率周次曲线 图8 1200V/1700V IGBT4的功率周次曲线3. PrimePACK针对封装威廉希尔官方网站
做了改进来提高模块的温度周次能力：采用了增强型Al2O3，从而减小了衬底和铜
2018-12-04 09:59:11
愿景，以企业文化“革新观念、凝聚智慧、点燃斗志、激发潜能”。2)经营理念：追求卓越品质，打造极致用户体验高可靠性是广大客户赖以生存和发展的命脉！“华秋”把“卓越品质、极致体验”当做行动指南渗透至日
2020-07-09 11:54:01
，美国50%的电子设备在储存期间就失效、60%的机载电子设备运到远东后不能使用。美国发现不可靠电子设备影响战争的进行，而且年均维修费是设备采购费用的2倍。1949年，美国无线电工程师学会成立了第一个可靠性
2020-07-03 11:09:11
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-7-22 15:27 编辑
亲爱的发烧友们：在此，给大家分享下WEBENCH 设计作品，欢迎大家吐槽！高可靠性意味着效率，器件的选择都要注重很好
2015-07-22 15:25:25
产品的小型化和轻量化。本文介绍了基于最新1.2kV 全SiC功率模块开发的牵引用APS，凭借全SiC模块的优异特性，使得该APS的效率达到了97%以上。1、APS的工作原理图1为APS的系统原理图
2017-05-10 11:32:57
秋”把“打造高可靠PCB、履行社会责任”当做全体成员为之奋斗的共同愿景，以企业文化“革新观念、凝聚智慧、点燃斗志、激发潜能”。2)经营理念：追求卓越品质，打造极致用户体验高可靠性是广大客户赖以生存
2020-07-08 17:10:00
采购费用的2倍。949年，美国无线电工程师学会成立了第一个可靠性专业学术组织——可靠性威廉希尔官方网站
组。1950年12月，美国成立了“电子设备可靠性专门委员会”，军方、武器制造公司及学术界开始介入可靠性研究，到
2020-07-03 11:18:02
的。在所有细分市场，特别是生产关键应用领域的产品的市场里，此类故障的后果不堪设想。对比 PCB 价格时，应牢记这些方面。虽然可靠、有保证和长寿命产品的初期费用较高，但从长期来看还是物有所值的。高可靠性
2019-10-21 08:00:00
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率转换效率可提升高达5%采用准谐振方式，可实现更低EMI通过减少元器件数量，可实现显著的小型化和更高可靠性可确保长期稳定供应，很适合工业设备应用产品阵容新增4款保护功能
2022-07-27 11:00:52
击穿电压仿真工具中实现，因此假定电荷为零。采用深P-区域可减少轴向寿命杀伤器（如氦气或质子）的泄漏电流，并使器件在硬开关条件下具有鲁棒性。图 1：1700V 器件的平面结 VLD 端接的横截面。图 2
2023-02-27 09:32:57
分享一款不错的高可靠性CAN-bus以太网冗余组网方案
2021-05-26 06:37:56
出厂后软件升级中的可靠性设计。由于软件的介入，可靠性问题除了二值可靠性的“失效”外．出现了除了“正常”与“失效”以外介于其间的诸如“出错”、“失误”、“不稳定”的多值可靠性问题。2．单片机应用系统的可靠性
2021-01-11 09:34:49
望尝试运行SiC元器件的各位、希望提高开发效率的各位使用我公司的评估板。请参考ROHM官网的“SiC支持页面”。SCT2H12NZ:1700V高耐压SiC-MOSFET 重点必看＜ 相关产品信息 ＞SiC-MOSFETAC/DC转换器全SiC功率模块
2018-12-04 10:11:25
干扰的噪声感应问题。现在已经有了完整的电流隔离型 BGA 模块解决方案，以简化设计和提高可靠性。LTM9100 隔离型开关控制器是一款一体化解决方案，用于控制、保护和监视高达 1000VDC 的高电压
2018-10-17 16:55:21
描述此参考设计介绍高可靠性应用（基于 66AK2Gx 多内核 DSP + ARM 处理器片上系统 (SoC)）中具有纠错码 (ECC) 支持的双倍数据速率 (DDR) 存储器接口的系统注意事项。其中
2022-09-15 06:26:24
高可靠性永远是计算机系统中必不可少的重要需求，尤其是对于整个系统中用来产生统一时间信号的专用设备来说，其可靠性和精准性非常重要。时统模块的功能就是保证整个系统处在统一时间的基准上，它接收时统站发来
2019-08-26 06:27:46
Proteus仿真-基于ICL7107的±2V电压表头ICL7107介绍管脚说明元器件选择说明200mv的参考图Proteus仿真ICL7107介绍ICL7107是3位半位双积分型A/D转换器，属于
2022-01-25 08:12:52
isoSPI 数据链路助力实现高可靠性车载电池系统
2019-09-02 14:23:53
高可靠性系统设计包括使用容错设计方法和选择适合的组件，以满足预期环境条件并符合标准要求。本文专门探讨实现高可靠性电源的半导体解决方案，这类电源提供冗余、电路保护和远程系统管理。本文将突出显示，半导体威廉希尔官方网站
的改进和新的安全功能怎样简化了设计，并提高了组件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
为了FPGA保证设计可靠性, 需要重点关注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
高可靠性系统设计包括使用容错设计方法和选择适合的组件，以满足预期环境条件并符合标准要求。本文专门探讨实现高可靠性电源的半导体解决方案，这类电源提供冗余、电路保护和远程系统管理。本文将突出显示，半导体威廉希尔官方网站
的改进和新的安全功能怎样简化了设计，并提高了组件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文拟从印制板下游用户安装后质量、直接用户调试质量和产品使用质量三方面研究印制板的可靠性，从而表征出印制板加工质量的优劣并提供生产高可靠性印制板的基本途径。
2021-04-21 06:38:19
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何采用功率集成模块设计出高能效、高可靠性的太阳能逆变器？
2021-06-17 06:22:27
本文介绍了如何采用Dialog GreenPAK 设计高可靠性旋转开关或编码器。该开关设计是非接触式的，因此忽略了接触氧化和磨损。该设计非常适用于户外长期潮湿、灰尘、极端温度等场景。Dialog
2020-12-23 07:26:10
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※产品阵容中还包括斩波型产品。关于新产品的详细信息，请联系ROHM销售部门或点击这里。ROHM还提供可轻松评估全SiC功率模块栅极驱动器评估板。
2018-12-04 10:19:59
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-23 14:43 编辑
在高可靠性至关重要的工业自动化中，将能量收集源应用于电源节点所面临着设计挑战。 文中将探讨如何将温度和振动等能量来源
2016-02-23 14:38:55
。右图为SiC-MOSFET＋SiC-SBD组成的全SiC模块BSM300D12P2E001（1200V/300A）与IGBT＋FRD的模块在同一环境下实测的开关损耗结果比较。Eon是开关导通时的损耗
2018-12-04 10:14:32
的感觉，但仅仅因为软件在受控条件下的那一刻运行正常并不意味着明天或一年后还会运行正常。从规范完善的开发周期到严格执行和系统检查，开发高可靠性嵌入式系统的威廉希尔官方网站
有许多种。本文介绍了7个易操作且可以长久使用的技巧，它们对于确保系统更加可靠地运行并捕获异常行为大有帮助。
2019-09-29 08:10:15
。因此，硬件可靠性设计在保证元器件可靠性的基础上，既要考虑单一控制单元的可靠性设计，更要考虑整个控制系统的可靠性设计。
2021-01-25 07:13:16
描述此参考设计介绍高可靠性应用（基于 66AK2Gx 多内核 DSP + ARM 处理器片上系统 (SoC)）中具有纠错码 (ECC) 支持的双倍数据速率 (DDR) 存储器接口的系统注意事项。其中
2018-10-22 10:20:57
客户采用的是SCS2系列。包括不同的封装和电流规格等在内，已经实现近50个机型的量产供应。第三代是2016年4月推出的SCS3系列。SCS后面的数字表示各代。－那么接下来请您介绍一下第三代SiC
2018-12-03 15:11:25
无线电池管理系统突出了业界提高可靠性的动力
2019-09-09 08:23:41
本文提出一种优化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED显示系统，只需要用1片FPGA和2片SRAM就可以实现大屏幕LED显示的驱动和内容更换，可以说其性能已经大有改善。本设计可以应对多种大屏幕显示的场合。
2021-06-04 06:02:01
甲烷传感器的特点甲烷传感器的工作原理新型高可靠性甲烷传感器的原理与设计
2021-04-09 06:41:47
用于高可靠性医疗应用的混合信号解决方案
2019-09-16 06:34:54
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面贴装封装，占板面
2019-04-29 09:25:59
用于额温计的信号调理芯片NSA2300/NSA2302介绍
2021-06-16 08:18:14
阻并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
、板薄、高频、高速”的发展趋势，对可靠性的要求会越来越高。高可靠性 PCB 可以发挥稳健的载体作用，从而实现 PCBA 的长期、稳定运作，保证终端产品的安全性、稳定性和使用寿命，提高经济效益。高可靠性
2022-05-09 14:30:15
G.DMOS)18010Etype有BSM300D12P2E001(2G. DMOS)3007.3由ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD组成的“全SiC”功率模块 重点必看开关损耗更低，频率更高，应用设备体积更小＜ 相关产品信息 ＞全SiC功率模块SiC-MOSFETSiC-SBD
2018-12-04 10:11:50
集成电路为高可靠性电源提供增强的保护和改进的安全功能
2019-06-11 16:25:31
一种易于建立的高性能、高可靠性隔离式电源
2019-05-29 15:40:16
供碳化硅 (SiC) 的优势；同时保持 62mm 模块的底板兼容性。HM 平台的碳化硅优化封装可实现 175°C 的连续结操作；具有高可靠性的氮化硅 (Si 3
2022-06-09 19:57:44
周 品牌：PICO产品详情介绍70565是一款高可靠性的Pico音频变压器。音频变压器是音频范围内使用的变压器，它可以提供电流隔离、信号增益
2024-03-20 20:05:32
UACHV225S高压AC-DC电源模块高可靠性重要参数 输入电压：85~265Vac输出电压： 225Vdc电源精度：1%功率： 250w订货周期：6-8周品牌：PICO产品详情介绍
2024-03-20 20:36:19
学习完本课程，您应该能够：了解什么是高可靠性威廉希尔官方网站
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类别。
2016-04-12 17:38:58
15 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的产品更加丰富。
2018-09-26 11:32:173606 ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469 对BSM250D17P2E004和同等IGBT模块实施了HV-H3TRB高温高湿反偏试验，试验条件为在85℃/85%的高温高湿环境下，施加1360V。试验结果是IGBT模块比较早期出现绝缘劣化或绝缘击穿导致的漏电流增加现象，在1,000小时内发生了故障。
2019-08-22 09:05:593089 。 该板有三个输出：+15V、-15V和+24V，输出功率高达62.5W。 该板使用TO-263 7L表面贴装器件（SMD）封装的1700V CoolSiC MOSFET作为主开关，非常适合高输入电压
2021-09-07 14:11:032396 
，瑞能半导体于2021年推出SiC MOSFET产品，不仅一如既往的追求高可靠性，同时也拥有业内领先的高性能和竞争力。
2022-02-18 16:44:103786 
相比于硅基高压器件，碳化硅开关器件拥有更小的导通电阻和开关损耗。电力电子系统需要辅助电源部分用来驱动功率器件，为控制系统及散热系统等提供电源。额定电压1700V的SiC MOSFET为高压辅助电源提供了设计更简单，成本更低的解决方案。
2022-08-01 14:18:582310 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET产品。62W辅助电源参考设计
2022-08-28 11:17:068 “BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调及街灯等工业设备开发的内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC。
2023-02-09 10:19:23656 
ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595 
1700V以下大功率IGBT智能驱动模块使用手册 （采用100%国产化元器件设计） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驱动模块是特别为100%国产化需求企业推出的一款可靠、安全的高性能驱动模块
2023-02-16 15:01:5512 前几天，三一集团的SiC重卡打破了吉尼斯纪录（.点这里.），很多人好奇这款车的1700V SiC MOSFET供应商是谁，今天答案正式揭晓！
2023-06-14 18:19:55860 新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块和2200VEasyBRIDGE整流模块1700V电机驱动功率半导体解决方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块
2023-01-29 17:41:441189 
芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之响应速度更快、体积缩小、寿命延长等，对提升车辆电源系统整体效能、可靠性及安全性有着重要意义。
2023-08-16 11:49:31285 
赛晶科技表示，为电动汽车应用量身定做的HEEV封装SiC模块，导通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高达250kW电驱系统，并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 
英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
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