，并提出3种有效应用对策：减小栅极阻抗、采用有源米勒箝位和三级关断串扰抑制电路。其中，减小栅极阻抗可减小感应压降，抑制栅源极过压；有源米勒箝位威廉希尔官方网站
使栅源极电压串扰波形幅值限制在箝位电 压范围；利用三级关断串扰抑制电路威廉希尔官方网站
，显著抑制了栅源极电压的正向抬升和负向峰值，最后通过试验仿 真验证了3种方法的有效性。
2023-06-05 10:14:21
1845 
今天给大家分享的是：如何抑制电源转换器中浪涌电压？
2024-01-09 09:50:06842 
急求测试浪涌电压及尖峰脉冲电压需要哪些设备，及测试方法，采纳有谢
2016-04-10 19:13:16
是一个18V的TVS二极管，SMBJ18A-HT。U12是稳压器。在TVS的规格书中指出，SMBJ18A的浪涌电流为20.5A，钳位电压为29.2V。对我们的电路来说是完全满足的，因为我们的稳压器在
2019-11-12 11:10:07
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET体二极管的正向特性下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源极为基准向漏极施加负电压，体二极管为正向偏置状态。该图中Vgs＝0V的绿色曲线基本上表示出体
2018-11-27 16:40:24
减小，所以耐受时间变长。另外，Vdd较低时发热量也会减少，所以耐受时间会更长。由于关断SiC-MOSFET所需的时间非常短，所以当Vgs的断路速度很快时，急剧的dI/dt可能会引发较大的浪涌电压。请使用
2018-11-30 11:30:41
和设计案例主要元器件的选型输入电容器C1与VCC用电容器C2主要部件的选型电感 L1电流检测电阻 R1输出电容器 C5输出整流二极管 D4 EMI对策 实装PCB板布局与总结使用SiC-MOSFET
2018-11-27 16:38:39
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的构成中，SiC-MOSFET切换（开关）时高边SiC-MOSFET的栅极电压产生振铃，低边SiC-MOSFET的栅极电压升高，SiC-MOSFET误动作的现象。通过下面的波形图可以很容易了解这是
2018-11-30 11:31:17
极-源极电压振铃。将栅极驱动放置在紧邻 SiC MOSFET 的位置，以最小的走线长度将栅极回路电感降至最低。此外，这种做法还有助于使各并联 MOSFET 设计之间的共源极电感保持恒定。以最小走线长
2022-03-24 18:03:24
突发的巨大能量，以保护连接设备免于受损。最常见的就是电子产品使用过程中会遇到的电压瞬变和浪涌，从而导致电子产品的损坏，损坏的原因是电子产品中的半导体器件(包括二极管、晶体管、可控硅和集成电路等)被烧毁或击穿。本文阐述下关于抑制浪涌的那些解决办法~
2020-10-22 18:37:10
”时，我指的是连接到MOSFET的漏极的正电源电压或连接到绝缘栅双极晶体管(IGBT)集电极的正电源电压。对于栅极驱动器，VDD定义驱动器输出的范围。宽VDD范围有三个好处：· 为您的系统设计提供灵活性
2019-04-15 06:20:07
浪涌电压/电流产生的原因主要由电压突变引起的，浪涌电流是指电网中出现的短时间象“浪”一样的高电压引起的大电流。当某些大容量的电气设备接通或断开时间，由于电网中存在电感，将在电网产生“浪涌电压”，从而引发浪涌电流。 简单形容就像“毛刺”拿示波器看也像“毛刺
2010-05-14 17:12:42
什么是浪涌电流？浪涌电压是怎样产生的？
2021-09-29 07:30:33
浪涌电流的抑制——NTC浪涌电流的抑制方法有很多，一般中小功率电源中采用电阻限流的办法抑制开机浪涌电流。我们分析一下如何使用NTC热敏电阻进行浪涌电流的抑制。NTC热敏电阻，即负温度系数热敏电阻，其
2014-03-20 09:37:32
能力；4、保护绝大多数的敏感负载；对于不同的威廉希尔官方网站
方式来实现由以下两种：1、电压限制型；2、电压开关型浪拓电子浪涌过电压保护器件分为钳位型和开关型器件。钳位型过压保护器件：瞬态抑制二极管TVS、压敏电阻
2019-11-08 16:07:56
过电流，一般会采用短路保护、过载保护，使用热继电器等方法来避免。2. 继电器浪涌是怎么产生的在继电器线圈注入能量以后，开关断开的一瞬间，就会产生一个很大的浪涌电压。这是自身产生的浪涌电压，虽然是仅仅
2016-12-03 21:09:19
线性浪涌抑制器LT4363。图7 LT4363的电路架构LT4363简介它能通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极，以在过压过程中（比如：汽车应用中的负载突降情况）调节输出电压。输出被限制在一个安全
2022-04-02 10:33:47
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
浪涌保护与之相近的是ESD静电防护。浪涌电压是导致计算机误动作、数据丢失的主要原因。浪涌电压也会导致计算机软损伤，软损伤就是...
2021-09-13 06:37:58
上一篇文章对全SiC模块栅极驱动的评估事项之一“栅极误导通”进行了介绍。本文将作为“其2”介绍栅极误导通的处理方法。“栅极误导通”的抑制方法栅极误导通的对策方法有三种。①是通过将Vgs降至负电压
2018-11-27 16:41:26
复杂，占用体积较大。为使应用这种抑制上电浪涌电流方式，象仅仅串限流电阻一样方便，本文推出开关电源上电浪涌电流抑制模块。 带有限流电阻的上电浪涌电流抑制模块 将功率电子开关(可以是MOSFET或SCR
2018-10-08 15:45:13
高电压浪涌抑制器确保电源可靠操作
2019-06-11 09:41:40
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？
设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41:55
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
压敏电阻、气体放电管、TVS瞬态抑制二极管是电路保护中常用的浪涌抑制元件，本文主要介绍着几种元件的工作原理及特性。压敏电阻工作原理：压敏电阻的电压与电流呈特殊的非线性关系。当压敏电阻两端锁甲的电压
2018-01-30 15:23:10
部分及其评估而进行调整，是以非常高的速度进行高电压和大电流切换的关键。尤其在电路设计的初步评估阶段，使用评估板等工具可使开发工作顺利进行。关键要点:・使用专用栅极驱动器和缓冲模块，可显著抑制浪涌和振铃。・在损耗方面，Eon增加，Eoff減少。按总损耗（Eon + Eoff）来比较，当前损耗减少。
2018-11-27 16:36:43
机理及其对电机的影响作了分析，介绍了抑制微浪涌电压的威廉希尔官方网站
，以及最近出现的衰减微浪涌电压的产品和采用细线径传输为特征的微浪涌抑制组件的工作原理等。
2021-03-10 07:35:56
1、浪涌电压的产生和抑制原理 在电子系统和网络线路上，经常会受到外界瞬时过电压干扰，这些干扰源主要包括：由于通断感性负载或启停大功率负载，线路故障等产生的操作过电压；由于雷电等自然现象引起的雷电浪涌
2018-10-10 15:27:02
瞬态电压抑制器，是一种二极管形式的高效能保护元件。当 TVS管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以极快的速度，瞬间将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值
2019-07-22 12:17:19
绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。找元器件现货上唯样商城在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般
2022-09-20 08:00:00
抑制器。该电路板的输入范围为7V至100V，提供7V至34V输出，电流为0A至10A。它的输出是电流限制的。软启动功能可在启动时控制输出电压压摆率，从而减少电流浪涌和电压过冲。演示板包括一个可选的反极性
2019-05-24 09:08:30
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34:53
母线有浪涌电压影响变频器，用浪涌保护器可以吗？三相电30kw用多大？
2017-04-23 01:56:51
如何抑制LED灯具浪涌电流？
2021-03-16 14:50:00
Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。■负载开关等效电路图关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对
2019-07-23 01:13:34
kV负浪涌电压测试 我们在测试中选用一个1,5KE400CA的Transil二极管。这个二极管可将钳位电压的峰值限制到一个极低的水平( 430 V)，这一点特别重要。在C阶段，D1上的负电压绝对值
2018-10-11 16:04:02
出现输入浪涌电流的原因是什么？限制开机浪涌电流有哪些对策？
2021-06-18 07:26:24
极之间连接几nF的电容。如果希望进一步了解详细信息，请参考应用指南中的“SiC-MOSFET 栅极-源极电压的浪涌抑制方法”。接下来是关断时的波形。可以看出，TO-247N封装产品（浅蓝色实线
2022-06-17 16:06:12
雷击和电压浪涌产生及危害
电压浪涌是指电子系统额定工作电压瞬时升高，其幅度达到额定工作电压的几倍～几百倍。电压浪涌可能引起通信系统的数据
2010-05-15 15:01:29
35 浪涌噪声常用浪涌吸收器进行抑制，常用的浪涌吸收器有：
（1）氧化锌压敏电阻
2010-08-25 15:28:370
气体放电管在浪涌抑制电路的应用
摘要：阐述了浪涌电压产生的机理，介绍了气体放电管的工作原理、特性参数和
2009-07-09 10:38:263015 
浪涌电压抑制器及其应用
1浪涌电压
电路在遭雷击和在接通、断开电感负载或大型负载时常常会产生很高的操作过电压，这种瞬时过电压（或过电流）
2009-07-09 14:59:522076 
继电器线圈浪涌电压抑制
继电器线圈在注入能量以后，在开关断开的一瞬间，会产生一个巨大的直流浪涌电压，这个电压在高边开关的时候是负电
2009-11-21 14:24:046015 本文对微浪涌电压的发生机理及其对电机的影响作了分析，介绍了抑制微浪涌电压的威廉希尔官方网站
，以及最近出现的衰减微浪涌电压的产品和采用细线径传输为特征的微浪涌抑制组件的工作原理
2011-08-04 15:20:053790 LTC4366 浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，LTC4366 可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET 两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状
2012-09-21 11:37:09111 浪涌（Electrical surge），顾名思义就是瞬间出现超出稳定值的峰值，它包括浪涌电压和浪涌电流。浪涌也叫突波，顾名思义就是超出正常工作电压的瞬间过电压。本质上讲，浪涌是发生在仅仅几百万
2017-08-18 08:59:4613596 密集的、连续存在的、很窄的尖峰电压。 本文对微浪涌电压的发生机理及其对电机的影响作了分析，介绍了抑制微浪涌电压的威廉希尔官方网站
，以及最近出现的衰减微浪涌电压的产品和采用细线径传输为特征的微浪涌抑制组件的工作原理等。
2017-11-13 16:36:155 浪涌也叫突波，就是超出正常电压的瞬间过电压，一般指电网中出现的短时间象“浪”一样的高电压引起的大电流。从本质上讲，浪涌就是发生在仅仅百万上之一秒内的一种剧烈脉冲。浪涌电压的产生原因有两个，一个是雷电，另一个是电网上的大型负荷接通或断开（包括补偿电容的投切）时产生的。
2018-01-11 11:09:3234153 
本文带来开关电源浪涌抑制电路、三个防开机浪涌电流电路和电灯浪涌电流抑制电路图五个防浪涌电路图分享。
2018-01-11 11:40:0660969 
对于任何系统而言，保护敏感电子电路免遭电压瞬变的损害都是不可或缺的部分，不管是汽车、工业、航天还是电池供电型消费应用皆不例外。凌力尔特凭借其浪涌抑制器系列为这些应用提供了众多的解决方案
2018-06-28 09:16:424416 
凌力尔特的浪涌抑制器产品通过采用 MOSFET 以隔离高电压输入浪涌和尖峰。
2018-06-28 10:15:005038 
1.1知道你的栅极驱动器：负电压
2018-08-17 01:50:004959 缓解方法。通过在设计过程早期认识到对瞬态电压抑制（TVS）器件的需求，工程师可以构建更强大的设计，能够在许多瞬态电压浪涌源中存活。
2019-03-28 08:57:003673 
对于任何系统而言，保护敏感电子电路免遭电压瞬变的损害都是不可或缺的部分，不管是汽车、工业、航天还是电池供电型消费应用皆不例外。凌力尔特凭借其浪涌抑制器系列为这些应用提供了众多的解决方案。LTC
2019-03-21 06:51:003907 本文首先介绍了浪涌抑制器是什么，然后解释了浪涌抑制器的作用，最后从分四类的角度对四种浪涌抑制器的工作原理进行了解释
2019-08-01 16:01:2117797 平时在做浪涌测试时，总是提到的参数是设备所能承受的浪涌电压，如差模2KV，共模4KV等。在选用防浪涌所用的TVS时，也就经常考虑这个问题，TVS哪个参数能对应出不同的浪涌电压值。
2020-12-26 09:08:259847 
平时在做浪涌测试时，总是提到的参数是设备所能承受的浪涌电压，如差模2KV，共模4KV等。在选用防浪涌所用的TVS时，也就经常考虑这个问题，TVS哪个参数能对应出不同的浪涌电压值。
2021-03-17 23:57:5734 高电压浪涌抑制器确保电源可靠操作
2021-03-18 22:29:4815 忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。在本文
2021-06-12 17:12:002563 
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。 在本文中，我们将对相应的对策进行探讨。 什么是栅极－源极电压产生的
2021-06-10 16:11:442121 作为米勒钳位的替代方案，可以通过增加误导通抑制电容器来处理。本文将会通过示例来探讨正电压浪涌的对策和其效果。
2022-03-29 17:05:491890 
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53753 电压浪涌保护器 适用于TN和TT,IT供电系统 具有遥信触点和失效指示功能 可插拔模块方便更换 内置过温保护，更安全的失效保护 电压浪涌保护器应用： 交直流系统 新能源 民用建筑 通信 数据中心
2022-10-18 14:28:12465 
从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。前言：MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。
2023-02-08 13:43:23300 
MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。
2023-02-08 13:43:24284 
在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的关键要点：通过采取措施防止栅极－源极间电压的正电压浪涌，来防止LS导通时的HS误导通。如果栅极驱动IC没有驱动米勒钳位用MOSFET的控制功能，则很难通过米勒钳位进行抑制。作为米勒钳位的替代方案，可以通过增加误导通抑制电容器来处理。
2023-02-09 10:19:15515 
关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明，如果需要了解,请参阅这篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。在本文中，我们将对相应的对策进行探讨。
2023-02-28 11:36:50551 
)，基本上没有问题。然而，直通电流毕竟是降低系统整体效率的直接因素，肯定不是希望出现的状态，因此就有必要增加用来来抑制浪涌电压的电路，以更大程度地确保浪涌电压不超过SiC MOSFET的VGS(th)。
2023-02-28 11:38:21141 
下图显示了同步升压电路中LS导通时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（II），即HS（非开关侧）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所总结的，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或误导通抑制电容器C1是很有效的方法（参见下面的验证电路）。
2023-02-28 11:40:19149 
下图显示了同步升压电路中LS关断时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（IV），即HS（非开关侧）的VGS的负浪涌，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或钳位用SBD（肖特基势垒二极管）D3是很有效的方法（参见下面的验证电路）。
2023-02-28 11:41:23389 
不受管理的浪涌电压可能会导致系统中断或损坏，甚至对用户和操作员造成危险。浪涌保护装置 (SPD)，也称为瞬态电压抑制器 (TVS)，通常用于通过限制或阻断能量来防止电压浪涌和尖峰。SPD 可以在配电网络、建筑物布线和电子系统中找到。IEC 61000-4-5 定义了电气和电子设备的浪涌电压要求。
2023-03-31 09:38:03934 绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02814 绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2023-05-08 11:23:14644 浪涌抑制器（Surge Protector）是一种用于保护电子设备免受电压浪涌、电流过载和过电压等电力问题的电气设备。它的功能是在电路中限制电压或电流的突然变化，以保护电子设备不受损坏。TPS2042BDR浪涌抑制器通常用于电脑、网络设备、家庭电器等电子设备中。
2023-06-08 18:05:503488 电流，以保护电路不被破坏。 浪涌电流的概念 要了解浪涌电流的消除和抑制方法，首先需要了解浪涌电流的原理。浪涌电流是指电路中的瞬态电流或瞬变电流，往往产生于电路中断或开关的切换过程中。例如，在变压器的一次侧断开电
2023-09-02 10:20:591379 抑制浪涌电流的措施有哪些？ 在电路工程中，由于电流的急剧变化，会引起一个短时间内电压突然增加的现象，这就是浪涌电流。这种电流会对电路设备和设施产生损害，因此需要采取措施来抑制浪涌电流。接下来，我们
2023-09-04 17:39:401722 如何消除或抑制浪涌电流？抑制浪涌电流的方法有哪些？ 浪涌电流是指电流在电路中突然变化，导致电压急剧变化。这种电流会破坏电子设备并对设备产生不可逆的影响。因此，消除浪涌电流和抑制浪涌电流的方法是非
2023-09-04 17:48:115621 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17223 
浪涌过电压的原因介绍及危害分析 如何降低浪涌过电压的危害 浪涌过电压是指在电力系统中突然出现超过正常工作电压的短暂过电压，其持续时间一般在几千分之一秒到几十微秒之间。浪涌过电压一般由以下原因
2024-01-03 11:20:57463 对于浪涌设计常有两种方案，一是采用熔断电阻器(保险丝电阻)、二是采用电压钳位器件(浪涌放电管、压敏电阻等)。按GB/T17626.5浪涌(冲击)抗扰度试验的方法，在市电0°、90°、180°、270°四个相位各打10次浪涌。
2024-01-06 09:23:40262 
今天给大家分享的是： 如何抑制电源转换器中浪涌电压？ 一、什么是浪涌电流？ 浪涌电流 是 电路打开吸收的最大电流，出现在输入波形的几个周期内。 浪涌电流的值远高于电路的稳态电流，高电流可能会损坏设备
2024-01-09 08:36:061126 
浪涌脉冲群抑制滤波器起什么作用？ 浪涌脉冲群抑制滤波器是一种用于抑制设备中的浪涌脉冲群的滤波器。浪涌脉冲群是由电源中的过电压引起的短时间、高能量的脉冲，可以对设备和系统造成严重影响，甚至导致设备损坏
2024-01-11 16:27:16167 由于这种开关工作，受开关侧LS电压和电流变化的影响，不仅在开关侧的LS产生浪涌，还会在同步侧的HS产生浪涌。
2024-01-24 14:10:33139 
为了验证抑制电路的效果，将抑制电路单独安装在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驱动电路上并观察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外观和主要规格，仅供参考。
2024-01-26 12:26:28130 
什么是浪涌电阻器？浪涌电阻有何作用？ 浪涌电阻器也被称为浪涌保护器、浪涌抑制器或者防雷器，是一种用来保护电气系统和设备免受过电压和浪涌电流影响的装置。浪涌电阻器通常由金属氧化物（MOV）和其他材料
2024-02-02 16:17:32158 如何抑制电源转换器中的浪涌电压？ 电源转换器是电子设备中常见的组件，其主要功能是将电源输入转换成稳定的输出电压和电流。然而，在电源转换过程中，常常会产生浪涌电压，这可能对电子设备及其周围的电路产生
2024-02-04 09:17:00322 浪涌抑制器（MOV）在受到足够的电压冲击并发生故障时，通常会变成黑色或棕色。此外，有些浪涌抑制器在损坏时可能会变成绿色。
2024-02-18 11:21:29389
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