负的另外半波的整流电压。 如此重复下去，结果在Rfz 上便得到全波整流电压。其波形图和全波整流波形图是一样的。从图中还不难看出，桥式电路中每只二极管承受的反向电压等于变压器次级电压的最大值，比全波
2018-10-15 15:59:10
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET导通的条件下，电阻更小的通道部分（而非体二极管部分）流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态，下面还给出了MOSFET的截面图
2018-11-27 16:40:24
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-04-09 04:58:00
作的。全桥式逆变器部分使用了3种晶体管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介绍的第三代沟槽结构SiC-MOSFET），组成相同尺寸的移相DCDC转换器，就是用来比较各产品效率的演示机
2018-11-27 16:38:39
）可能会严重影响全局开关损耗。针对此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保护功能，如图3所示，以控制米勒电流。当电源开关关闭时，驱动器将会工作，以防止因栅极电容的存在，而出现感应导通的现象。图3
2019-07-09 04:20:19
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间，也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-03-14 06:20:14
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的构成中，SiC-MOSFET切换（开关）时高边SiC-MOSFET的栅极电压产生振铃，低边SiC-MOSFET的栅极电压升高，SiC-MOSFET误动作的现象。通过下面的波形图可以很容易了解这是
2018-11-30 11:31:17
免 MOSFET 的误工作，但这种寄生电感的影响是三种主要寄生电感中最小的。整个器件的过冲电压通常由功率回路电感（有时也称为开关回路电感）造成，而这会产生高开关损耗。共源极电感会在开关瞬变过程中产生对栅极驱动
2022-03-24 18:03:24
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
可以理解成半桥就是在拓扑上，把全桥拓扑取其一半吗？如果全桥是2个桥臂4个开关管，那么半桥就是1个桥臂2个开关管？推挽电路和半桥电路是等价的吗？还有桥式电路也分桥式整流和桥式逆变吧？谢谢！
2020-07-20 08:10:11
，而这个电流并没有通过变压器负载。因此，在两个控制开关K1和K2同时处于过渡过程期间，两个开关器件将会产生很大的功率损耗。为了降低控制开关过渡过程产生的损耗，一般在半桥式开关电源电路中，都有意让两个
2019-05-15 10:57:12
的产生机理 由功率MOSFET的等效电路可知，3个极间均存在结电容，栅极输入端相当于一个容性网络，驱动电路存在着分布电感和驱动电阻，此时的桥式逆变电路如图1所示。以上管开通过程为例，当下管V2已经完全
2018-08-27 16:00:08
克服了全波整流电路要求变压器次级有中心抽头和二极管承受反压大的缺点，但多用了两只二极管。在半导体器件发展快，成本较低的今天，此缺点并不突出，因而桥式整流电路在实际中应用较为广泛。 (520101)
2021-05-13 07:31:16
，只要增加两只二极管口连接成"桥"式结构，便具有全波整流电路的优点，而同时在一定程度上克服了它的缺点。桥式整流二极管的作用：1、将交流发电机产生的交流电变为直流电，以实现向用电设备
2017-12-09 11:26:40
便得到全波整流电压。其波形图和全波整流波形图是一样的。从下图中不难看出，桥式电路中每只二极管承受的反向电压等于变压器次级电压的最大值，比全波整流电路小一半。桥式整流电路 桥式整流器的作用及选择 桥
2011-10-20 11:09:52
`编辑-ZD45XT80整流桥是将整流管密封在一个外壳中，D45XT80全桥是将所连接的桥式整流电路的六个二极管密封在一起，构成一个桥式全波整流电路。下面是D45XT80的详细参数和图片
2021-07-15 14:34:02
于开关状态下的漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当幅度的VCS脉冲电压．这一电压会引起栅源击穿造成管子的永久损坏，如果是正方向的VCS脉冲电压，虽然达不到损坏器件的程度，但会导致器件
2009-08-20 18:24:15
，A点的电压就是一个方波，最大值是12V+VBAT，最小值是12V（假设二极管为理想二极管）。A点的方波经过简单的整流滤波，可提供高于12V的电压，在驱动控制电路中，H桥由4个N沟道功率MOSFET
2020-07-15 17:35:23
IGBT在半桥式电机控制中的使用IGBT的特性和功能在直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域有着广泛的应用。IGBT，也就是绝缘栅双极型晶体管，是由
2015-12-30 09:27:49
电路应运而生。LLC谐振变换器能够在较宽的电源和负载波动范围内调节输出，而开关频率波动却较小。在整个工作范围内，能够获得零电压开关（ZVS）半桥LLC谐振变换器LLC电路MOSFET应用不同于PFC
2019-09-17 09:05:04
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的？在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可变电阻状态中，作为开关电路是怎么计算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
使用，BM6101是一款电流隔离芯片，通过它进行两级驱动Mosfet管。而驱动的电压就是通过开关电源调整得到的电压，驱动电路还如下图黄框出提供了死区调整的电阻网络。利用示波器在在这时对栅极源极电压
2020-06-07 15:46:23
。碳化硅有优点相当突出。是半导体公司兵家必争之地。应用场景;评估板采用常见的半桥电路配置，并配有驱动电路、驱动电源、过电流保护电路及栅极信号保护电路等评估板的主要特点如下： 可评估 TO-247-4L
2020-07-26 23:24:05
，Mosfet管的栅极输入端相当于是一个容性网络，因此器件在稳定导通时间或者关断的截止时间并不需要驱动电流，但是在器件开关过程中，栅极的输入电容需要充电和放电，此时栅极驱动电路必须提供足够大的充放电脉冲电流
2020-07-16 14:55:31
要的通道间时序匹配和停滞时间。另一问题是，高压栅极驱动器并无电流隔离，而是依赖IC的结隔离来分离高端驱动电压和低端驱动电压。在低端开关事件中，电路中的寄生电感可能导致输出电压VS降至地电压以下。发生这种
2018-07-03 16:33:25
整流器配置中的四个二极管是对AC电压进行整流的最简单、也是最常规的方法。在一个桥式整流器中运行一个二极管可以为全桥整流器和汽车用交流发电机提供一个简单、划算且零静态电流的解决方案。不过，虽然二极管通常
2018-09-03 15:32:01
时，VT2管的栅极通过晶体管V3获得电压和电流，充电能力提高，因而开通速度加快。b.保护功能图2虚线框中，1N4744是栅源间的过压保护齐纳二极管，其稳压值为15 V。由于，功率MOSFET管栅源间的阻抗
2020-08-25 14:11:27
的电感和电容之外的杂散电感和电容。需要认识到，SiC MOSFET 的输出开关电流变化率 (di/dt) 远高于 Si MOSFET。这可能增加直流总线的瞬时振荡、电磁干扰以及输出级损耗。高开关速度还可能导致电压过冲。满足高电压应用的可靠性和故障处理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
到交流电路时，它可以使电路中的电流只向一个方向流动。 ASEMI整流桥通常由单相桥式全波整流器的4个二极管组成和三相桥式全波整流器的6个二极管组成（ASEMI厂家都将其封装在一个器件中，统称为整流桥，方便
2021-10-14 16:12:29
什么是单相桥式整流电路：电路中采用四个二极管，互相接成桥式结构。利用二极管的电流导向作用，在交流输入电压U2的正半周内，二极管D1、D3导通，D2、D4截止，在负载RL上得到上正下负的输出电压；在负
2021-07-06 06:03:14
，基本保持不变。这些都是基于桥式电路解决漏电流的方法，近年来出现了一种双Buck逆变器结构，这种逆变器具有无桥臂直通，体二极管不工作，双极性工作等突出特点，因而应用广泛。本文提出一种新型的三电平双
2018-09-28 16:28:02
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET，使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接，来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
的平均电流（即正向电流）为:ID=1/2 IL=1/2*UL/RL =0.45*U2/RL加在二极管两端的反向电压为：URM=2E2=2√2*U2二、桥式整流电路桥式整流电路输入电压E2为正半周时，对D1
2023-02-20 09:11:33
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19:21
通过变压器负载。因此，在两个控制开关K1和K2同时处于过渡过程期间，两个开关器件将会产生很大的功率损耗。为了降低控制开关过渡过程产生的损耗，一般在半桥式开关电源电路中，都有意让两个控制开关的接通和截止
2018-10-12 16:37:43
光耦合隔离器不会产生这种情况。为缓冲器供电的最直观的方法，是为半桥的每一个浮动区域提供专用的隔离式DC-DC转换器。对于多引脚系统，低端栅极驱动器可以共享一个电压源，只要有足够的电流输出即可，如图2中
2018-10-16 13:52:11
单相桥式整流电路输出电压的波形是怎样的？三相鼠笼式异步电动机定子的绕组彼此互差多少的电角度呢？动力控制电路通电测试的最终目的是什么？
2021-09-18 07:22:03
什么是单相桥式整流电路： 电路中采用四个二极管，互相接成桥式结构。利用二极管的电流导向作用，在交流输入电压U2的正半周内，二极管D1、D3导通，D2、D4截止，在负载RL上得到上正下负的输出
2018-10-15 16:36:20
，导致Cp上的电压降低。反激开关MOSFET 源极流出的电流（Is）波形的转折点的分析。 很多工程师在电源开发调试过程中，测的的波形的一些关键点不是很清楚，下面针对反激电源实测波形来分析一下。问题一
2018-10-10 20:44:59
用的MOSFET必须具有一个小于等于3V的栅源电压 (VGS) 阀值，以及低栅极电容。另外一个重要的电气参数是MOSFET体二极管上的电压，这个值必须在低输出电流时为0.48V左右。德州仪器 (TI) 60V
2018-05-30 10:01:53
时，光耦输出三极管集电极为低电平，功放电路中三极管Q1截止、Q2导通，施加在IGBT栅极与发射极之间电压为-9V，IGBT关断。4、电源试验图5（a）、（b）分别是输出电流45A时全桥变换器两个桥臂中点A
2018-10-19 16:38:40
和K2、K3同时处于过渡过程期间，4个开关器件将会产生很大的功率损耗。为了降低控制开关过渡过程产生的损耗，一般在全桥式开关电源电路中，都有意让两组控制开关的接通和截止时间错开一小段时间。 4结论
2018-09-28 10:07:25
3所示，在基本无桥Boost APFC 电路上增加两个快恢复二极管VD3和VD4. 图3中，电阻Rs 为电感中的电流检测电阻，使电流检测电路减化。虽然Rs 在工作时会产生一定损耗，但只要阻值选择
2018-09-28 16:29:47
来设置单极或双极 PWM 栅极驱动器延迟时间短，上升和下降时间短提供用于驱动半桥的信号和电源反激式恒定导通时间，无需环路补偿可以在 24V±20% 范围内宽松调节输入此电路设计经过测试并包含测试结果
2018-12-21 11:39:19
IGBT和SiC MOSFET的电压源驱动和电流源驱动的dv/dt比较。VSD中的栅极电阻表示为Rg，控制CSD栅极电流的等效电阻表示为R奥特雷夫。 从图中可以明显看出，在较慢的开关速度（dv/dt
2023-02-21 16:36:47
MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下，如图1所示。由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地，较容易设计驱动电路，而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的，因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设...
2021-07-27 06:44:41
） MOSFET很难在图腾柱PFC拓扑中的连续导通模式（CCM）下工作，因为体二极管的反向恢复特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的威廉希尔官方网站
，比Si MOSFET具有更胜一筹的开关性能、极小
2022-04-19 08:00:00
高压驱动器电路来实现所需要的通道间时序匹配和停滞时间。另一问题是，高压栅极驱动器并无电流隔离，而是依赖IC的结隔离来分离高端驱动电压和低端驱动电压。在低端开关事件中，电路中的寄生电感可能导致输出电压VS
2018-10-23 11:49:22
的一个潜在问题是，仅有一个隔离输入通道，而且依赖高压驱动器来提供通道间所需的时序匹配以及应用所需的死区。另一问题是，高压栅极驱动器并无电流隔离，而是依赖结隔离来分离同一IC中的上桥臂驱动电压和下桥臂驱动
2018-10-16 16:00:23
电路来实现所需要的通道间时序匹配和停滞时间。另一问题是，高压栅极驱动器并无电流隔离，而是依赖IC的结隔离来分离高端驱动电压和低端驱动电压。在低端开关事件中，电路中的寄生电感可能导致输出电压VS降至地电压
2018-09-26 09:57:10
中，它又分为全桥与半桥。 全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的，图是其外形。 全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A
2018-11-28 11:05:12
整流桥是利用二极管的特性“单向导电性”，实现正向电流时导通负向电流关断，从而达到交流变直流的整流效果。一、整流桥介绍：整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路
2015-11-27 18:09:57
触发脉冲。 最简单的单脉冲晶闸管相控整流电路如图1.2所示，控制触发脉冲施加的时间就可以控制输出电压。2.单相桥式全控整流电路单相桥式全控整流电路的原理和以及在阻性负载情况下的...
2021-09-16 08:05:54
流过漏极和栅极之间的电容并流出栅极。驱动器必须能够接受此电流。这也是为什么外部栅极电阻必须由快速二极管并联以防止该电流在电阻两端产生过高电压的原因之一。对于中型MOSFET，1 N 4150 可以完成
2023-02-20 16:40:52
开路整流电路没有直流电压输出。这是因为桥式整流电路中各整流二极管的电流不能构成回路，整流电路无法正常工作。任一只二极管开路整流电路所输出的单向脉动直流电压下降一半。这是因为交流输入电压的正半周或负半周
2011-12-15 15:04:58
稳压值为15 V．由于，功率MOSFET管栅源间的阻抗很高，故工作于开关状态下的漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当幅度的VCS脉冲电压．这一电压会引起栅源击穿造成管子的永久损坏，如果是
2008-10-21 00:50:02
和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力，适用于驱动 SiC
2018-10-16 17:15:55
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
及原理 本充电器电路主要由市电整流滤波、自激加他激半桥转换、PWM控制、电压控制、电流控制、输出整流滤波及显示六部分组成。 整流滤波 市电220V/50Hz经二极管D1～D4桥式整流、电容C5～C7
2011-01-12 10:33:10
栅极处获得 20V，以便在最小 RDSon 时导通。 当以0V关闭SiC MOSFET时，必须考虑一种效应，即Si MOSFET中已知的米勒效应。当器件用于桥式配置时，这种影响可能会出现问题，尤其是
2023-02-24 15:03:59
电压是整流前的0.9倍总结：（1）画图时要注意4只整流二极管连接方法。（2）电源变压器次级线圈不需要抽头。（3）每一个半周交流输入电压期间内，有2只整流二极管同时串联导通，另2只整流二极管截止。（4）桥式整流电路输出波形是全波波形。
2020-05-29 07:58:47
`如图1所示是负极性桥式整流电路。电路中的VD1～VD4四只整流二极管构成桥式整流电路，T1是电源变压器。电路结构与正极性电路基本相同，只是桥式整流电路的接地引脚和直流电压输出引脚不同，两只
2011-12-15 15:15:25
Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。■负载开关等效电路图关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对
2019-07-23 01:13:34
） MOSFET很难在图腾柱PFC拓扑中的连续导通模式（CCM）下工作，因为体二极管的反向恢复特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的威廉希尔官方网站
，比Si MOSFET具有更胜一筹的开关性能、极小
2022-05-30 10:01:52
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35:35
参考Q1的悬空源极电压。高端MOSFET源极上的电压尖峰当Q1和Q4接通时，负载电流从Q1经过负载流到Q4和地。当Q1和Q4断开时，电流仍然沿同一方向流动，经过续流二极管D6和D7，在Q1的源极上产生
2018-10-24 10:28:10
引脚，并仅使用体二极管换流工作的电路。Figure 6 是导通时的漏极 - 源极间电压 VDS 和漏极电流 ID 的波形。这是驱动条件为 RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID 约为 50A
2020-11-10 06:00:00
中，我们将对相应的对策进行探讨。关于栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明。
2021-06-12 17:12:00
2563 
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。 在本文中，我们将对相应的对策进行探讨。 什么是栅极－源极电压产生的
2021-06-10 16:11:442121 SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53753 本文将介绍在SiC MOSFET这一系列开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。
2022-12-05 09:52:55890 从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。前言：MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。
2023-02-08 13:43:23491 
上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作：下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。
2023-02-08 13:43:23399 
在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:16589 
关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明，如果需要了解,请参阅这篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
下面的电路图是SiC MOSFET桥式结构的同步式boost电路，LS开关导通时的示例。电路图中包括SiC MOSFET的寄生电容、电感、电阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的变化带来的各处的栅极电流（绿色线）。
2023-02-27 13:43:31486 
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。在本文中，我们将对相应的对策进行探讨。
2023-02-28 11:36:50551 
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 
板布局注意事项。 桥式结构SiC MOSFET的栅极信号，由于工作时MOSFET之间的动作相互关联，因此导致SiC MOSFET的栅－源电压中会产生意外的电压浪涌。这种浪涌的抑制方法除了增加抑制电路外，电路板的版图布局也很重要。希望您根据具体情况，参考本系列文章中介绍的
2023-04-13 12:20:02814 SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14644 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17223 
MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571
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