本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
2023-11-27 17:12:01
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，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心威廉希尔官方网站
。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光威廉希尔官方网站
（最明显
2023-06-15 15:50:54
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着威廉希尔官方网站
的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体威廉希尔官方网站
需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
，并且顺丰包邮。 2022 年 5 月 15 日，联想官方在电商平台发起氮化镓快充价格战，YOGA 65W 双口 USB-C 氮化镓充电器到手价仅需 59.9元。这是一款正儿八经的大功率氮化镓充电器
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体威廉希尔官方网站
解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓威廉希尔官方网站
、供应链优化、器件封装威廉希尔官方网站
以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
。与典型的PN结MOSFET不同，GaN器件的双向结构可以使用双栅结构控制电流。用于电机驱动的矩阵转换器可以通过利用双向设备潜在地减少开关的数量。此外，氮化镓器件可以在比硅器件更高的温度下工作，这使其成为
2019-03-14 06:45:11
波段，随着衬底、外延、芯片和封装威廉希尔官方网站
的不断进步，蓝光激光器的性能在不断提升。 图3、（a）氮化镓/蓝宝石模板和（b）GaN自支撑衬底的位错缺陷对比（图中暗斑为位错缺陷） 在衬底方面，早期的氮化镓
2020-11-27 16:32:53
氮化镓电源设计从入门到精通，这个系列直播共分为八讲，本篇第六讲将为您介绍EMC优化和整改技巧，助您完成电源工程师从入门到精通的蜕变。前期回顾（点击下方内容查看上期直播）：- 第一讲：元器件选型
2021-12-29 06:31:58
射频半导体威廉希尔官方网站
的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)威廉希尔官方网站
在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
降低了产品成本。搭载GaN的充电器具有元件数量少、调试方便、高频工作实现高转换效率等优点，可以简化设计，降低GaN快充的开发难度，有助于实现小体积、高效氮化镓快充设计。 Keep Tops氮化镓内置多种
2023-08-21 17:06:18
` 本帖最后由 射频威廉希尔官方网站
于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他威廉希尔官方网站
相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
板上看出，得益于使用合封氮化镓器件，芯片无需辅助散热措施即可满足27W的连续输出，并且合封将控制器和开关管集成在一颗芯片内，初级的元件也十分精简，可满足高性价比的氮化镓快充设计。钰泰半
2021-11-28 11:16:55
GaN功率转换器件的文件，但它仅建立了测试这些器件的开关可靠性的方法。 硅MOSFET与氮化镓HEMT的开关特性。图片由富士通提供克莱斯勒，福特和通用汽车在1990年代成立了汽车电子协会（AEC），以
2020-09-23 10:46:20
教授，AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件在汽车应用中的加速采用的报告，分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。近年来，垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本
2018-11-05 09:51:35
赶上甚至超过了成本昂贵的硅上氮化镓产品的替代威廉希尔官方网站
。我们期待这项合作让这些GaN创新在硅供应链内结出硕果，最终服务于要求最高的客户和应用。”意法半导体汽车与分立器件产品部总裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
$0.1/KWh，仅将新的宏基站替换使用氮化镓威廉希尔官方网站
，一年节省的电费可超过$100M。MACOM公司的MAGb功率晶体管系列在真实的基站工作温度200°C的环境下MTTF超过106小时，由此可见该器件在
2017-08-30 10:51:37
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳达优势供应NV6115氮化镓MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器丝印1342AMDCD。产品信息1、NV6115氮化镓MOS丝印：NV6115芯片介绍：NV6115氮化镓MOS，是针对
2021-01-08 17:02:10
产品名称：氮化镓晶体管QPD1004产品特性频率范围：30 - 1200 MHz输出功率（p3db）：40 W在1 GHz线性增益：20.8分贝典型的1 GHz典型的pae3db：73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
HEMT运行2.7至3.1 GHz和50V电源轨。该装置是甘移完全匹配50欧姆的一个行业标准的气腔封装，非常适合于军用雷达。产品型号: QPD1018产品名称：氮化镓晶体管QPD1018产品特性频率范围
2018-07-27 09:06:34
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
、测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。产品型号: TGF2977-SM产品名称：氮化镓晶体管TGF2977-SM产品特性频率范围：直流- 12 GHz输出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz线性增益
2018-07-25 10:06:15
由于换了三星手机，之前的充电器都不支持快充了，一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器，「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的充电器，这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31
Canaccord Genuity预计，到2025年，电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50％或更多。本文将探讨氮化镓（GaN）电子器件，也涉及到一点碳化硅（SiC），在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅威廉希尔官方网站
相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
，在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变，初级FET的一般损耗方程可以最小化，从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现，将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
次，与之相反，因此它具有更低的功耗（工作效率）。那么，为何碳化硅比氮化镓更早用于耐高压应用？原因是，在 MOS场效应管的制造中，碳化硅更容易形成SiO2 (SiO2)，「氮化镓晶片面临三大难题」（森
2023-02-23 15:46:22
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端威廉希尔官方网站
将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
connection）以减轻影响。碳化硅和氮化镓器件非常快的dV/dt也会造成类似的效果，通过漏栅米勒电容将瞬态耦合到栅极。在实践中，电流和电压边缘速率通常通过增加串联栅极电阻和/或缓冲器故意降低，尤其是在开关频率通常
2023-02-05 15:14:52
（GaN）原厂来说尤为常见，其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题，下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户，用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源，因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
设计开关电源的挑战双管反激主要特点双管反激基本工作原理双管反激的好处双管QR反激与单开关反激对比分析
2021-04-06 09:07:45
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
导通电阻。为了分析的目的，进行了后者：通过降低ID，周六的氮化镓。SCCL是在Transphorm的核心威廉希尔官方网站
上实现的，通过使用专有工艺沿GaN-HEMT的宽度去除2DEG通道的段。标准GaN-HEMT
2023-02-22 16:27:02
材料特性对比展开，通过泰克仪器测试英飞凌GaN器件来进行氮化镓特性的测量与分析。方案配置：示波器MSO5+光隔离探头TIVH08+电压及电流探头+电源和IGBT town 软件第二步：电路设计和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
如何选择PD快充中USB端口的防护器件SD05？
2022-01-14 07:19:46
，因此预期EMI相同。在基于氮化镓器件的100 kHz 解决方案中，输出电流纹波降低，而电机的电流具有更好的正弦形状。
图 5：带有 LC 输入滤波器的传统逆变器，PWM = 20 kHz、DT
2023-06-25 13:58:54
已经在电池上采用多极耳，多条连接线来降低大电流的发热。氮化镓的低阻抗优势，可以有效的降低快充发热。应用在手机电池保护板上，可以支持更高的快充功率，延长快充持续时间，获得更好的快充体验。同时氮化镓属于宽禁
2023-02-21 16:13:41
、努比亚、魅族在内的六款氮化镓快充充电器。加上华为在P40手机发布会上，也发布了一款65W 1A1C氮化镓快充充电器，成为第七家入局氮化镓快充的手机厂商。从各大知名手机品牌的布局来看，氮化镓快充普及趋势
2021-04-16 09:33:21
以适当的注意，测试设备和测量威廉希尔官方网站
引入的寄生元件，特别是在较高频率下工作，可能会使GaN器件参数黯然失色，并导致错误的测量结果。 应用说明“高速氮化镓E-HEMT的测量威廉希尔官方网站
”（GN003）解释了测量威廉希尔官方网站
2023-02-21 16:30:09
INN3365C使用。
贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司，具有体积小、重量轻等特色，非常适合应用于氮化镓快充这类高密度电源产品中。料号为TMY1102M。
特锐祥专注于被动元器件的研发、生产及销售
2023-06-16 14:05:50
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端威廉希尔官方网站
将功率级
2022-11-10 06:36:09
反向输出，节省了一路充电或者输出电路，大大降低成本，也推动了大功率PD移动电源的普及。由于E-MODE氮化镓器件在5V驱动电压下可以做到完全开启，支持逻辑电平驱动输出的同步升降压控制器，驱动电压通常也不
2021-11-02 09:03:39
功率密度计算解决方案实现高功率密度和高效率。
误解2：氮化镓威廉希尔官方网站
不可靠
氮化镓器件自2010年初开始量产，而且在实验室测试和大批量客户应用中,氮化镓器件展现出具备极高的稳健性。EPC器件已经通过数千亿个
2023-06-25 14:17:47
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片威廉希尔官方网站
及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
射频半导体威廉希尔官方网站
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成为接替传统LDMOS威廉希尔官方网站
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。
2019-09-02 07:16:34
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席威廉希尔官方网站
官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 编辑
氮化镓作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域得到了广泛关注。作为国内领先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潜心研发
2021-11-12 11:53:21
结构将击穿电压提高到了750伏。在这些器件中，氧化镓实现高工作电压相对容易，这一成绩相当显著；仅仅几年，这种材料的研究就取得了长足进步，而氮化镓的研究则花了几十年的时间。 不过，在更快的开关电源应用中
2023-02-27 15:46:36
在功率转换应用中，使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的宽带隙（WBG）半导体器件作为开关，能让开关性能更接近理想状态。相比硅MOSFET或IGBT，宽带隙器件的静态和动态损耗都更低。此外还有
2023-02-05 15:16:14
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 威廉希尔官方网站
搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的威廉希尔官方网站
，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
TI GaN开关的集成电路。这些器件在硅材料兼容晶圆制造工厂内生产，并且用我们数十年工艺威廉希尔官方网站
经验提供品质保证。“借助3百万小时以上的可靠性测试，LMG3410使得电源设计人员有信心挖掘GaN的潜能，并且
2018-08-30 15:05:50
深圳市三佛科技有限公司 供应 LP8728D 30W快充/户外屏反激电源ic，原装，库存现货热销 品牌：芯茂微型号：LP8728C/D封装：PDFN5*6功率范围：18-33W
2022-03-09 15:17:42
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:342704 
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667 智融推出了一颗USB PD快充协议芯片SW2303，适用于单口USB PD快充及单口氮化镓快充产品中。据悉，除了USB PD快充协议之外，该芯片还可兼容QC、FCP、高低压SCP、AFC、SFCP
2022-07-29 16:46:40
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