在驱动MOS管时,我们希望给到MOS管栅极是标准的电压方波波形,但是在实际情况下,我们在测得的Ugs波形往往是带有振荡的。
2023-06-25 14:26:262112 上一篇文章我们介绍过,为了使MOS管完全导通,需要尽量提高栅极的驱动电流。那是不是栅极驱动电流越大越好呢,即驱动电路的内阻越小越好?
2023-08-14 09:34:182447 前一段时间有个兄弟问了个问题,把我问住了,问题是这个: 如上图,串联的电阻R1到底是放在靠近IC端,还是靠近MOS端?(注意,图中的L1是走线寄生电感,并不是这里放了个电感器件) 我们具体沟通的情况
2023-09-26 16:51:26646 由于MOS管栅极寄生电容以及寄生电感的存在使得MOS管驱动时栅极很容易发生谐振,常采用的办法是在栅极串接一个小电阻,我想问为什么电阻可以抑制振荡?请众位大神解释原因,呵呵,知其然不知其所以然!
2014-05-24 15:28:54
大功率电源的PFC电路中,根据MOS管的Qg和导通时间计算栅极驱动电流约5A。按照一般的说法,如果驱动电流设计的太大,会引起电压过冲和振荡,除此之外,还会有什么不利后果?会损坏MOS管吗?根据经验一般最大在多少A比较好?谢谢指教!
2022-05-05 23:01:18
MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因
2017-06-01 15:59:30
栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。静电放电形成的是短时大电流,放电脉冲的时间常数远小于器件散热的时间常数。因此,当静电放电电流通过面积很小
2016-07-21 10:55:02
的顺着MOS管驱动器的回路到地。而且,这个电阻也会让正常的MOS管关闭的更加迅速。 但是,不能说关断速度越快越好,我们的实际应用中,驱动器到MOS管栅极的走线以及MOS管的输出所接的负载或多或少都会
2023-03-15 16:55:58
的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010
2012-08-15 21:08:49
1、首先看一个普通SOT-23封装mos管的开关参数Qg表示MOS管开关导通时栅极需要的总的电荷量,这个参数直接反应mos管的开关速度,越小的话MOS管的开关速度就越快。
2021-10-29 08:10:05
三极管放大好理解,输入电流被放大,波形相位都保持不变,峰峰值变大。但是MOS管放大我就不理解了,栅极绝缘没有电流流入,那么他放大的是什么呢?看起来MOS管只是由栅极电压控制的一个开关,或者说是由栅极电压控制一个可变电阻。请前辈们来解答疑惑
2020-03-04 14:22:43
的等效模型(以我最熟悉的N-MOS管举例)。给大家介绍几个必须掌握的名词VDSS:漏极于源极之间所施加的最大电压值。VGSS:栅极与源极之间所能施加的最大电压值。IDC:漏极允许通过的最大直流电流值。Tch:MOS管的沟道的上限温度热阻:表示热传导的难易程度,热阻值越小,散热性能越好。IDSS:漏极
2021-07-05 06:47:47
,可以使MOS管的VT值降到2~3V。 2.直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比,这一特性有时以流过栅极的栅流表示,MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3.漏源击穿
2018-11-20 14:06:31
~3V。 2.直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比,这一特性有时以流过栅极的栅流表示,MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3.漏源击穿电压BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
吗,为什么?2、导通之后,三极管基极和MOS管栅极的电流几乎一样,而且是pf级别的,非常小。所以具体过程是不是刚开始MOS栅极电流很大,等到MOS管完全导通后栅极电流就变小,但为什么这个电流会变小呢?
2021-04-27 12:03:09
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度比三极管快。
2023-03-12 05:16:04
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的?在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V,在可变电阻状态中,作为开关电路是怎么计算R5和R6?
2021-04-19 00:07:09
了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。 上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小
2019-02-14 11:35:54
有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。MOS管的驱动电路及其损失,可以
2011-11-07 15:56:56
一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话, MOS管 开关速度越快越好
2021-11-12 08:20:58
,发热也会增大,极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小,一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-03 07:00:00
,发热也会增大,极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小,一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-05 08:00:00
,发热也会增大,极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小,一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种
2019-07-05 07:30:00
MOS管用于开关电路时候G极有必要串联电阻吗?我用N沟道的,另外还需要接下拉电阻吗?下拉电阻接多少欧姆合适?还有G极串多少欧姆电阻合适?我项目是通过单片机IO口PWM输出信号控制MOS管的G极,请问单片机IO口到MOS管G极串电阻和不串电阻有什么区别?越详细越好。
2017-04-20 10:42:01
老规矩先放结论:与反向并联的二极管一同构成硬件死区电路形如:驱动电路电压源为mos结电容充电时经过栅极电阻,栅极电阻降低了充电功率,延长了栅极电容两端电压达到mos管开启电压的速度;结电容放电时经
2021-11-16 08:27:47
关于mos管的驱动知识点不看肯定后悔栅极电阻的作用是什么?
2021-09-18 09:17:37
本帖最后由 QWE4562009 于 2020-5-19 13:57 编辑
电阻和MOS串联再和另一个电阻并联问题如果是这样导通电压不需要考虑不过增加了新的问题G点电压可能会影响到S端 从而
2020-05-15 10:01:27
):290NS工作温度:-55~+150℃引线数量:3 1、去掉连接6N60栅极和源极的电阻,万用表红黑表笔不变。如果去掉电阻后针逐渐恢复到高阻或无穷大,则MOS管就漏电,不变则完好。2、然后用一根导线
2021-10-23 15:15:38
全桥逆变后接的是容性负载,全桥的高压是220v整流的,驱动是用的ir21834做的 自举电容是用的1uf快速二极管用的是rf107mos管耐压是500v 电流8a 全桥逆变接容性负载工作大概3分钟mos管的漏极和栅极通了且mos管的封转裂了 是由于负载引起的过热还是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
,就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了mos芯片能承受的最大导通电流(当然和其它因素有关,最有关的是热阻)。内阻越小承受电流越大(因为发热小)。Mos问题远没这么简单,麻烦在它的栅极和源级间,源级和漏
2019-07-26 07:00:00
~200K电阻连接于栅极和漏极,如图5-4所示;这时表针指示欧姆数应该越小越好,一般能指示到0欧姆,这时是正电荷通过100K电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场,由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导
2012-08-09 14:45:18
如图所示,为什么要串联一个电感呢?这么做不会减慢MOS管的打开速度吗,或许还有什么作用?
2019-01-12 13:44:13
和源极是绝缘的,所以栅极上无需串联电阻进行限流。 相反,考虑到MOS管栅极存在的寄生电容,为了加快MOS管导通和截止的速度,降低MOS管在导通和截止过程中的损耗,它的栅极上的等效电阻应该越小越好
2023-03-10 15:06:47
1. 什么是MOS管?MOS管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称。1.1 如何判断MOS管的G栅极、D漏极、S源极?(1)引脚一般如上图所示。(2)万用表测量,方法如下S源极与D漏极之间应该有
2021-12-31 06:20:08
,并联复合管管子一般不超过4个,而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。 (8)结型MOS管的栅源电压不能接反,可以在开路状态下保存,而绝缘栅型MOS管在不使用时,由于它的输入电阻非常高,须将各
2020-06-28 16:41:02
有两个MOS管串联,起到双向导通截止作用,左右两边是电池和电源。驱动用tlp250这样可以吗,如果可以,那电池电源和驱动的电源需要隔离还是共地也可以。
2017-11-08 16:07:52
不能用。 保持上述状态;此时用一只100K~200K电阻连接于栅极和漏极,如下图所示;这时表针指示欧姆数应该越小越好,一般能指示到0欧姆,这时是正电荷通过100K电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极
2018-11-01 15:21:31
我们经常看到,在电源电路中,功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻,几欧姆到几十欧姆不等,那么这个电阻用什么作用呢? 如上图开关电源,G串联电阻R13这个电阻的作用有2个作用:限制G极电流,抑制振荡。限制G极电流MOS管是由电压驱动的,是以G级电流很小,但是因为寄生电容的存在,在MO...
2021-11-12 08:20:11
都怕静电; Mos开关原理(简要):Mos是电压驱动型器件,只要栅极和源级间给一个适当电压,源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻,就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了mos芯片
2020-06-26 13:11:45
两个mos管,第一个MOS管栅极接单片机io口,通过io口控制通断继而控制第二个mos管通断,开关频率要求不高,对开关时间和导通电阻有要求,开关时间和导通电阻都要尽可能小,有没有推荐的电路图和MOS管,图片是我画的简单示意图
2018-10-16 22:40:53
在保护电路中三极管的放大倍数是越大越好还是越小越好呢?
2023-05-05 17:57:03
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡,是否栅极电阻越大越好,为什么?请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡,是否栅极电阻越大越好,为什么?请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
(因为我在做电机时候,逆变桥用自举驱动MOS管是要GND网络的,不知道这个是否需要),我有个想法就是不需要此GND网络,但是在栅极和源极之间需要并个大电阻,不知这样是否可行。
2020-11-11 20:39:43
,实际上MOS管并联多了容易引起走线很长,分布电感电容加大,对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下 上图中,R1-4为栅极驱动电阻,每个MOS管都由独立
2018-10-12 16:47:54
利用MOS 管实现串联电阻以消除补偿电容带来的低频零点,通过高 输出阻抗镜像电流镜增大了电路的增益,并用共源共栅电流源为电路提供偏置电流以减小电 源电压的变化对偏置电流影响。
2021-04-22 06:17:30
MOS管简单模型MOS管带载能力与漏源电流和内阻息息相关。漏源电流越大,内阻越小,带载能力越强。分析如下:MOSFET在导通之后,其特性可以近似认为是一个电阻,VCC→RDS(on) →RL→GND
2023-02-16 15:21:14
维修过程中的拦路虎,如何区分和判断成为必要手段。MOS管和IGBT管的辨别带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管的识别带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管它们的栅极位置一样
2019-05-02 22:43:32
一个LC振荡电路,如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话,在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡,导致MOS管急剧发热甚至爆炸,一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻,降低LC振荡电路的Q
2019-04-29 08:00:00
怎样去计算MOS管栅极的驱动电流呢?如何对MOS管的驱动波形进行测试呢?
2021-09-28 07:36:15
1、沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用MOS管必须清楚这个参数是否符合需求
2019-01-03 13:43:48
是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用
2018-12-03 14:43:36
无线收发模块体积真的是越小越好么?无线收发模块传输距离越远越好么?
2021-07-14 07:40:08
开关MOS管与线性MOS管的区别,1.是不是开关MOS管的只有“开”与“关”2种状态?2.是不是线性MOS管可以利用栅极的电压大小来控制导通的比率?3.开关的MOS管是使用数字信号控制。而线性的MOS管使用模拟信号控制?
2023-03-15 11:51:44
,实际上MOS管并联多了容易引起走线很长,分布电感电容加大,对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下 上图中,R1-4为栅极驱动电阻,每个MOS管都由独立
2018-11-28 12:08:27
对MOS管是有害的。如果必须在MOS管栅极前加齐纳二极管,那么可以在MOS管的栅极和齐纳极管之间插入一个5~10欧的小电阻或在栅源之间接一个小电容(电容值要小于MOS管输入电容的1/50)来消除自振荡
2018-10-19 16:21:14
,或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生,通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻,电阻的大小一般选取几十欧姆。 2)防止栅源极间过电压,由于栅极与源
2018-12-10 14:59:16
外界或驱动电路损坏超过允许最高电压(栅极电压一般需低于20v安全)以及静电损坏。 4、MOS管的开关原理(简要) MOS管是电压驱动型器件,只要栅极G和源级S间给一个适当电压,源级S和漏级D间导电
2019-02-28 10:53:29
湿敏电阻的特征阻抗,越大越好还是越小越好? 在制程上是如何达成的?
2022-08-29 13:52:01
为0,此时mos管栅极电压变为-6.3V(正常情况下,AI+输入0时,栅极电压受ref反偏影响在-3v左右),即使再次给定AI+AI-至50a电流的给定值,mos管仍无法开通,栅极电压仍维持在-6.3v。请大家帮忙分析下什么原因?谢谢
2018-08-22 11:27:10
Rg具体会影响到那些参数?我个人的理解是①这个电阻对MOS管的开关频率有关,决定了对mos管的输入输出电容的充放电时间②匹配集成驱动的驱动能力,电阻越到,集成驱动所需的最大驱动电流也就越小。大家有什么看法,请教一下
2017-06-05 11:28:22
这个是一个升压电路的部分电路,6脚PWM输出控制N-MOS,我仿真发现不同的栅极电阻R6,PWM经过R6后,波形失真很严重,请问这个R6是如何影响到后级波形,图中灰色的代表PWM输出,黄色代表经过R6后的栅极门波形
2017-08-11 10:24:02
MOS管栅极接的100K电阻起什么作用,这个电阻取值是的依据是什么。
2018-10-24 15:51:49
文章介绍了MOS管栅极电阻会影响开通和关断时的损耗,应该选用多大阻值的呢?
2016-05-06 16:57:5335 功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻,几欧姆到几十欧姆不等,那么这个电阻有什么用呢?
2019-06-28 08:29:0733437 我们经常看到,在电源电路中,功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻,几欧姆到几十欧姆不等,那么这个电阻用什么作用呢? 如上图开关电源,G串联电阻R13 这个电阻的作用有2个作用:限制G极电流,抑制
2020-03-13 11:24:257832 本文主要阐述了万用表测接地电阻方法,另外还分析了接地电阻为什么越小越好。
2020-03-19 08:57:5517830 我们经常看到,在电源电路中,功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻,几欧姆到几十欧姆不等,那么这个电阻用什么作用呢? 如上图开关电源,G串联电阻R13这个电阻的作用有2个作用:限制G极电流,抑制振荡。限制G极电流MOS管是由电压驱动的,是以G级电流很小,但是因为寄生电容的存在,在MO...
2021-11-07 12:50:5930 芯片为什么越小越好,首先我们需要了解芯片的工作原理及制成,目前大多数芯片都是由微型硅晶体管制成的,这些晶体管的尺寸非常小,一个芯片上有数百个晶体管。
2022-07-05 16:48:5124952 在一周前看到在公众号“电机控制设计加油站”的一篇推文,“Why 100Ω? 较真的教授发现简单结论背后不简单的问题”(点击加黑文字可以跳转到该推文),对MOSFET管栅极为什么放置“一个约100Ω串联电阻”进行讨论。
2022-07-25 10:09:142929 MOS管也可以没有栅极电阻的情况下工作,但添加一个栅极电阻可以防止一些潜在的问题。一般为1000 Ω就可以。
2022-07-29 16:18:324159 在了解mos管栅极电阻的作用之前,我们先了解一下mos管栅极及其他2个极的基础知识。场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用
2022-09-27 15:29:507349 如果没有栅极电阻,或者电阻阻值太小MOS导通速度过快,高压情况下容易击穿周围的器件。
2022-10-27 09:41:296054 1、如果没有栅极电阻,或者电阻阻值太小 MOS导通速度过快,高压情况下容易击穿周围的器件。 2、栅极电阻阻值过大 MOS管导通时,Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆
2022-11-04 13:37:245049 在高压下,PCB的设计也需要注意。栅极电阻最好紧靠栅极,并且导线不要与母线电压平行分布。否则母线高压容易耦合至下方导线,栅极电压过高击穿MOS管。
2023-01-10 11:33:55690 MOS管,又叫绝缘栅型场效应管,属于电压控制电流型元件,是开关电路中的基本元件。其特点是栅极(G)的内阻极高。场
效应管分为P型和N型,P型场效应管由于跨导小、阈值电压高等原因,已经逐渐被NMOS所取代。
2023-03-20 11:21:432 吉事励电压源要求电阻越小,电源越好,电流源要求内阻越高越好
1、在分析和求解复杂电路时,我们需要将有功电路转换为理想电源。实际电源的主要参数是内部电阻和电动势。理想电源有两种
2021-03-22 10:14:345221 的正向电压越小,其性能越好的原因如下。 首先,正向电压越小,器件的正向导通能力越强。当二极管正向导通时,其表现为低电阻,这时器件内部形成一个稳定的电压,即正向压降,使电流能够稳定地通过器件。如果正向电压过大,
2023-10-18 16:54:01713 元器件越小越好吗?
2023-12-14 18:32:28282 电感作为电子电路中非常重要的一种电子元器件,它在电路中的作用是其他电子元器件无可替代的。电感对于整个电路的运行有着非常直接的影响。很多人好奇,电感究竟是越大越好,还是越小越好。本篇我们就来简单探讨
2023-12-25 08:52:28518
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