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SiC MOSFET与同等硅器件相比优势在哪?

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本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301

低边SiC MOSFET关断时的行为

通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比SiC MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20335

SiC MOSFETSiC IGBT的区别

  在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032102

SiC-MOSFET的特征

功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过,如低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较,进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203

SiC-MOSFET的可靠性

ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜,通过工艺开发和元器件结构优化,实现了与Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784

SiC MOSFET学习笔记(三)SiC驱动方案

驱动芯片,需要考虑如下几个方面: 驱动电平与驱动电流的要求首先,由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合,其面对的由于寄生参数所带来的影响更加显著。由于SiC MOSFET本身栅极开启电压较
2023-02-27 14:42:0479

优化SiC MOSFET的栅极驱动的方法

在高压开关电源应用中,相较传统的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET 有明 显的优势
2023-05-26 09:52:33462

SiC MOSFET 器件特性知多少?

点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用,碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事
2023-10-18 16:05:02328

车规级功率模块封装的现状,SiC MOSFET器件封装的威廉希尔官方网站 需求

1、SiC MOSFET器件封装的威廉希尔官方网站 需求 2、车规级功率模块封装的现状 3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装 4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419

如何优化SiC栅级驱动电路?

点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用,碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压
2023-11-02 19:10:01361

SiC MOSFET的封装、系统性能和应用

点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFET和 IGBT相比具有显著优势。SiCMOSFET很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件
2023-11-09 10:10:02334

SIC MOSFET在电路中的作用是什么?

MOSFET的基本结构。SIC MOSFET是一种由碳化硅材料制成的传导类型晶体管。与传统的硅MOSFET相比SIC MOSFET具有更高的迁移率和击穿电压,以及更低的导通电阻和开关损耗。这些特性使其成为高温高频率应用中的理想选择。 SIC MOSFET在电路中具有以下几个主要的作用: 1. 电源开关
2023-12-21 11:27:13687

新型沟槽SiCMOSFET器件研究

SiC具有高效节能、稳定性好、工作频率高、能量密度高等优势SiC沟槽MOSFET(UMOSFET)具有高温工作能力、低开关损耗、低导通损耗、快速开关速度等特点
2023-12-27 09:34:56475

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