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好了，让我们以pN结的形成为起点，进而了解半导体二极管及其应用。

1、本征半导体：纯净 晶体结构 共价键 自由电子 空穴（成对出现）即载流子（2种）【空穴电流 电子电流】

特点：电阻率大 导电性能随温度变化比较大

2、掺杂半导体

a:N型半导体：掺入五价元素杂质（施主杂质），自由电子为多子（多数载流子称为多子）。

空穴为少子

多子的浓度与掺入杂质的浓度有关而不是与温度有关，少子的浓度与温度有关

b:P型半导体：掺入三价元素（硼）受主杂质，空穴为多子，自由电子为少子

若掺入五价元素杂质浓度多于三价杂质浓度，可由P型转向N型

3、PN结的形成

两边多子浓度不同——多子扩散——形成内电场——阻碍多子运动——加强少子的飘移——飘移和扩散达成动态平衡——形成PN结

注：由于交界面两侧的N型半导体和P型半导体存在多子浓度的极大差异，P型半导体一侧的多子为空穴，其浓度远大于N型半导体一侧；N型半导体一侧的多子为电子，其浓度又远大于P型半导体一侧。这种浓度差使多子相互扩散通过交界面到达对方，并与对方的多子复合，使P区靠近交界面处形成一个缺少空穴，只有负离子的薄膜层；N区靠近交界面处形成一个缺少电子，只有正离子的薄层。

4、PN结的单向导电性

a:PN结的正向偏置 P——电源正极 N——电源负极，外电场使内电场减弱，动态平衡打破，多子扩散运动加强，少子飘移运动减弱，形成正向电流——PN导通

b:PN结的反向偏置 P——电源负极 N——电源正极 ，则PN截止

5、pN结上电流与电压关系

存在如IF=Isexp（-eVF/kT）下关系，式中，-e为电子电量；k为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；Is为反向饱和电流，。正向电压U>0,i=Isexp(U/ut); 反向电压U<0,i=IS(I 与U无关）。