在SMT加工过程中，静电放电会对电子元器件造成损伤或失效，随着IC集成度的提高和元器件的逐渐缩小，静电的影响也变得愈加严重。 据统计，导致电子产品失效的因素中，静电占比8%~33%，而每年因为静电
2023-11-15 14:52:56
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ESD静电放电抗扰度测试中出现的问题主要表现在以下几个方面。首先是手机通话中断；其次是ESD静电放电导致手机部分功能失效，但静电放电过程结束后或者重新启动手机之后失效的功能可以恢复。
2015-11-10 15:25:513964 在SMT加工过程中，静电放电会对电子元器件造成损伤或失效，随着IC集成度的提高和元器件的逐渐缩小，静电的影响也变得愈加严重。
2023-11-15 09:25:33741 
从这期开始我将带大家进入静电放电问题的典型案例分析，通过具体的实际案例以帮助大家消化前面的知识，并通过典型案例的分析为后面静电放电设计做铺垫。
2023-11-29 09:17:53347 
这期我带大家继续进行静电放电问题典型案例分析，前篇文章分别介绍了复位信号、DC-DC芯片设计问题引发的静电放电问题；这篇文章将介绍软件设计、PCB环路设计引发的静电放电问题；话不多说，还是通过两个案例展现给大家。
2023-12-11 10:03:46489 的器件特性方面，如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显。 LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项威廉希尔官方网站
是 在相同的源/漏
2020-05-24 01:19:16
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
静电放电(ESD)是一种意外的快速高压瞬态波形，出现在电路内的导体上。ESD引起的高电压和电流峰值可能导致静电敏感IC等器件发生故障。人际接触是ESD的常见来源。即使人与电路没有直接接触，电容式检测
2022-07-12 16:32:21
失效，这是对ESD静电放电损害未充分认识之前，常常归咎于早期失效或情况不明的失效，从而不自觉的掩盖了失效的真正原因。5、严重性ESD问题表面上看来只影响了制成品的用家，但实际上亦影响了各层次的制造商，如：保用费、维修及公司的声誉等等。安达森为您提供ESD防静电电子元器件。
2014-01-03 11:36:53
使用扫描电镜等高精密仪器。即使如此，有些静电损伤现象也难以与其他原因造成的损伤加以区别，使人误把静电损伤失效当作其他失效。这在对静电放电损害未充分认识之前，常常归因于早期失效或情况不明的失效，从而不自觉地掩盖了失效的真正原因。所以静电对电子器件损伤的分析具有复杂性。信息来自：防静电资讯网
2013-01-21 12:40:19
静电的产生及来源是什么 静电敏感由什么组成 静电放电损伤特征是什么 ESD、EOS与缺陷诱发失效如何鉴别
2021-03-11 07:55:13
随着电子威廉希尔官方网站
的以及集成电路的发展，电子设备日趋小型化、多功能及智能化。然而高集成度的电路元件都可能因静电电场和静电放电（ESD）引起失效，导致电子设备锁死、复位、数据丢失而影响设备正常工作，使
2021-01-06 17:26:05
产生热量导致设备的热失效;由ESD静电抑制器感应出过高电压导致绝缘击穿.两种破坏可能在一个设备中同时发生,例如,绝缘击穿可能激发大的电流,这又进一步导致热失效. 除容易造成电路损害外,静电放电也极易对电子电路
2013-11-20 10:23:16
,例如,绝缘击穿可能激发大的电流,这又进一步导致热失效.除容易造成电路损害外,静电放电也极易对电子电路造成干扰.静电放电对电子电路的干扰有二种方式.一种是传导干扰,另一种是辐射干扰.2.数码产品的构造
2021-04-09 15:15:10
放电，人体也不一定能有电击的感觉，这是因为人体感知的静电放电电压为2-3KV。大多数情况都是通过测试或者实际应用，才能发现LED器件已受静电损伤。 2.潜伏性：静电放电可能造成LED突发性失效或潜在
2013-02-20 09:24:22
栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。静电放电形成的是短时大电流，放电脉冲的时间常数远小于器件散热的时间常数。因此，当静电放电电流通过面积很小
2016-07-21 10:55:02
什么是静电放电？什么是电迁移？
2021-06-17 07:34:44
。连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试，现场失效多数由静电放电（ESD）和过电应力（EOS）引起。电参数失效，需进行较复杂的测量，主要表现形式有参数值超出规定范围（超差）和参数不稳定
2016-10-26 16:26:27
方法可能出现的主要失效模式电应力静电、过电、噪声MOS器件的栅击穿、双极型器件的pn结击穿、功率晶体管的二次击穿、CMOS电路的闩锁效应热应力高温储存金属－半导体接触的Al－Si互溶，欧姆接触退化，pn结
2016-12-09 16:07:04
电场的能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行放电的现象就是静电放电． 4、静电敏感度：元器件所能承受的静电放电电压． 5、静电敏感器件：对静电放电敏感的器件． 6、接地：电气连接到能供给或接受大量电荷
2019-07-02 06:42:48
请问各位大神，在静电放电抗扰度试验中，静电放电发生器的直流高压电源、充电电阻、放电电阻、储能电容器、放电开关、等等的各项具体要求是什么？比如功率，电流，耐压值什么的。希望大家可以帮助我这个小菜鸟，我是刚刚开始学习EMC。谢谢！！！
2013-12-22 15:47:30
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化
2019-07-31 07:30:42
。本文介绍了手机静电放电测试的要求和方法，总结分析了手机静电放电抗扰度试验的主要失效现象和模式， 可供手机静电放电抗扰度试验及提高手机抗静电能力设计时参考。
2019-07-25 06:51:33
随着电子威廉希尔官方网站
以及集成电路的发展，电子设备日趋小型化、多功能智能化。然而高集成度的电路元件都可能因静电电场和静电放电（ESD）引起失效，导致电子设备锁死、复位、数据丢失而影响设备正常工作，使设备可靠性
2018-01-16 14:21:19
电子元器件由静电放电引发的失效可分为突发性失效和潜在性失效两种模式。 突发性失效是指元器件受到静电放电损伤后，突然完全丧失其规定的功能，主要表现为开路、短路或参数严重漂移，具体模式如：双极型器件的射
2013-05-28 10:27:30
电子元器件由静电放电引发的失效可分为突发性失效和潜在性失效两种模式。 突发性失效是指元器件受到静电放电损伤后，突然完全丧失其规定的功能，主要表现为开路、短路或参数严重漂移，具体模式如：双极型器件
2013-03-25 12:55:30
电子元器件的失效原理 ESD静电放电是指静电荷通过人体或物体放电。静电在多个领域造成严重危害 。电子元器件由ESD静电放电引发的失效可分为突发性失效和潜在性失效两种模式。 突发性失效是指元器件受到
2013-12-28 10:07:36
开关接到B时，存储在电容上的电荷通过电阻（等效人体电阻）向设备放电，相当于人体触碰设备瞬间，放电的过程会在短短数百微秒的时间内产生一定大小的瞬间放电电流，进而可能会将设备内部的器件损坏。 图1：人体静电
2020-05-30 07:46:12
来源：看点快报本篇文章主要针对静电放电的一些难点进行一个汇总，进而进行详细的分析，跟着小编一起来看看吧！静电放电ESD（Electro-Static Discharge）是EMC测试常见的项目之一
2020-10-23 09:28:57
静电放电（ESD）理论研究的已经相当成熟，为了模拟分析静电事件，前人设计了很多静电放电模型。常见的静电模型有：人体模型（HBM），带电器件模型，场感应模型，场增强模型，机器模型和电容耦合模型等
2019-05-28 08:00:00
随着半导体制程威廉希尔官方网站
的不断演进，以及集成电路大量的运用在电子产品中，静电放电已经成为影响电子产品良率的主要因素。美国最近公布因为静电放电而造成的国家损失，一年就高达两百多亿美金，而光是电子产品部份
2019-07-25 06:45:53
), JESD22-A110； 高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108； 芯片静电测试 ( ESD)：人体放电模式测试(HBM), JS001 ；元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ；闩锁测试(LU
2020-04-26 17:03:32
器件，就会造成器件失效。三、静电产生的途径1、接触，摩擦和分离：如材料表面的分离，摩擦及低湿度；2、传导：当一个不接地的静电导体接近地平面时，会有放电火花出现于该导体与接触地面之间，从而产生静电放电；3
2023-10-08 10:50:34
一般防静电屏蔽袋袋本身不容易产生静电,但当包装袋外部发生静电放电时，由于其屏蔽外部ESD性能不好，包装袋内部的电子器件会受到外部静电放电的影响甚至损坏对静电非常敏感的器件
2016-03-02 11:52:03
ESD设计提出了更高的防护要求。LDMOS是功率IC的常用器件，它与低压MOSFET一样存在静电泄放电流非均匀分布的问题，因而而器件在不做任何改进的情况下，不能充分发挥其静电防护的潜能，是LDMOS
2016-03-03 17:54:51
[size=1em]导读LDMOS是功率IC的常用器件，它作为片上静电防护器件使用时，与低压MOSFET一样存在静电泄放电流非均匀分布的问题。该问题是LDMOS器件静电鲁棒性提高的主要障碍。湖南静芯
2016-03-12 14:12:31
[size=1em]导读LDMOS是功率IC的常用器件，它作为片上静电防护器件使用时，与低压MOSFET一样存在静电泄放电流非均匀分布的问题。该问题是LDMOS器件静电鲁棒性提高的主要障碍。湖南静芯
2016-04-06 09:24:23
随着集成电路及电子设备的广泛应用，人体静电放电的危害性日益引起人们的重视。首先介绍人体静电放电模型及测试方法，然后阐述几种新型集成化静电放电保护器件的原理与应
2009-08-05 15:04:54
114 本文针对LDMOS 器件在ESD 保护应用中的原理进行了分析，重点讨论了设计以及应用过程中如何降低高触发电压和有效提高二次击穿电流，结合实际工艺对器件进行参数优化，得到了
2009-12-14 09:48:5135 提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构，采用Double RESURF威廉希尔官方网站
和场板威廉希尔官方网站
，耐压可达700伏。本文借助二维器件模拟软件MEDICI，分析了器件的参数对击穿电压和导通电阻的影
2010-07-14 16:28:1044 静电放电（ESD）是大家熟知的电磁兼容问题，它可引起电子设备失灵或使其损坏。当半导体器件单独放置或装入电路模块时，即使
2010-08-19 12:13:0730 静电放电发生器及电路
静电放电的起因
&
2010-03-04 09:17:452893 
PCB设计时怎样抗静电放电
静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极
2010-03-13 14:55:501661 静电敏感器件,静电敏感器件是什么意思
在生产中，人们常把对静电反应敏感的电子器件称为静电敏感器件(Static，Sensitive Device简称SSD)，这类电子器
2010-04-01 17:28:129864 内容提要 一、何谓ESD 二、静电的产生机理 三、静电的危害 四、静电放电模型 五、电子工作区的静电防护 六、静电消除方法 七、静电接地的目的 八、静电防护设备要求 九、人员训练
2011-03-23 13:39:521412 本文介绍了手机静电放电测试的要求和方法， 总结分析了手机静电放电抗扰度试验的主要失效现象和模式， 可供手机静电放电抗扰度试验及提高手机抗静电能力设计时参考。
2011-10-20 10:02:183375 ESD 是代表英文ElectroStatic Discharge 即静电放电的意思。ESD 是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热（火花）效应（如静电引起的着火与
2011-11-25 14:05:43125 静电放电（ESD）在集成电路产业中造成的电路失效占有相当大的比重。随着电路的集成度增加、栅氧厚度减薄、多电源、混合信号模块在复杂电路中的运用、更大的芯片寄生电容和更高
2011-12-16 14:31:48109 针对一般失效机理的分析可提高功率半导体器件的可靠性. 利用多种微分析手段, 分析和小结了功率器件芯片的封装失效机理. 重点分析了静电放电( electrostatic d ischarge, ESD)导致的功率器
2011-12-22 14:39:3267 由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设
2012-02-02 10:53:2654 gb17626.2-1998(ESD)静电放电抗扰度
2016-03-22 14:46:3626 现行国家标准：静电放电抗扰度试验
2016-12-09 15:10:308 静电放电原理
2016-12-30 15:22:440 人体放电模式(Human-Body Model, HBM)产生的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其他因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会经由电子元器件而进入电子元器件内，再经由电子元器件放电到地去
2017-02-09 17:47:387557 
先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统过度电应力破坏的主要元凶。
2017-02-10 02:10:113974 
随着半导体制程威廉希尔官方网站
的不断演进，以及集成电路大量的运用在电子产品中，静电放电已经成为影响电子产品良率的主要因素。美国最近公布因为静电放电而造 成的国家损失，一年就高达两百多亿美金，而光是电子产品部份
2017-11-08 15:45:0216 电场的能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行放电的现象就是静电放电． 4、静电敏感度：元器件所能承受的静电放电电压． 5、静电敏感器件：对静电放电敏感的器件． 6、接地：电气连接到能供给或接受大量电荷的物体，如大地、船
2017-11-23 05:45:511087 ，因此，IGBT也是静电极敏感型器件，其子器件还应包括静电放电（SED）防护器件。据报道，失效的半导体器件中，由静电放电及相关原因引起的失效，占很大的比例。
2018-06-20 14:51:0015773 
静电放电（ESD）理论研究的已经相当成熟，为了模拟分析静电事件，前人设计了很多静电放电模型。
2019-08-11 11:46:418831 
在电子产品制造中，静电放电往往会损伤器件，甚至使器件失效，造成严重损失，因此SMT生产中的静电防护非常重要。
2019-09-29 17:33:253782 静电放电导致手机部分功能失效，但静电放电过程结束后或者重新启动手机之后失效的功能可以恢复。这些现象可能为：屏幕显示异常，如屏幕显示呈白色、出现条纹、显 示出现乱码、显示模糊等等；
2019-10-08 09:25:0311016 
全球电子元器件与开发服务分销商e络盟推出全面的防静电产品系列以保护电子元器件免受静电放电（ESD）损坏，为客户的制造和供应流程提供有力支持。
2020-03-12 14:06:273048 了手机静电放电测试的要求和方法，总结分析了手机静电放电抗扰度试验的主要失效现象和模式，可供手机静电放电抗扰度试验及提高手机抗静电能力设计时参考。
2020-07-10 10:29:006 ．静电电场的能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行放电的现象就是静电放电．
4、静电敏感度：元器件所能承受的静电放电电压．
5、静电敏感器件：对静电放电敏感的器件．
6、接地：电气连接到能供给或接受大量电荷的物体，如大地、
2020-07-24 18:54:005 依据标准IEC 61000-4-2/GBT17626.2的定义，静电放电就是具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移。 当人体穿着绝缘材料的织物并且对地绝缘时，在地面上运动时可能积累
2020-11-19 10:29:477975 电子产品在生产制造过程中的静电放电损伤是引起半导体器件失效的重要原因。产品在生产线上出现批量下线时，应当怀疑是否由于静电放电引起。这种情况，不仅需要对生产线进行排查，而且需要对失效器件开展深入分析
2021-01-12 21:04:0035 在电子工业中，由于产品的小型化，对静电愈加敏感。器件加工中，摩擦起电、人体带电、感应起电都是静电产生的重要方式。例如，操作者的人体与大地绝缘时，静电为可高达1.5～35kV。如此高的静电位一旦放电
2020-12-04 08:00:0030 介绍静电放电的基础知识。
2021-03-22 15:39:1229 采用吉时利直流参数测试系统并配合高压测试探针对制备的LDMOS器件进行在片测试。利用光学显微镜观察器件的具体结构，并用探针给相应的电极加电，只使用探针向器件栅、漏极加电，而源极直接通过衬底与金属吸盘接地。
2021-06-07 11:15:42174 静电放电问题案例分析资源下载
2021-07-01 09:45:3111 在浪涌和静电的过压防护中，使用TVS管已经是一个非常普遍的解决方式，有时候在前期测试没有什么问题，但是在实际使用中会因为个别TVS管失效导致产品异常的情况。这个问题如果只是去模拟失效环境来验证，问题复现概率极低，此时我们可以通过分析失效器件来推断失效环境。
2022-01-04 14:10:261329 静电放电抗扰度试验。模拟操作员或物体接触设备时产生的放电，以及人员或物体相对于相邻物体的放电，以测试被测设备对静电放电的干扰能力
2022-09-05 09:48:4915 中的失效表现，其中选取了部分典型失效案例进行呈现。 ESD案例分享 静电释放导致的失效主要表现为即时失效与延时失效两种模式。 1.即时失效 即时失效又称突发失效，指的是元器件受到静电放电损伤后，突然完全或部分丧失其规定的功能。一般较容易通过功能检测
2023-03-13 17:02:421344 
即时失效又称突发失效，指的是元器件受到静电放电损伤后，突然完全或部分丧失其规定的功能。一般较容易通过功能检测发现。
2023-03-16 15:43:571546 静电放电(ESD)是一种意外的快速高压瞬态波形，出现在电路内的导体上。ESD引起的高电压和电流峰值可能导致静电敏感IC等器件发生故障。人际接触是ESD的常见来源。即使人与电路没有直接接触，电容式检测开关等器件也可以允许电荷耦合到电导体上。在ESD放电可能导致电路故障的情况下，需要ESD保护。
2023-06-02 09:21:03607 
静电放电(ESD)是一种意外的快速高压瞬态波形，出现在电路内的导体上。ESD引起的高电压和电流峰值可能导致静电敏感IC等器件发生故障。
2023-06-02 09:21:45392 
以下几种影响： 电压干扰：静电放电会引起电路中的瞬态电压变化。这些电压变化可能超过电路元件的额定电压，导致元件失效或损坏。例如，电容器、晶体管等器件可能无法承受过高的电压。 电流干扰：静电放电产生的电流脉冲可
2023-06-07 10:27:18552 点击关注，电磁兼容不迷路。静电放电保护器件种类与特点概述静电放电(ESD)是一种意外的快速高压瞬态波形，出现在电路内的导体上。ESD引起的高电压和电流峰值可能导致静电敏感IC等器件发生故障。人际接触
2022-07-02 14:37:39904 
在组装线上，工人正在组装敏感的电子元器件到电路板上，当工人将带有静电电荷的手接触到敏感的元器件或电路板时，静电电荷会迅速放电，产生高能量的电流。这可能会损坏元器件的内部电子元件，导致元器件无法正常工作或完全失效。
2023-07-14 10:25:161607 静电放电的产生有两个基本条件，一. 是电荷的积累，电荷的积累是前提，然后是“跨接”，电荷的剧烈流动就是放电。所以从这两个方面就行控制就能有效地防护静电放电的产生。
2023-09-05 11:08:19479 
静电放电是一种自然现象 ，当两种不同介电强度的材料相互摩擦时，就会产生静电电荷，当其中一种材料上的静电荷积累到一定程度，在与另外一个物体接触时，就会通过这个物体到大地的阻抗而进行放电。静电放电及影响是电子设备的一个主要干扰源。
2023-09-26 14:48:42342 
在SMT加工过程中，静电放电会对电子元器件造成损伤或失效，随着IC集成度的提高和元器件的逐渐缩小，静电的影响也变得愈加严重。 据统计，导致电子产品失效的因素中，静电占比8%~33%，而每年因为静电
2023-11-16 19:05:01251 
在SMT加工过程中，静电放电会对电子元器件造成损伤或失效，随着IC集成度的提高和元器件的逐渐缩小，静电的影响也变得愈加严重。据统计，导致电子产品失效的因素中，静电占比8%~33%，而每年因为静电
2023-11-17 08:07:49394 
静电放电对电路的影响主要是通过电压、电流和能量传递的方式产生的。静电放电是由于电荷积累在物体表面，当电荷之间或物体与接地之间存在电势差时，会发生电荷的突然释放，形成放电现象。
2023-11-21 16:28:41612 静电放电发生器原理 静电放电发生器的主要用途 静电发生器怎么使用 静电放电发生器（Electrostatic Discharge Generator）是一种用于模拟和测试电子器件和系统在静电放电
2023-11-23 10:07:22666 依据静电放电产生原因及其对集成电路放电方式的不同，静电放电模型可分成以下四类模型：1、人体放电模型(HBM,Human-BodyModel)、2、机器放电模型(MM,MachineModel
2023-11-24 08:13:23243 
各有不同。本文将详细介绍ESD失效和EOS失效的区别。 首先，让我们先来了解一下ESD失效。ESD失效是指由于静电放电引起的电子元件或电路的损坏。静电放电可以在日常生活中产生，例如人体与地面之间摩擦时产生的静电放电。当人们接触电子器件时，这些放
2023-12-20 11:37:023071 ESD静电的危害与失效类型及模式？|深圳比创达电子
2023-12-21 10:19:12407 
控制静电放电的三个基本原则 控制静电放电是一项关键的工程问题，尤其是在现代工业中。静电放电不仅可能损坏电子设备和电子元件，还可能引发火灾和爆炸等安全问题。为了有效地控制静电放电，我们需要遵循三个
2024-01-03 11:00:40389 如何控制元器件静电放电损伤的产生 静电放电是电荷在两个物体之间突然跳跃的过程，其释放的能量可以损伤元器件。为了控制元器件静电放电损伤的产生，我们可以采取以下几种措施： 1. 选择防静电材料：静电放电
2024-01-03 11:43:27229 如何从利用静电防护器件来降低ESD危害？ 静电防护器件，也称为ESD防护器件，用于降低和控制静电放电对电子设备、电路和元件造成的危害。静电防护器件起到了连接静电产生、传递以及分散的作用，有效地
2024-01-03 13:42:35219 ESD静电放电有几种主要的破坏机制 ESD失效的原因 静电放电(ESD)是由于静电的积累导致电荷突然放电到不同电势的物体上而引起的一系列现象。ESD可能对电子设备和电路产生不可逆的破坏，因此对于
2024-01-03 13:42:481274 半导体器件在使用过程中最常见的失效模式之一，就是静电放电和电浪涌引起对器件造成的损伤。其破坏性是严重的，已成了影响元器件可靠性最大的隐患，因而其实际的防治最重要，但又非常容易疏忽而不被认识和重视。
2024-03-04 14:29:37244 
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