等离子体图形化刻蚀过程中，刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓，称为负载效应。负载效应有两种:宏观负载效应和微观负载效应。
2023-02-08 09:41:26
2313 单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区，多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。
2023-02-13 11:13:235353 
在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料，只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58754 
在半导体前端工艺第三篇中，我们了解了如何制作“饼干模具”。本期，我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点，在于如何移除不需要的材料，即“刻蚀（Etching）工艺”。
2023-08-10 15:06:10420 在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-09-24 17:42:03789 
在半导体加工工艺中，常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching)，它们像俩兄弟一样，一前一后的出现，有着千丝万缕的联系，这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01:58221 
13um应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究台面制作工艺对１?３μｍ应变补偿多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影响。根据外延结构，分析比较了两种台面制作的方法，即选择性湿法腐蚀法和ＩＣＰ 刻蚀
2009-10-06 09:52:24
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 编辑
北京飞特驰科技有限公司对外提供6英寸半导体工艺代工服务和工艺加工服务，包括：产品代工、短流程加工、单项工艺加工等
2015-01-07 16:15:47
今天逛论坛的时候看到一篇讲4*4矩阵键盘的，提出一种矩阵键盘的新型接法，特节省I/O口，贴子没有写程序，只提供了硬件连接，把自己写的程序贴出来供大家交流，有不当之处烦劳各位提出。硬件连接如下图所示
2012-08-25 20:03:42
在2011年12月的时候就已经推出。在2年的任职时间内，他的团队还提出了42项跟iPhone和iPod相关的专利申请，在他们的创新成果中，有70%已经运用在产品上。苹果产品如工艺品般精致，不乏创意又
2012-04-13 09:00:25
AOE刻蚀氧化硅可以，同时这个设备可以刻蚀硅吗？大致的气体配比是怎样的，我这里常规的刻蚀气体都有，但是过去用的ICP，还没有用过AOE刻蚀硅，请哪位大佬指点一下，谢谢。
2022-10-21 07:20:28
HIDAdvRemote能不能与苹果电脑连接的上？我目前正在用CC2541开发蓝牙鼠标与键盘， 请问一下HIDAdvRemote这个工程，能不能与苹果电脑连接的上，能不能控制苹果电脑？还有我目前采用的HIDAdvRemote这个工程开发的鼠标能不直接与苹果IPAD或苹果电脑连接得上？
2016-03-10 15:57:16
Sic mesfet工艺威廉希尔官方网站
研究与器件研究针对ＳｉＣ 衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺威廉希尔官方网站
并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为２?０７ ｎｍ的刻蚀表面；牺牲氧化
2009-10-06 09:48:48
`Light1是一款在功能和外观上面追求极致的无线蓝牙键盘，利用了6个结构专利，4个背光专利和3个蓝牙通讯专利，使得超薄的Light 1键盘可通过USB或蓝牙共享给多台计算设备，并且实时便捷的进行
2013-02-22 14:16:45
新加坡知名半导体晶圆代工厂招聘资深刻蚀工艺工程师和刻蚀设备主管！此职位为内部推荐，深刻蚀工艺工程师需要有LAM 8寸机台poly刻蚀经验。刻蚀设备主管需要熟悉LAM8寸机台。待遇优厚。有兴趣的朋友可以将简历发到我的邮箱sternice81@gmail.com，我会转发给HR。
2017-04-29 14:23:25
导致工艺无法控制。有时醋酸和其他成分被混合进来控制加热反应。一些器件要求在晶圆上刻蚀出槽或沟。刻蚀配方要进行调整以使刻蚀速率依靠晶圆的取向。取向的晶圆以45°角刻蚀，取向的晶圆以“平”底刻蚀。其他取向
2018-12-21 13:49:20
一种新型的矩阵键盘扫描方式
2016-10-09 21:37:27
介绍一款新型的硬件虚拟键盘
2022-02-23 07:27:01
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
的加工工艺流程，加工过程中需要运用刻蚀机在晶圆上把复杂的3D图形一层一层“堆叠”起来，实现单片机IC芯片的更小化。芯片，本质上是一片载有集成电路（IC：Integrated circuit）的半导体元件
2018-08-23 17:34:34
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11:22
击穿电压。同时，还简要描述了这种器件的制造工艺。关键词：静电感应晶闸管；埋栅结构；台面刻蚀；栅阴击穿；表面缺
2009-10-06 09:30:24
厂商具备研发和生产CPU的能力。CPU的发展史也可以看作是制作工艺的发展史。几乎每一次制作工艺的改进都能为CPU发展带来最强大的源动力。CPU的制造过程可以大致分为以下步骤：硅提纯切割晶圆影印刻蚀重复
2017-10-09 19:41:52
最近需要用到干法刻蚀威廉希尔官方网站
去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑
释放MEMS机械结构的干法刻蚀威廉希尔官方网站
湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35
2013-11-04 11:51:00
本文以金属刻蚀去胶腔为背景，简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题，展开讨论。通过实际案例分析,展示了干刻清洗工艺的应用价值。关键字：干刻清
2009-12-14 11:06:10
16 刻蚀•光刻就是在光刻胶上形成图形•下一步就是将光刻胶上的图形通过刻蚀转移到光刻胶下面的层上•刻蚀工艺分为湿法和干法刻蚀的品质•刻
2010-06-21 17:29:4072 新型LED背光源威廉希尔官方网站
及应用
2010-12-21 16:29:0562 新型键盘的简介
确定基本设计类型后，接下来要考虑键盘的其他特性。如果您经常用电脑听音乐，那么具有内置多媒体控制功能的键盘对您来说可能会很方便。这种功
2009-07-24 11:00:02993 释放MEMS机械结构的干法刻蚀威廉希尔官方网站
湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32858 文章介绍了几种新的封装工艺，如新型圆片级封装工艺OSmium 圆片级封装工艺，它能够把裸片面积减少一半；新型SiP封装工艺Smafti封装工艺，它改进了传统SiP封装工艺，把传输速度提高了
2011-12-29 15:34:4582 本文在浅沟槽隔离刻蚀过程中发现，当刻蚀腔室上石英窗口的温度超过85℃时，刻蚀终止出现在300mm晶圆的中心。我们认为刻蚀终止的原因是由于某些低挥发SiOxCly刻蚀产物再淀积。石英
2012-05-04 17:09:372642 
本设计采用P87LPC769单片机，开发了一种新型的键盘与显示电路，系统稳定性高、准确性好，使用方便灵活。
2016-03-30 17:02:146 本文介绍了一种新型智能键盘显示控制器WH8280和基于该芯片的单 片机键盘显示控制接口电路。详细描述了该控制器的功能特点，以及与传统键盘显示控制器相比所具有的 优点等，给出了切实可用的硬件接口电路和具体的软件设计。
2016-03-30 17:02:1413 晶体硅太阳能电池生产线刻蚀工序培训 1、刻蚀的作用及方法；2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品；3、主要检测项目及标准；4、常见问题及解决方法；5、未来工艺的发展方向；
2017-09-29 10:29:0924 光刻蚀 这是目前的CPU 制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？ 光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项威廉希尔官方网站
对于所用光的波长要求极为
2017-10-24 14:52:5816 天天用着键盘，想给键盘搞点新花样。高难度的东西做不了，初级DIY的加个背光，做过背光键盘还是可行的。
2018-09-16 11:00:006391 反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀威廉希尔官方网站
来实现。为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768300 苹果公司一直在研究该如何提高键盘的打字体验，苹果也试了不少方法，包括调整键盘设计和利用增强现实和虚拟现实威廉希尔官方网站
覆盖物理键盘符号，以及可以自定义键盘的系统。
2019-04-06 16:56:002088 强键防水防尘的游戏机械键盘。近日，在专业防水防尘的机械键盘市场上再创两款巅峰之作——雷柏V530L及V720L防水背光游戏机械键盘。这两款键盘都采用了最新的红外机械开关及风格硬朗的铝合金金属上盖，同时保持悬浮式按键及单纯红色背光设计，最主要还有加入纳米防水涂层，带来更强的防水抗尘功能！
2019-05-09 09:48:282416 据外媒报道，本周苹果通过了一项新专利，该专利显示苹果正在研发一种支持Force Touch触控威廉希尔官方网站
的Mac键盘。
2019-06-20 16:02:231470 
10月4日，据外媒报道，美国专利商标办公室发布了一项来自苹果公司的专利申请，专利是关于一种新型触觉键盘系统。
2019-10-08 09:56:482690 据PatentlyApple报道，美国专利商标局近日公布了一项苹果的专利申请，涉及一款新设计键盘以及可防止键盘受碎屑和液体影响的键盘配件。
2020-03-30 16:09:291841 未来的苹果键盘可能会采用玻璃面板和彩色背光混合的键帽，以获得更持久的按键，而这些按键有可能被用作迷你显示器。
2020-07-03 10:56:081693 据外媒报道，美国专利商标办公室发布了一项来自苹果公司的专利申请，专利是关于一种新型触觉键盘系统。 它使用了一种称为“静态模式静电触觉电极”的威廉希尔官方网站
，为了使触摸屏上的虚拟键盘有类似于传统机械键盘
2021-01-22 16:54:011296 
深反应离子刻蚀工艺，是实现高深宽比特性的重要方式，已成为微加工威廉希尔官方网站
的基石。这项刻蚀威廉希尔官方网站
在众多领域均得到了应用：1)MEMS电容式惯性传感器；2) 宏观设备的微型化；3) 三维集成电路堆叠威廉希尔官方网站
的硅通孔工艺。
2020-10-09 14:17:3512466 
不久前，MEMS 蚀刻和表面涂层方面的领先企业 memsstar 向《电子产品世界》介绍了 MEMS 与传统 CMOS 刻蚀与沉积工艺的关系，对中国本土 MEMS 制造工厂和实验室的建议
2022-12-13 11:42:001524 不久前，MEMS 蚀刻和表面涂层方面的领先企业 memsstar 向《电子产品世界》介绍了 MEMS 与传统 CMOS 刻蚀与沉积工艺的关系，对中国本土 MEMS 制造工厂和实验室的建议等。
2020-12-08 23:36:0025 功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化，开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件，可用
2020-12-29 14:32:102077 功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化，开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件，可用
2020-12-29 14:34:101135 摘要：在半导体制造工艺的湿法刻蚀中，用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中，热磷酸刻蚀后的去离子水（ＤＩＷ）清洗更是一个非常重要的步骤。主要分析了由于去离子水
2020-12-29 14:36:072445 
摘要：对比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等几种ＧａＮ７干法刻蚀方法的特点。回顾了ＧａＮ１法刻蚀领域的研究进展。以ＩＣＰ刻蚀ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料为例，通过工艺参数的优化，得到了高刻蚀速率和理想的选择比及
2020-12-29 14:39:292794 
在集成电路的制造过程中，刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀；后者是利用等离子体来进行
2020-12-29 14:42:588292 
兼容性好．采用电感耦合等离子体源(inductivelycoupledpla蛐，I凹)威廉希尔官方网站
对金属钛进行三雏深刻蚀，采用不同刻蚀掩模、氯基刻蚀气体，研究了线圈功率、平板功率和娼流量对刻蚀速率和选择比等工艺参数的影响，并对砸深刻蚀参数进行了优化，得到0．
2020-12-29 14:47:002194 2019年5月21日，苹果上线了针对13英寸MacBook Pro的显示屏背光服务计划。当时苹果发现部分2016年10月到2018年2月售出的MacBook Pro存在背光完全停止工作或者沿整个屏幕底部持续或间歇性显示垂直明亮区域的问题。
2021-01-18 09:40:002075 刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示， 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 为了高的产量， 希望有高的刻蚀速率。 在采用单片工艺的设备中， 这是一个很重要的参数。 刻蚀速率由工艺和设备变量决定， 如被刻蚀材料类型、 蚀机的结构配置、 使用的刻蚀气体和工艺参数设置。
2022-03-15 13:41:592793 
刻蚀室半导体IC制造中的至关重要的一道工艺，一般有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，干法刻蚀和湿法刻蚀一个显著的区别是各向异性，更适合用于对形貌要求较高的工艺步骤。
2022-06-13 14:43:316 在 MEMS 制造工艺中，常用的干法刻蚀包括反应离子刻蚀 （Reactive lon Etching， RIE）、深反应离子刻蚀（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蚀刻。
2022-10-10 10:12:153076 干法刻蚀工艺流程为，将刻蚀气体注入真空反应室，待压力稳定后，利用射频辉光放电产生等离子体；受高速电子撞击后分解产生自由基，并扩散到圆片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:192964 湿法刻蚀是集成电路制造工艺最早采用的威廉希尔官方网站
之一。虽然由于受其刻蚀的各向同性的限制，使得大部分的湿法刻蚀工艺被具有各向异性的干法刻蚀替代，但是它在尺寸较大的非关键层清洗中依然发挥着重要的作用。
2022-11-11 09:34:186792 每一台刻蚀设备都需做好在最佳条件下运行的准备。我们的刻蚀工艺工程师运用精湛的制造威廉希尔官方网站
，完成这一细节工艺的处理。
2023-01-07 14:08:362875 刻蚀是移除晶圆表面材料，达到IC设计要求的一种工艺过程。刻蚀有两种:一种为图形 化刻蚀，这种刻蚀能将指定区域的材料去除，如将光刻胶或光刻版上的图形转移到衬底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351643 刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率。由于刻蚀速率直接影响刻蚀的产量，因此刻蚀速率是一个重要参数。
2023-02-06 15:06:263590 湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料，达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液体或可溶于刻蚀剂的固体。
2023-02-10 11:03:183761 刻蚀有三种:纯化学刻蚀、纯物理刻蚀，以及介于两者之间的反应式离子刻蚀（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072405 从下图中可以看出结合使用XeF2气流和氯离子轰击的刻蚀速率最高，明显高于这两种工艺单独使用时的刻蚀速率总和。
2023-02-23 17:17:202512 等离子体最初用来刻蚀含碳物质，例如用氧等离子体剥除光刻胶，这就是所谓的等离子体剥除或等离子体灰化。等离子体中因高速电子分解碰撞产生的氧原子自由基会很快与含碳物质中的碳和氢反应，形成易挥发的co,co2和h2o并且将含碳物质有效地从表面移除。这个过程是在带有刻蚀隧道的桶状系统中进行的（见下图）。
2023-03-06 13:50:48947 严重的离子轰击将产生大量的热量，所以如果没有适当的冷却系统，晶圆温度就会提高。对于图形化刻蚀，晶圆上涂有一层光刻胶薄膜作为图形屏蔽层，如果晶圆温度超过150摄氏度,屏蔽层就会被烧焦，而且化学刻蚀速率
2023-03-06 13:52:33747 对于湿法刻蚀，大部分刻蚀的终点都取决于时间，而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法，所以通常由操作员目测终点。湿法刻蚀速率很容易受刻蚀剂温度与浓度的影响，这种影响对不同工作站和不同批量均有差异，因此单独用时间决定刻蚀终点很困难，一般釆用操作员目测的方式。
2023-03-06 13:56:031677 FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作，这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺，如CD、深度和轮廓。
2023-03-30 09:39:182258 DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:161968 金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制，防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题，因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:542092 压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431726 图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
2023-04-28 11:24:27976 
光刻工艺后，在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形，下一步就是刻蚀。
2023-06-08 10:52:352839 
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571058 
图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中，刻蚀工艺是光刻(Photo)工艺的下一步，用于去除光刻胶(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10739 
第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH)，即多次交替循环刻蚀和淀积工艺，刻蚀工艺使用的是SF6气体，淀积工艺使用的是C4F8气体
2023-07-14 09:54:462880 
PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜，降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙，并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不需要的蚀刻或损伤，提高刻蚀的选择性。
2023-08-17 15:39:392366 光刻蚀（Photolithography）是一种在微电子和光电子制造中常用的加工威廉希尔官方网站
，用于制造微细结构和芯片元件。它的基本原理是利用光的化学和物理作用，通过光罩的设计和控制，将光影投射到光敏材料上，形成所需的图案。
2023-08-24 15:57:421914 在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种威廉希尔官方网站
各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:002843 
刻蚀（或蚀刻）是从晶圆表面去除特定区域的材料以形成相应微结构。但是，在目标材料被刻蚀时，通常伴随着其他层或掩膜的刻蚀。
2023-10-07 14:19:251597 
电子发烧友网站提供《一种新型的键盘与显示电路设计.pdf》资料免费下载
2023-10-20 11:34:370 半导体前端工艺（第四篇）：刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26173 
W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应，避免产生凹坑，并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
2023-12-06 09:38:53779 该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。
2023-12-06 11:58:16250 
在红外探测器的制造威廉希尔官方网站
中，台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。
2024-01-08 10:11:01128 
使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:4262 
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